乾明 邊策 發自 凹非寺 量子位 報導 | 公眾號 QbitAI
「Hello, World！I am RV16XNano, made from CNTs」.「你好，世界！我是 RV16XNano，由碳納米管制成。」
這句話，出自MIT研究團隊發明的16位碳納米管晶片執行的程序。
是的，你沒有看錯，他們用與矽相同的製作工藝，基於碳納米管做出了具有完整架構的晶片，還與世界打了招呼。
剛剛，Nature刊發了這一研究成果，並發表相應的新聞、評論進行重點推薦。
碳納米管，被認為是替代矽材料首選，而且比矽導電更快，效率更高。
從理論上來說，效率達到矽的10倍，運行速度為3倍，而僅僅只需要消耗三分之一的能源。
而且，它還有更加廣泛的用途。一些科學家認為，碳納米管也可以用來製作可注射入體內的微型晶片，或殺死人體內癌細胞的納米機器，前景不可估量。
但碳納米管也存在一系列設計、製造和功能上的問題，比如「瘋狂的成長「，很難將其放在特定的位置，使其發揮特定的作用。
在巨大的前景與潛力面前，這些問題正在被克服。
2013年，史丹福大學製造出了第一臺碳納米管計算機，只有178個電晶體。
現在，歸屬於MIT的研究團隊造出RV16X-NANO，有14000個電晶體。
6年提高近80倍，速度是摩爾定律的5倍。
在接受Nature雜誌採訪時，上海交通大學的孫亞男教授表示，「這項工作向前邁出了一大步，更接近於商用晶片。」
科技媒體ArsTechnica也給出評論，說這是一項令人印象深刻的工作。
相對來說，網友給出的評論則沒有那麼克制：
This is a stunt - but it’s a pretty cool stunt這是一個絕技，而且是一個非常酷的絕技
「馴服」碳納米管
雖然相比矽晶體有很多優點，但是用碳納米管來製作晶片存在著許多問題。
首先，雖然碳納米管是一種半導體，但它的製造過程需要用到金屬，由此製造的碳納米管不可避免地會混入金屬雜質。如果要獲得淨化的半導體版本，需要將純度水平在提高到99.999999％，在當前的技術條件下幾乎是不可能的。
而且，碳納米管不會自然形成p型或n型半導體。在矽中，這些特性是通過摻雜少量其他元素來實現。但碳納米管非常小，難以摻雜。
另外一個問題是，製作電子元器件需要將納米管放置在極其精確的位置上。科學家們現在還沒有掌握讓它們在特定位置生長的方法。因此不得不分別製作，然後讓它們沉澱在表面上。
不幸的是，這個過程通常會產生一個隨機取向的納米管薄膜，由大量碳納米管聚集而成，並且其中會混入一些金屬納米管。
MIT的研究人員和亞德諾半導體公司的科學家找到了解決所有這些問題的方法。
研究人員提出了一種名為DREAM的技術，把對碳納米管嚴格的純度要求放寬了大約1萬倍，這意味著純度達到99.99％即可製作晶片，這在目前的技術下是可行的。
製造碳納米管晶片首先是解決排列混亂的問題。研究人員製造了一個足夠大、具有金屬特徵的矽表面，可以保證納米管在金屬間隙之間生長。
為了去除聚集體，他們在納米管上沉積了一層材料，然後通過超聲將其破碎。這種材料會帶走聚集體，但不會使下層的納米管受到幹擾。
接下來，為了將納米管限制在需要的地方，研究人員只要將大部分的納米管蝕刻掉，留下需要的部分。
然後，研究人員使用原子沉積的技術將金屬氧化物附著再納米管上。不同的金屬氧化物性質不同，可以根據需要將納米管轉化為p型或n型半導體。這個過程類似於矽晶體的摻雜，而且可以有效地控制各個pn結的行為。
從電晶體到晶片
由此製造的元件被稱作碳納米管場效應電晶體（CNFET），與金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）類似，它是構建下一代計算機的基本單元。
晶片的功能由邏輯門的組合來實現，而通過CNFET的組合可以構造出邏輯門。
研究人員希望降低某些邏輯運算對金屬納米管的敏感度。因此他們修改了一個開源RISC設計工具來考慮這些問題，讓晶片設計中沒有對金屬碳納米管最敏感的柵極。
由此製造的晶片稱為RV16X-NANO，使用RISC-V架構的32位長指令。存儲器尋址限制為16位，功能單元包括指令獲取、解碼、寄存器、執行單元和寫回存儲器。
總體而言，RV16X-NANO使用了超過14000個單獨的電晶體，碳納米管產率為100%。也就是說，這14000個電晶體每個都有效，沒有一個報廢。
RV16X-NANO也是一個3D晶片，納米管層下面的金屬觸點用於在不同電晶體之間傳遞信號，而而納米管上方的單獨金屬觸點用於供電。
改進空間
RV16X-NANO晶片裡電晶體通道長度約為1.5微米，相當於矽晶片中的Intel 80386，這款處理器於1985年推出。
80386的運行頻率為16MHz，而碳納米管計算機最大頻率僅為1MHz。造成這種差異的原因在於電子元件的電容以及電晶體可以承載的電流量。
矽電晶體每微米寬度可承載大約1毫安的電流（1mA/μm），而碳納米管電晶體只能承載約6μA/μm的電流。這是在未來版本的計算機中需要改進的地方。
增加電流的第一步是減小電晶體溝道長度。2個碳納米管的溝道長度可以縮小到5nm。
第二步是將每個通道中納米管的密度從每微米10個增加到每微米500個。新的沉積技術可將這種網絡中的電流密度提升至1.7mA/μm 。
第三步是減小電晶體的寬度，從而減小源極和漏極的寬度，這將使電極更快地充電和放電。
6年前的團隊再出手
這一研究有兩個一作，分別是Gage Hills和Christian Lau；通訊作者為Max M. Shulaker；都來自MIT。
其中，Max M. Shulaker和Gage Hills是2013年第一臺碳納米管計算機研究成果第一作者和第二作者。當時，他們還在史丹福大學讀博士。
這次取得的進展，建立在這一研究的基礎上。
2016年7月，Max M. Shulaker加入MIT，擔任助理教授，繼續開展碳納米管相關的研究。目前，Gage Hills是MIT的博士後研究員，負責大部分晶片的設計工作。
Christian Lau，是MIT的碩士研究生，負責大部分晶片的製造工作。
此外，作者中還有兩位來自亞德諾半導體。據悉，這家公司是這項研究的支持方之一。
根據MIT的報導，Shulaker的下一步目標是將晶片推向現實世界。
他說，現在已經不是一個是和否的問題，而是何時的問題。
為了達到這個目的，他們已經通過美國DARPA的一個項目將技術應用到了矽晶片代工廠中，踐行研究。
至於碳納米管制成的晶片什麼時候能夠商用，沒有人能夠給出一個確切的時間。
但Shulaker表示，可能不到五年。
論文傳送門：
https://www.nature.com/articles/s41586-019-1493-8