「微觀領域」的專利侵權司法鑑定

文|王凱 資深智慧財產權司法鑑定人，北京京洲科技智慧財產權司法鑑定中心副主任，北京智慧財產權研究會副會長，中國智慧財產權研究會智慧財產權鑑定專業委員會副秘書長

在涉及專利侵權的司法鑑定中，需要對技術特徵是否相同或等同進行鑑定，進而判斷涉嫌/被訴侵權技術方案是否落入專利權利要求的保護範圍中。涉嫌/被訴侵權技術方案分為方法技術方案和產品技術方案，本文主要涉及涉嫌/被訴侵權的產品技術方案，論述「微觀領域」產品專利侵權的司法鑑定。

我們通常遇到的鑑定事項是「涉嫌/被訴侵權產品的技術方案中的相應技術特徵與專利權利要求保護的技術方案中的技術特徵是否相同或等同」或者「涉嫌/被訴侵權產品是否具有與專利權利要求中的某個技術特徵相同或等同的技術特徵」。

在進行此類司法鑑定時，通常採用下面三個步驟：首先，要對委託鑑定的專利權利要求進行分析和解讀，將權利要求準確合理地分解為若干技術特徵。專利法第五十九條規定「發明或者實用新型專利權的保護範圍以其權利要求的內容為準，說明書及附圖可以用於解釋權利要求的內容」，所以鑑定組應當結合說明書和附圖的內容對權利要求的技術特徵進行準確的解釋和分解；其次，要從涉嫌侵權產品中找到或分析出與權利要求中的技術特徵相對應的技術特徵。鑑定組應當組織與涉嫌侵權產品的技術領域相關的鑑定專家，通過拆解或檢測等手段對涉嫌侵權產品進行分析，從而獲得相對應的技術特徵；最後，將涉嫌侵權產品的相應技術特徵與專利權利要求中的技術特徵進行比對，判斷是否相同或等同。在這一步驟中，當兩者的技術特徵有較小差別時，應當特別注意對等同技術特徵的判斷，即，根據《最高人民法院關於審理專利糾紛案件適用法律問題的若干規定》，判斷涉嫌侵權產品中的技術特徵是否是與權利要求所記載的技術特徵以基本相同的手段，實現基本相同的功能，達到基本相同的效果，並且本領域普通技術人員在被訴侵權行為發生時無需經過創造性勞動就能夠聯想到的特徵。

在鑑定過程中，通常需要對涉嫌侵權產品進行拆解、觀察、測試才能獲得其技術特徵。在機械領域中，當涉嫌侵權產品是一臺機械設備或裝置時，可以將該設備拆解，觀察其內部部件的結構、形狀、連接關係，對各部件進行拍照或測量，獲得需要的參數、材料等詳細信息，從而分析出與專利權利要求中的技術特徵相對應的技術特徵。在化學領域中，當涉嫌侵權產品是某種化工產品時，可能需要對該產品進行化驗、化學分析，從而檢測出其成分、配比等與專利權利要求中限定的技術特徵相對應的技術特徵。

然而在半導體器件領域，器件的尺寸精度級別可能達到了微米級甚至納米級，半導體器件各層的結構和成分也十分複雜，像這種「微觀領域」的涉嫌侵權產品的技術特徵是無法通過一般拆解、普通觀察、簡單化驗這些常規手段來獲知的。那麼像這樣的專利侵權鑑定如何進行呢？或者說鑑定在這種侵權案件中起到了哪些作用呢？我們通過一個案例來簡要說明一下。

這是一個液晶顯示面板的訴前鑑定的案子，委託人向我中心提供了經公證購買的涉嫌侵權產品，即一塊某特定型號的液晶顯示面板，委託我中心對涉嫌侵權產品的相應技術特徵與其發明專利的獨立權利要求中的技術特徵是否相同或等同進行鑑定。獨立權利要求是這樣的（註：為避免透露具體案情，此處對權利要求進行了改寫）：

1、一種液晶顯示面板，其特徵在於，包括陣列基板（10）、彩膜基板（20）以及位於所述陣列基板（10）與彩膜基板（20）之間的液晶層（30），所述陣列基板（10）包括一第一基板（11）、配置於該第一基板（11）上的一數據線（12）及一掃描線（13）、以及一像素單元（14），所述像素單元（14）包括一薄膜電晶體（15）及一像素電極（16），所述薄膜電晶體（15）具有一柵極、一源極及一漏極，所述柵極與掃描線（13）電性連接，所述源極與數據線（12）電性連接，所述漏極與像素電極（16）通過過孔（17）連接。

