Milli-Q:電子級水在半導體行業矽晶圓、溼電子化學品和濺射靶材中...

2020-11-22 儀器信息網

10月15日-16日,中國科學院半導體研究所、儀器信息網聯合主辦首屆「半導體材料與器件研究與應用」網絡會議(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020),22位業內知名的國內外專家學者聚焦半導體材料與器件的產業熱點方向,進行為期兩日的學術交流。

會議期間,來自默克化工技術(上海)有限公司的高級應用專家李子超分享了電子級水在半導體行業中的應用及解決方案。

據介紹,純水是實驗室應用最廣泛的試劑!水中含有大量的汙染物,可大致分為有機物(腐殖質、核酸酶、三聚氰胺、PCB)、無機離子(Na+/Ca2+/Fe3+/SO42-/Cl-)、顆粒&膠體(矽膠體、泥沙、灰塵、管路剝落)、微生物和氣體(CO2、O2),這些汙染物的存在可能會導致實驗的失敗,浪費大量的時間、試劑和原材料。而純化後的水等級可大致分為實驗級純化水、分析級純化水和超純水,其中超純水還可分出更高一級的電子級水以滿足一部分要求更高的儀器或生產工藝需求。

李子超表示,國內純水標準體系中GB/T11446規定的電子級水是工業用水的最高規格標準,主要用於電子和半導體工藝過程中。電子級水的高標準對採樣、存儲與運輸、檢測頻次提出了更高要求,需要注意容器選擇、容器清洗、防止汙染、貯存與運輸等問題,例行檢查至少每年一次,當制水條件發生改變時也應進行例行檢查。報告中,李子超還介紹了電子級水的水質檢測方法、注意事項和檢測儀器。

電子級水在半導體行業主要應用於矽晶圓、溼電子化學品和濺射靶材中。在多晶矽生產中涉及的提純工藝,多晶矽質量檢測中的精密儀器和晶圓清洗都離不開電子級水。半導體對溼電子化學品的微量金屬雜質、顆粒粒徑和數量、陰離子雜質含量等方面有嚴格要求,且集成電路線寬越窄,所需標準越高,這對相應的電子級水提出了越來越高的要求。在靶材的生產過程中,靶材原材料純化提純過程中的檢測和後期靶材的清洗也對電子級水提出了需求。

報告最後,李子超介紹了Milli-Q的電子級水解決方案。電子級水的製備有一個完整的流程,首先自來水通過Milli-Q HX 70XX可以得到純化水,進一步利用Super Q純化可以得到超純水,最後再利用IQ 7000+ Element純化即可得到電子級水。值得注意的是,電子級水必須在潔淨空間中進行取水,以避免環境幹擾。

版權與免責聲明:

① 凡本網註明"來源:儀器信息網"的所有作品,版權均屬於儀器信息網,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。已獲本網授權的作品,應在授權範圍內使用,並註明"來源:儀器信息網"。違者本網將追究相關法律責任。

② 本網凡註明"來源:xxx(非本網)"的作品,均轉載自其它媒體,轉載目的在於傳遞更多信息,並不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責,且不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如其他媒體、網站或個人從本網下載使用,必須保留本網註明的"稿件來源",並自負版權等法律責任。

③ 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發表之日起兩周內與本網聯繫,否則視為默認儀器信息網有權轉載。

