古人云「工欲善其事，必先利其器」。
半導體產業亦如此：沒有能加工出人頭髮絲幾千分之一到上萬分之一尺度的微觀加工設備，就無法造出晶片。
作為科創板首批上市公司之一，中微公司生產的是晶片製造中最關鍵設備之一——刻蝕機。從獨立研發的刻蝕設備打破國際企業在國內市場壟斷，到成為全球MOCVD龍頭，再到刻蝕設備應用於全球最先進的5納米生產線，十五年來中微公司砥礪前行，用不斷的技術創新詮釋中國製造。
「信息產業的基礎是集成電路和各種微觀器件（包括晶片等）。隨著微觀器件尺度越來越小，研發和製造高端微觀加工設備，在人頭髮絲直徑的幾千分之一到上萬分之一的尺度上，加工複雜的微觀器件，成為最重要的、最關鍵的、最卡脖子的核心產業。中微公司以自主的創新和獨立的智慧財產權開發的等離子體刻蝕機已在國內外眾多客戶生產線廣泛應用，並核准加工14納米、7納米和5納米的最先進器件。同時，公司自主研發的製造氮化鎵基LED外延片的MOCVD關鍵設備，在眾多的LED生產線上已成為市場首選設備；展望未來，公司的各類刻蝕和薄膜設備均面臨了市場機會和繼續快速增長的空間。」中微公司董事長及總經理尹志堯在近期路演時介紹說。
7月22日科創板就將鳴鑼開市，中微公司本次定價及未來表現是近期熱議話題，安信證券研究中心總經理助理諸海濱接受證券時報e公司記者採訪時認為，中微公司是我國半導體設備企業中，極少數能與全球頂尖設備公司直接競爭並不斷擴大市場佔有率的公司，也是業界公認的後起之秀。其在A股具有稀缺性，加上高成長的預期，所以市場給出了高估值；未來主要關注業績能否保持高增長勢頭從而對公司估值形成有力支撐。
同時他建議，對科創板特殊企業的估值方式應多樣化，例如在半導體產業鏈中：1、晶圓製造類的重資產企業，更適合採用PB或者EV/EBITDA兩種相對估值法；2、輕資產晶片設計類企業，採用EV/Sale或者EV/EBITDA法可能更宜；3、上遊半導體設備/材料類企業，則更適合採用PS法（同時參考pe法）。
方寸間近乎極限的操作
無論是上個世紀90年代的「909工程」，還是2000年之後上海張江的集成電路產業爆發，每一代晶片人都身負理想、躊躇滿志，由尹志堯領銜的中微公司創始團隊亦如是。
時間回撥至2004年，在美國半導體領域已闖蕩20年的尹志堯帶領了一隻全球化團隊回國創業；尹志堯本人在上世紀80年代曾前往加州大學洛杉磯分校留學，並獲得物理化學博士學位；1984年至1991年，他先後在英特爾中心技術開發部、泛林半導體擔任要職；之後在應用材料工作了13年，歷任等離子刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁等；目前，尹志堯是89項美國專利和200多項其他海內外專利的主要發明人，也是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。中微公司的其他聯合創始人、核心技術人員中還包括杜志遊博士、倪圖強博士、麥仕義博士等在國際半導體設備產業耕耘數十年的頂尖專家，他們在參與創立中微公司後，不斷創造新的技術、工藝和設計。
在集成電路產業中，先進集成電路大規模生產線的投資可達100億美元，75%以上是半導體設備投資，其中光刻機、等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要、最大宗的三類設備。全球半導體設備市場一直主要由國外廠商主導，行業呈現高度壟斷的競爭格局，技術壁壘明顯。其中在刻蝕設備領域，2017年泛林半導體、東京電子、應用材料市場份額佔比已分別達到55%、20%、19%。
在成立伊始，中微公司就將目光瞄準了等離子體刻蝕設備領域。
何謂刻蝕？首先要了解「光刻」，其是利用光學—化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖型傳遞到單晶表面或介質層上；之後的步驟才是「刻蝕」，是用化學或物理方法有選擇地在矽片及外延材料表面去除不需要的材料的過程，這些化學物理反應在矽片上開槽打洞，形成令人嘆為觀止的微觀結構。
「一塊指甲蓋大小的晶片可集成幾十億個電晶體。這種微觀器件領域方寸間近乎極限的操作，對刻蝕機的控制精度提出極高要求。」上海本地半導體製造業內人士向證券時報·e公司記者談到，半導體設備技術門檻非常高，對一國集成電路產業的發展起著決定性的作用，可以說是全球尖端製造競爭的制高點。
2007年，中微公司首臺CCP刻蝕設備產品Primo D-RIE研製成功，由此邁開追趕國際先進水平的步伐。轉眼到了2015年，美國商務部宣布解除了對我國等離子體刻蝕設備多年的出口管制，原因就在於中微公司已開發出了與美國設備公司具有同等質量和相當數量的等離子體刻蝕設備並實現了量產。