相關附圖如下：

鑑定組將獨立專利權利要求的全部技術特徵分解如下（為了便於進行分析對比，將其技術特徵予以編號）：

A：一種液晶顯示面板；

B：液晶顯示面板包括陣列基板（10）、彩膜基板（20）以及位於陣列基板（10）與彩膜基板（20）之間的液晶層（30）；

C：所述陣列基板（10）包括一第一基板（11）、配置於該第一基板（11）上的一數據線（12）及一掃描線（13）、以及一像素單元（14）；

D：所述像素單元（14）包括一薄膜電晶體（15）及一像素電極（16）；

E：所述薄膜電晶體（15）具有一柵極、一源極及一漏極；

F：所述柵極與掃描線（13）電性連接，所述源極與數據線（12）電性連接；

G：所述漏極與像素電極（16）通過過孔（17）電性連接。

在進行技術特徵的比對之前，如何從委託人提供的液晶顯示面板中獲得與獨立權利要求中的技術特徵相對應的技術特徵呢？鑑定中心委託有資質有能力的檢測機構，對這塊液晶顯示面板進行拆解和檢測，根據檢測結果，分析出與權利要求技術特徵相對應的技術特徵。

在委託檢測機構進行檢測時，鑑定組必須與檢測工程師進行深入的溝通，向檢測工程師講解權利要求中的技術特徵的含義以及各種器件的結構和功能，並且與檢測工程師協商制定檢測方案，選擇檢測手段和檢測設備。

在半導體領域的檢測中，通常會用到以下檢測手段和檢測設備：

1

●

圖像顯微拍照

圖像顯微拍照就是對放置於顯微鏡步進臺上的特定層次樣品，按照一定規律進行步進，並對每個步進位置進行圖像拍攝的過程。

顯微鏡是顯微圖像採集系統的核心，其成像品質決定了整個系統的品質。常見的用於圖像採集的顯微鏡有光學顯微鏡（OM）和掃描電子顯微鏡（SEM）。

光學顯微鏡（Optical Microscopy，縮寫 OM）是利用可見光照射在樣品表面造成局部散射或反射形成不同的對比來成像，其理論解析度極限為0.2～0.3um。

掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy，縮寫 SEM）是利用細聚焦電子束在樣品表面掃描時激發出來的各種物理信號來調製成像的，主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形貌。掃描電子顯微鏡的極限解析度是2nm。

2

●

能量色散 X 射線光譜儀成分分析

能量色散 X 射線光譜儀（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy，縮寫 EDX），是利用電子束入射固體材料表面時產生的特徵 X 射線實現成分分析的，特徵 X 射線波長和原子序數有一定關係，測定這些特徵譜線的波長或能量可測定樣片的所含的元素。

EDX 成分分析存在誤差，在核實某一薄膜層成分時，應結合實際的工藝製造流程來區分幹擾元素、鄰近元素及組成元素。

在本案例中，通過鑑定人員與檢測工程師的溝通，針對公證購買的涉嫌侵權產品確定了如下檢測步驟：裂片分解-->平面分析-->縱切分析-->EDX成分分析。

其中，裂片分解是利用電鋸將液晶顯示面板進行切割，對切割下來的一小片面板進行製備以用於後續檢測分析；

平面分析是利用OM拍照和SEM拍照的手段，對液晶面板的像素單元的平面構造進行拍照和分析；

縱切分析是利用聚焦離子束（FIB）對液晶面板的陣列基板的特定部位進行切割，並利用SEM拍照的手段對陣列基板的多層結構的截面進行拍照和分析；

EDX成分分析是利用SEM拍照和EDX分析的手段，分析多層結構中的某層的成分。

通過上述檢測手段，結合鑑定人員的分析判斷，可以獲知涉嫌侵權產品中與權利要求技術特徵相對應的技術特徵。下面舉例說明：

示例1：專利技術特徵「液晶顯示面板包括陣列基板（10）」

檢測步驟和檢測結果：

在分析涉嫌侵權產品中與該技術特徵相對應的技術特徵時，檢測機構對裂片後的液晶面板殘片進行OM拍照，獲得下圖：

由圖4可知，涉嫌侵權產品的液晶顯示面板包括上基板、下基板。但是如何確定下基板是否為陣列基板呢？繼續對下基板正面和背面的局部進行OM拍照，獲得下圖：

鑑定組分析：

根據薄膜電晶體液晶顯示器的常識，陣列基板包括由水平的多條掃描線和豎直的多條數據線交叉限定的多個像素單元，這些像素單元排布成具有行列形式的像素矩陣，每個像素單元均含有一個薄膜電晶體（TFT）作為控制像素單元是否顯示的開關器件。

由圖6、圖7可知，下基板包含若干個像素單元，排布成具有行列形式的像素矩陣，每個像素單元由水平和豎直的金屬線（經驗證為掃描線和數據線）交叉限定。由圖8可知，每個像素單元均包含一個U形結構的器件。根據薄膜電晶體液晶顯示器的原理以及後續對該U形結構器件的縱切分析，鑑定組確定該U形結構的器件為薄膜電晶體（TFT），是用於控制每個像素單元是否顯示的開關器件。