相關焦點

  • 汕尾濺射靶材圖紙設計
    汕尾濺射靶材圖紙設計 晶片製造設備,半導體材料對於晶片產業的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業正處於成長關鍵期,材料和技術仍依賴進口,受到國際市場影響,圍繞半導體行業的焦慮在持續蔓延。2018年全球半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場。增速高達61.49%。
  • 金銅合金濺射靶材型號
    金銅合金濺射靶材型號 晶片製造設備,半導體材料對於晶片產業的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業正處於成長關鍵期,材料和技術仍依賴進口,受到國際市場影響,圍繞半導體行業的焦慮在持續蔓延。2018年全球半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場。增速高達61.49%。
  • 溼電子化學品行業深度研究報告
    溼電子化學品行業上承基礎化工原料,下 接電子信息材料行業。要求超淨高純,具有產品規格多、單個品種用量少、 產品更新換代快、質控要求極高、對生產及使用環境潔淨度要求高等特點。 雖在下遊電子元器件生產成本中佔比較低,但其純度和潔淨度對下遊產品的 良率、電性能及可靠性都有著十分重要的影響,下遊客戶認證通常需要一年 左右時間。
  • 出口濺射靶材定製
    出口濺射靶材定製 晶片製造設備,半導體材料對於晶片產業的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業正處於成長關鍵期,材料和技術仍依賴進口,受到國際市場影響,圍繞半導體行業的焦慮在持續蔓延。2018年全球半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場。增速高達61.49%。
  • 合金濺射靶材龍頭企業
    合金濺射靶材龍頭企業 晶片製造設備,半導體材料對於晶片產業的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業正處於成長關鍵期,材料和技術仍依賴進口,受到國際市場影響,圍繞半導體行業的焦慮在持續蔓延。2018年全球半導體規模增速達12.4%。特別是存儲器市場。增速高達61.49%。
  • 半導體材料深度報告,詳解七大核心材料| 智東西內參
    本期的智能內參,我們推薦申港證券曹旭特分析師的研究報告《晶圓製造材料深度報告》,詳解單晶矽、光刻膠、掩模版、電子氣體、溼化學品、濺射靶材等半導體材料原理和市場狀況。▲晶圓製造材料全球銷售額及增速晶圓製造材料包含矽、掩膜版、光刻膠、電子氣體、CMP 拋光材料、溼化學品、濺射靶材等,其中矽的佔比最高,約佔整個晶圓製造材料的三分之一
  • 解密七大半導體材料和17家中國龍頭企業
    、電子氣體、CMP 拋光材料、溼化學品、濺射靶材等,其中矽的佔比最高,整個晶圓製造材料超過三分之一。 在半導體行業中,電子氣體作為不可或缺的原材料,在各個環節中都得到廣泛應用,如電子級矽的製備、化學氣相沉積成膜、晶圓刻蝕工藝等過程,眾多種類的氣體都起到了至關重要的作用。
  • 半導體材料行業深度報告:疫情之下,材料崛起
    晶圓製造材料全球 銷售額增速 15.83%,高於全球半導體材料銷售額增速。晶圓製造材料包含矽、掩膜版、光刻膠、電子氣體、CMP 拋光材料、溼化學品、 濺射靶材等,其中矽的佔比最高,整個晶圓製造材料超過三分之一。
  • 溼電子化學品行業深度報告:當風輕借力,一舉入高空
    所以溼 電子化學品是電子行業製作過程中不可缺少的關鍵性基礎化工材料之一,它的 純度和潔淨度對集成電路的成品率、電性能及可靠性都有著十分重要的影響。溼法刻蝕通 過特定的溶液(溼電子化學品)與需要刻蝕的薄膜材料發生化學反應,除去光 刻膠未覆蓋區域的薄膜,溼電子化學品主要在溼式蝕刻加工過程中發揮功效。溼電子化學品在半導體中應用中增速加快,隨著我國半導體產業產能提升,規 模量逐漸增加,溼電子化學品產量和行業規模也逐漸提高,2018 年國內半導體 用溼電子化學品需求量達到 28.27 萬噸,同比增長 22%。
  • 半導體行業深度:半導體矽片行業全攻略,給予「看好」評級
    矽晶圓製造廠將此多晶矽加熱融解,並於熔融液摻入一小粒的矽晶體晶種,將其緩慢地拉出成形,讓多晶矽被拉成不同直徑大小的單晶矽晶棒,因矽晶棒是由一顆小晶粒在熔融態的矽原料中逐漸生成,此過程稱為長晶。矽晶棒再經過切片、磨片、倒角、熱處理、拋光、清洗等加工製程,即可成為集成電路產業重要原料矽晶圓(矽片),矽片表面的平坦度為 1 微米以下。
