P型半導體和N型半導體的形成

2021-02-13 設備管理諮詢站

半導體的導電原理

不含雜質的半導體稱為本徵半導體。半導體矽和鍺的最外層電子有四個,故而稱它為四價元素,每一個外層電子稱為價電子。為了處於穩定狀態,單晶矽和單晶鍺中的每個原子的四個價電子都要和相鄰原子的價電子配對,形成所謂的共價鍵,如右圖所示。

但是共價鍵中的電子並不像絕緣體中的電子結合的那樣緊,由於能量激發(如光照、溫度變化),一些電子就能掙脫原有的束縛而成為自由電子。與此同時,某處共價鍵中失去一個電子,相應地就留下一個空位,稱為空穴。自由電子和空穴總是成對出現的。

如果在本徵半導體兩端加以電壓,則會有兩種數量相等的運載電荷的粒子(稱作載流子)產生電流。一種是由自由電子向正極移動,形成的電子電流;另一種是空穴向負極移動形成的空穴電流,如右圖所示。空穴電流的形成好像電影場中,前排座位空著,由後排人逐個往前填補人,人向前運動,空位向後運動一樣。因此,在半導體中同時存在著電子導電和空穴導電,但由於這兩種載流子數量很少,所以本徵半導體導電能力遠不如金屬中的自由電子。

P型半導體和N型半導體的形成

如果在本徵半導體中摻入少量的雜質,半導體的導電性能將會大大的改善。在純淨的半導體矽(Si)中摻入少量的五價磷(P)或三價硼(B)元素,就構成了電子型半導體(簡稱N型半導體)和空穴型半導體(簡稱P型半導體)。

在純淨半導體中摻入原子外層有三個電子的硼元素。硼原子與相鄰矽原子形成共價鍵時,因缺少一個電子耳多一個空穴。如右圖所示每摻入一個硼原子就有一個空穴,這種半導體稱為P型半導體。在P型半導體中,空穴佔多數,自由電子佔少數,空穴是多數載流子。