在以上檢測圖像的基礎上，結合液晶顯示器領域的公知常識，鑑定組確定涉嫌侵權產品中的下基板為陣列基板。

因此，鑑定組分析涉嫌侵權產品包括「液晶顯示面板包括陣列基板」的技術特徵。

示例2：專利技術特徵D「所述像素單元（14）包括一薄膜電晶體（15）及一像素電極（16）」

在分析涉嫌侵權產品中與該技術特徵相對應的技術特徵時，「像素單元包括一薄膜電晶體」的技術特徵已經通過前面的檢測和分析得到了確認，那麼接下來要確定像素單元是否包括像素電極。

檢測步驟和檢測結果：

檢測機構對陣列基板（TFT基板）上的像素單元的局部沿A-A』線進行縱切，如下圖所示：

對縱切後的TFT基板的截面進行SEM拍照並對TFT的漏極局部進行SEM放大拍照，獲得下圖：

為了分析漏極部位（紅框所示）的各層的結構和成分，繼續對漏極左端部位進行SEM放大拍照，並用EDX-01至EDX-07標識各層，獲得下圖：

然後，根據液晶顯示器領域中陣列基板的常規構造，可以推測EDX-02層應為像素電極層。為了驗證和確認，對EDX-02層進行EDX成分分析，獲得下圖：

由EDX-02層的成分分析圖，可以得知該層的組成元素為In（銦）、O（氧）。

鑑定組分析：

在以上檢測圖像的基礎上，鑑定組認為，根據液晶顯示器領域的常識，像素電極是透明導電薄膜，整層形成在陣列基板上，在薄膜電晶體導通時像素電極接收漏極的電荷並與對面基板（彩膜基板）的公共電極形成電場，以驅動液晶旋轉進行顯示。像素電極通常由ITO材料（氧化銦錫）構成。ITO材料是一種透明導電材料，其化學成分及比例為In O :SnO =9:1。經EDX測量，EDX-02層的組成元素為In（銦）、O（氧）（由於Sn（錫）元素含量較少，通過EDX測量無法被測量出來），結合液晶顯示器領域公知常識，可以確定陣列基板上的EDX-02層為由ITO導電材料構成的像素電極。

綜上，鑑定組分析涉嫌侵權產品包括「像素單元包括一薄膜電晶體及一像素電極」的技術特徵。

示例3：專利技術特徵G「所述漏極與像素電極（16）通過過孔（17）電性連接」

檢測步驟和檢測結果：

在分析涉嫌侵權產品中與該技術特徵相對應的技術特徵時，檢測機構對陣列基板（TFT基板）上像素單元的局部沿A-A』線進行縱切，如下圖所示：

從圖8可以看到，靠近A端的圓形區域即是過孔區域。對縱切後的TFT基板的截面進行SEM拍照並對TFT的漏極局部和過孔區域進行SEM放大拍照，獲得下圖：

鑑定組分析：

鑑定組對上圖進行分析，根據前述薄膜電晶體的構造和對EDX-07層的成分分析，可以確認並標識出漏極；根據對EDX-02層的成分分析，可以確認並標識出像素電極，如下圖所示：

由上圖可以看出，漏極上面的部分絕緣層被去除以形成一凹坑（圖中紅線所示），該凹坑就是過孔。像素電極是ITO透明導電薄膜，在陣列基板製造工藝中，像素電極是整層沉積在像素區域中的，因此過孔區域的像素電極在沉積時通過過孔沉積在漏極上，從而與漏極電性連接。

因此，鑑定組分析涉嫌侵權產品包括「漏極與像素電極通過過孔電性連接」的技術特徵。

鑑定組通過檢測和分析，從涉嫌侵權產品中找到並分析出與獨立權利要求的全部技術特徵相對應的技術特徵，然後將涉嫌侵權產品和獨立權利要求中的相應技術特徵進行比對，如下面的技術特徵比對表所示：

專利獨立權利要求與涉嫌侵權產品技術特徵比對表

由上表可以看出，涉嫌侵權產品中的相應技術特徵與專利獨立權利要求中的全部技術特徵分別相同（在該案例中沒有出現等同或不同的技術特徵），至此鑑定組得出鑑定意見，完成了整個鑑定過程。

通過上面這個案例，可以看出「微觀領域」中的專利侵權司法鑑定有以下幾點需要注意：

1、鑑定組應當根據涉案的技術領域和涉嫌侵權產品中相關器件的尺寸範圍和精度，選擇具有相應檢測能力和檢測手段的檢測機構。

2、在檢測前，鑑定人員應當與檢測人員進行充分的溝通和探討，從而確定與專利技術特徵相對應的產品檢測方案，包括商定需要採用的檢測手段和所需的檢測設備。

3、在獲得檢測圖像或檢測結果後，鑑定組應當結合該技術領域中的知識，依據鑑定專家的經驗，從涉嫌侵權產品的檢測結果中分析和確定與專利權利要求技術特徵相對應的技術特徵。也就是說，鑑定起到了一種從檢測結果到涉嫌侵權產品技術特徵的橋梁的作用。這點尤其在爭議較大的技術特徵的確定中是更為重要的。

以上是「微觀領域」的專利侵權司法鑑定的一些思路和做法，歡迎大家批評指正。

（本文為授權發布，未經許可不得轉載）

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