多次智慧財產權訴訟未嘗敗績
之後，中微公司在薄膜沉積設備亦開始發力。2010年，中微公司開始研發用於LED器件加工中最關鍵的設備——MOCVD；到了2017年，公司逐步打破了維易科和愛思強兩家國際知名企業的壟斷。
崛起之路並非坦途，更何況競爭對手均為老牌國際巨頭。中微公司曾多次面臨競爭對手們在智慧財產權領域發起的訴訟。截止2018年末，在中微公司歷史上共涉及四起海內外智慧財產權訴訟案件，涵蓋2件專利案件和2件商業機密案件。最終公司未嘗敗績，在訴訟中均達成和解或勝訴，以事實證明了自身具有較堅實的智慧財產權地位和應對國際複雜的智慧財產權挑戰的能力。
這一結果與中微公司歷來在研發保持高投入密不可分。2016年-2018年公司累計研發投入10.37億元，約佔營業收入的32%。自設立至2019年2月末，公司申請了1201項專利，其中發明專利1038項，海外發明專利465項；已獲授權專利951項，其中發明專利800項。在研發人員方面，截至2018年末，公司共有研發和工程技術人員381名，佔員工總數的58%，涵蓋了等離子體物理、射頻及微波學、結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學等相關學科的專業人員。
如今，中微公司經過十五年的發展，所生產的高端刻蝕設備在國際市場上擁有了一席之地，等離子體刻蝕設備已在國際一線客戶（主要為晶圓廠）從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工製造及先進封裝中有具體應用。同時，公司的MOCVD設備在行業領先客戶（LED外延片及晶片製造商）的生產線上大規模投入量產，已成為世界排名前列、國內佔領先地位的氮化鎵基LED MOCVD設備製造商。
技術的突破和產品量產化正轉化為效益。財務數據顯示，中微公司2016年至2018年營業收入分別為6.1億元、9.72億元、16.39億元，年均複合增長率為64.00%；歸母淨利潤分別為-2.39億元、2991.87萬元、9086.92萬元。同時，公司預計2019年1-6月實現營業收入7.2-8.6億元，同比增長55%-85%；預計實現扣非後歸母淨利潤為2200-2600萬元，較去年同期的-4801.28萬元由負轉正。
談及刻蝕設備增長潛力，諸海濱認為，中微公司的刻蝕設備雖然在銷售規模上離全球半導體設備巨頭尚有一定差距，但其部分技術水平和應用領域已達到國際同類產品的標準，公司產品正獲得更多下遊客戶認可。2019年上半年預計扭虧轉盈就是一個良好的信號，未來市場份額有望進一步提升，盈利提升也有望保持。
劍指國際一流半導體設備公司
苦練內功之際，中微公司也正計劃藉助資本市場取得更快速發展。從3月29日科創板上市申請獲受理，到7月1日註冊生效，中微公司歷時僅93天，並成為25家科創板首批上市公司之一，將於7月22日（周一）迎來首批公司的上市儀式。
對於國內硬核科技企業的代表，資本市場給出了高估值：發行價確定為29.01元/股，對應市盈率為170.75倍（按2018年扣非前歸母淨利潤除以發行後總股本），對應市銷率為9.47倍，對應市值為155.16億元。對應募集資金為15.52億元（超過原計劃的10億元），擬投向高端半導體設備擴產升級項目、技術研發中心建設升級項目及補充流動資金。
對於上述定價結果，不乏估值是否過高的爭議。
多位受訪機構人士對證券時報·e公司記者給出了解讀。諸海濱認為，中微公司正處於高研發、高成長階段，刻蝕設備、MOCVD後續均需大量研發投入以突破更先進技術節點等，因此銷售收入增長速度相對而言能更好反映公司價值，所以PS比PE更適合對公司進行估值。本次發行價與A股可比公司在2019年的動態PS和PE估值水平基本相當。
海通證券的投價報告此前曾給出，中微公司每股合理價值區間24.30-31.41元，對應19年淨利潤PE區間為66-85x；PS區間為6.43-8.31x；而A股同行可比公司PE（2019）平均值在60.43x左右，PS（2019）整體位於在7.15x左右。
在一位曾參與詢價的上海本地機構人士看來，中微公司高估值主要基於兩點，一是稀缺性，二是業績高成長預期，按多家機構預測，2019年公司扣非前淨利潤增速仍將在100%以上。
「公司研發實力突出，市場預期也很高，但並非沒有風險，未來公司能否保持長期的市場競爭力、下遊晶圓廠和LED晶片製造商擴產是否符合預期等情況都需要進一步跟蹤。」該機構人士同時指出。
在獲得資本市場百億級估值後，未來目標在何處？展望未來，中微公司認為，公司將圍繞自身核心競爭力，通過自主創新、有機生長，結合適當的兼併收購策略，不斷推動企業健康發展，力爭在未來十年內發展成為國際一流的半導體設備公司。