同理在純淨的半導體矽中摻入原子外層有五個電子的磷元素,就形成了N型半導體。

相關焦點

  • 穩健的高性能n型有機半導體
    穩健的高性能n型有機半導體Robust, High-performance N-type Organic Semiconductors
  • n型有機半導體材料研究進展
    有機半導體是各類光電設備中非常重要的一種材料。然而n型有機半導體(電子傳輸)的開發遠遠落後與p型(孔穴傳輸)有機半導體。
  • 【科普】什麼是N型半導體和P型半導體?它們各有什麼特點?
    對於矽、鍺類半導體材料,摻雜磷、砷、銻等Ⅴ族元素,當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時,可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子,這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加,該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半導體,如ZnO、Ta2O5等,其化學配比往往呈現缺氧。
  • 什麼是N型光伏組件?和P型組件的差別在哪兒?
    提及光伏,你可能知道大概是太陽能發電,提及光伏電池,思路可能就卡住了,更別說N型和P型光伏組件了。那麼,什麼是N型光伏組件呢?光伏組件N型和P型差別在哪兒?首先,太陽能電池工作原理的基礎是半導體PN結的光生伏特效應。所謂光生伏特效應就是當物體受到光照時,物體內的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應。
  • 具有螢光的非經典噻吩醯亞胺類n-型半導體材料
    型半導體材料,該化合物表現出了較為優異的n-型半導體性能,並顯示出了較強的螢光。有機場效應電晶體(OFET)由於具有可溶液加工、柔性可摺疊、大面積製備等優點,在柔性顯示、可穿戴設備、電子皮膚和生物醫用等領域內有著廣闊的應用前景。與p-型有機場效應電晶體相比,n-型場效應電晶體在遷移率和空氣穩定性方面都有著較大的差距,並且目前具有高遷移率的有機發光材料也大都是p-型半導體,關於n-型的有機半導體發光材料報導還比較少。
  • 南科大郭旭崗團隊n型有機和高分子半導體材料研究取得系列成果
    由於電子器件中普遍存在的p-n結,高性能的n型和p型有機和高分子半導體對整個有機電子領域的發展都不可或缺。然而,相比於p型(空穴傳輸型)有機半導體,由於高度缺電子結構單元的缺乏、空間位阻效應及合成上的面臨的挑戰,對n型(電子傳輸型)有機半導體材料的研究較少,高性能的n型高分子半導體材料稀缺,發展高性能有機和高分子半導體是有機電子領域面臨的巨大挑戰,對推進有機電子領域的發展至關重要。
  • Chem綜述:高性能n型聚合物半導體: 應用、最新進展和挑戰
    n型有機半導體是幾種有機光電子器件所必需的,因為p-n結、互補的金屬氧化物半導體電路和電子傳輸中間層在這些器件中無處不在。
  • 上海有機所n型有機半導體材料研究取得重要進展
    p型和n型有機半導體材料對於OTFT的發展同等重要,因為由p型和n型OTFT共同構築的有機互補電路具有功耗低、操作速度快、噪音容限大等優點,可廣泛用於各種有機數字電路,是實現有機電子器件應用的基礎。然而,目前n型有機半導體材料的發展遠遠落後於p型有機半導體材料,具有高電子遷移率、空氣穩定、可溶液加工性質的n型有機半導體材料極為短缺,大大限制了OTFT相關的柔性電子器件及有機電路的發展。
  • P型和N型半導體的應用
    P型和N型半導體的應用
  • 南科大郭旭崗團隊n型有機和高分子半導體材料研究連發5篇頂刊
    由於電子器件中普遍存在的p-n結,高性能的n型和p型有機和高分子半導體對整個有機電子領域的發展都不可或缺。然而,相比於p型(空穴傳輸型)有機半導體,由於高度缺電子結構單元的缺乏、空間位阻效應及合成上的面臨的挑戰,對n型(電子傳輸型)有機半導體材料的研究較少,高性能的n型高分子半導體材料稀缺,發展高性能有機和高分子半導體是有機電子領域面臨的巨大挑戰,對推進有機電子領域的發展至關重要。
  • P型和N型半導體
    半導體其導電性能介於導體和絕緣體之間,並且很有意思的是它的導電性能很容易能夠被我們所改變。
  • 【文獻推送】N型半導體碲中外爾費米子的量子霍爾效應
    Ye課題組目前主要研究方向為半導體物理與設備、納米結構和納米加工、量子傳輸等,其中包括原子層沉積、高性能二維器件的集成、氧化物電子、寬禁帶半導體GaN和Ga2O3電子工業的研究。石墨烯的出現引起了人們對拓撲材料低能譜中相對論粒子性質研究的廣泛興趣。
  • 《Science》子刊:日本開發出史上性能最強大的n-型有機半導體!
    有機半導體(OSCs)是製造下一代有機電子器件的重要活性材料。然而,在電荷載流子遷移率和環境穩定性方面,n-型OSCs的發展落後於p-型OSCs。這是由於缺乏滿足要求的分子設計。近日,日本東京大學和國立高級工業科學技術研究所的Toshihiro Okamoto等研究者基於具有挑戰性的分子特性,包括一個π-電子的核心包含電負性N原子和取代基,介紹了n-型OSCs的設計與合成。
  • 半導體雷射器的結構和工作原理分析
    因此,價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用,統稱為載流子。(2)摻雜半導體與p-n結。沒有雜質的純淨半導體,稱為本徵半導體。如果在本徵半導體中摻入雜質原子,則在導帶之下和價帶之上形成了雜質能級,分別稱為施主能級和受主能級。有施主能級的半導體稱為n型半導體;有受主能級的半導體稱這p型半導體。
  • 半導體雷射器結構是怎樣的 半導體雷射器工作原理介紹【詳解】
    因此,價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用,統稱為載流子。  (2)摻雜半導體與p-n結。沒有雜質的純淨半導體,稱為本徵半導體。如果在本徵半導體中摻入雜質原子,則在導帶之下和價帶之上形成了雜質能級,分別稱為施主能級和受主能級。  有施主能級的半導體稱為n型半導體;有受主能級的半導體稱這p型半導體。
  • :有機半導體n-型摻雜的光活化突破熱力學極限
    在過去的十年中已經開發出了多種穩定的分子p-型摻雜劑並且已經成功地部署在器件中,分子n-摻雜劑的研究也很活躍。然而,由於某些原因,適用於低電子親和力(EA)材料的空氣穩定的分子n-型摻雜劑仍然是研究的難點。n-型摻雜涉及到通過還原劑向半導體材料的電子傳輸軌道提供電子。
  • 什麼是N型半導體?它(們)有什麼特點?
    N型半導體也被稱為電子型半導體,它(們)是自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。N型半導體靠電子導電,在半導體材料中摻入微量磷、砷、銻等元素後,半導體材料中就會產生很多帶負電的電子 ,使半導體中自由電子的濃度大大高於空穴濃度。摻雜、缺陷,都可以造成導帶中電子濃度的增高。
  • 【科普】太陽能電池是P型還是N型?
    還有太陽能電池是P型還是N型也許知道人就更少了。  一、太陽能發電原理  太陽能電池工作原理的基礎是半導體PN結的光生伏特效應。所謂光生伏特效應就是當物體受到光照時,物體內的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應。當太陽光或其他光照射半導體的PN結時,就會在PN結的兩邊出現電壓,叫做光生電壓。
  • :n型半導體Te中Weyl費米子的量子霍爾效應
    有鑑於此,近日,美國普渡大學葉培德教授團隊報導了半導體中Weyl費米子的首次實驗觀察。2D Te烯,具有手性晶體結構,可在導帶邊緣附近誘導出具有刺蝟般徑向旋轉織構的非常規Weyl節點。通過水熱法和隨後的介電摻雜合成了高質量的n型Te烯,並在量子霍爾順序中探測拓撲非平凡π Berry相。
  • 半導體的潛在物理過程
    這將矽變成了p型半導體:空穴的數量超過了自由電子的數量,電流的流動將主要歸因於正電荷的運動。因此,在p型半導體中,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。 我們還可以控制摻雜劑濃度,從而影響半導體的電性能。當半導體包含相對較高濃度的摻雜原子時,我們稱其為重摻雜。如果它包含相對較低濃度的摻雜劑原子,則將其輕摻雜。例如,場效應電晶體將重摻雜矽用作源極和漏極區域。    如果目標是製造有用的電子組件,那麼摻雜材料本身並沒有比原始半導體更好。但是,當我們將n型半導體與p型半導體相鄰放置時,一切都會改變,此結構稱為pn結。