  • 中國半導體設備發展的現狀是怎麼樣的
    5.半導體材料現狀、問題及應對措施 半導體材料產業分布廣泛,門類眾多,主要包括晶圓製造用矽和矽基材、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、靶材、拋光液等。以半導體產業鏈上下遊來分類,半導體材料可以分為晶圓製造材料和封裝材料。2016 年全球晶圓製造材料和封裝材料市場規模分別為 247 億美元和 196 億美元。
  • 新材料專題報告之溼電子化學品行業深度研究
    溼電子化 學品在各應用領域的產品標準有所不同,光伏太陽能電池領域一般只需要 G1 級水平; 平板顯示和 LED 領域對溼電子化學品的等級要求為 G2、G3 水平;半導體領域中, 集成電路用溼電子化學品的純度要求較高,基本集中在 G3、G4 水平,分立器件對 溼電子化學品純度的要求低於集成電路,基本集中在 G2 級水平。
  • 霍尼韋爾推出新型半導體銅錳濺射靶材
    霍尼韋爾(紐約證券交易所代碼:HON)今日宣布推出新型銅錳濺射靶材,其採用的專利技術能為半導體生產商帶來更高的靶材硬度、更長的使用壽命以及更卓越的性能表現。
  • 國內廠商發力溼電子化學品,國產替代正當時|梧桐論道
    溼電子化學品是晶圓製造及晶片封裝領域中的耗材,其消耗量大,對產品的穩定性要求極高,這就對原材料的選擇及純化檢測工藝提出了極高的要求。梧桐樹資本長期關注溼電子化學品行業,並與行業內的上市公司和海外併購標的保持積極溝通。
  • 國際半導體設備公司排名
    5.半導體材料現狀、問題及應對措施 半導體材料產業分布廣泛,門類眾多,主要包括晶圓製造用矽和矽基材、光刻膠、高純化學試劑、電子氣體、靶材、拋光液等。以半導體產業鏈上下遊來分類,半導體材料可以分為晶圓製造材料和封裝材料。2016 年全球晶圓製造材料和封裝材料市場規模分別為 247 億美元和 196 億美元。
  • 電子產業原材料之靶材行業深度報告:輔芯助屏,濺射全球
    1、 靶材概況靶材:濺射薄膜製備的源頭材料,又稱濺射靶材,特別是高純度濺射靶材應用於電子元器件製造的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)工藝,是製備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。
  • 半導體國產化:靶材(附深度)
    半導體晶片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準,濺射靶材若雜質含量過高,形成的薄膜就無法達到使用所要求的電性能,並且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒,導致電路短路或損壞,將嚴重影響薄膜的性能。
  • 寧鄉濺射靶材上市公司龍頭
    寧鄉濺射靶材上市公司龍頭對於ITO靶材,我國有銦資源優勢,但是一直處於技術弱勢地位,國際高端ITO靶材由JX日礦日石金屬、日本三井礦業、日本東曹、韓國三星、德國及美國的少數幾家公司所壟斷。其中又以日本日礦和三井為主,其兩家幾乎佔據了高端TFT-LCD市場用ITO靶材的全部份額和大部分的觸控螢幕面板市場。
  • 半導體晶片濺射靶材價格
    半導體晶片濺射靶材價格 科技日報:ITO靶材屬於35項卡脖子技術之一。UVTM掌握濺射靶材生產的核心技術以後,實施極其嚴格的保密措施,限制技術擴散,同時不斷進行橫向擴張和垂直整合,將業務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域。研製出適用不同應用領域的濺射靶材產品,才能在全球濺射靶材市場中佔得一席之地。
  • 磁控濺射合金靶材上市公司
    磁控濺射合金靶材上市公司在半導體濺射靶材方面,國內與國際差距主要在濺射靶材上遊材料(超高純原材料方面)與服務於集成電路先進位程的新產品。針對以上兩大差距,UVTM有自身優勢,多年在材料研發和應用上的積累,使得UVTM在濺射靶材行業上迅速崛起:技術與工藝覆蓋從原材料提純、加工、生產製造到成品靶材的全過程,擁有垂直產業鏈;在集成電路先進位程前道工藝所需要的新材料產品方面已經取得一定成績。UVTM還提供矽材料等,矽靶材和晶圓的直徑可達18英寸。目前,矽晶圓主流尺寸為8英寸、12英寸,全球極少數企業可以做到18英寸。