全球首個無半導體的微電子器件問世 導電性能增加10倍

2021-01-18 電子產品世界

  近日,加利福尼亞大學聖地牙哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發出世界上首個無半導體的光控微電子器件,該電子器件僅在低電壓、低功率雷射的激發下,導電性能相比傳統增加10倍。該技術有利於製造更快、更高功率的微電子器件,並有望製造更高效的太陽能電池板。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201611/340267.htm

  該研究發表於11月4日的國際期刊《Nature Communications》。

  無半導體電子器件。圖片來源:UCSan Diego Applied Electromagnetics Group

  現有的傳統微電子器件,如電晶體等,其性能最終都會受到其構成材料性能的限制。例如,半導體本身的性質限制了器件的導電性或電子流。因為半導體有所謂的帶隙,這就意味著需要施加一定的外部能量來促使電子躍過帶隙。此外,電子速度也是有限制的,因為當電子通過半導體時,總是會與半導體內部的原子發生相互碰撞。

  UC San Diego電氣工程學教授丹·西文皮珀(Dan Sievenpiper)帶領的應用電磁學小組(AppliedElectromagnetics Group)探索了利用空間自由電子替代半導體的方法來克服傳統電子器件的局限性。該研究的第一作者易卜拉辛·佛拉狄(EbrahimForati)說:「並且,我們希望在微觀上實現。「

  然而,從材料中釋放電子的過程很有挑戰性。這個過程要麼需要施加高電壓(至少100伏特)以及大功率紫外雷射,要麼需要極高的溫度(超過1000華氏溫度),這在微米和納米級的電子器件上是不切實際的。

  無半導體微電子器件(左上)及其上的Au超穎表面(右上,下)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。圖片來源:UC San Diego Applied Electromagnetics Group

  為了應對這一挑戰,西文皮珀團隊設計了一個可以從材料中釋放電子的光電放射微型器件,並且釋放條件並沒那麼苛刻。

  該器件由矽片基底、二氧化矽隔層以及頂部一層稱為「超穎表面」(metasurface)的工程表面組成。超穎表面由平行的條狀Au(金)陣列以及其上的蘑菇狀Au納米結構陣列組成。

  Au超穎表面的設計目的是,當同時施加直流低電壓(低於10伏特)以及低功率紅外雷射時,超穎表面會產生具有高強度電場的「熱點」(hot spots),這些「熱點」的能量足以將電子從金屬中「拉」出來,從而釋放自由電子。

  器件測試結果顯示,其導電率增強了10倍之多。易卜拉辛說:「這意味著可以操控更多的自由電子」。

  西文皮珀說: 「當然,這並不會取代所有的半導體器件,但是對於某些特定應用來說,這可能是最佳方案,比如高頻率或高功率器件等。」

  研究者稱,目前這個特殊的Au超穎表面只是概念驗證性設計,針對不同類型的微電子器件,還需要進行不同超穎表面的設計及優化。研究者稱,下一步還需了解這些器件的擴展性以及其性能的局限性。」

  除了電子器件應用方面,該團隊還在探索這項技術的其他應用,例如光化學,光催化等,以期能夠實現新型光伏器件或環境應用器件。


相關焦點

  • 新型超穎材料:帶來無需半導體的微電子設備
    掃描式電子顯微照片 :無需半導體的微電子設備(左上),黃金超穎表面(右上和下面)。
  • 首個5微米的Ga2O3MOSFET問世
    首個5微米的Ga2O3MOSFET問世 胡薇 發表於 2018-11-20 14:24:34 半導體世界可能會有一個新的參與者,它以氧化鎵技術的形式出現。
  • 新型導電油墨問世,無需摻雜就具備極佳導電性能
    打開APP 新型導電油墨問世,無需摻雜就具備極佳導電性能 環球創新智慧 發表於 2020-03-22 21:11:09 一般來說,實現這一點,要麼是通過去除一個電子,要麼是向半導體材料加入一個摻雜分子,這種方法將提升電荷的數量,從而提升材料的導電性。 林雪平大學有機電子實驗室有機納米電子學課題組領頭人 Simone Fabiano 副教授表示:「我們通常是通過摻雜有機聚合物提升其導電性以及設備的性能。這種處理在一段時間內是穩定的,但是材料會退化而且我們當作摻雜劑使用的物質最終會逸走。
  • 盤點寬禁帶與超寬禁帶半導體器件最新進展
    盤點寬禁帶與超寬禁帶半導體器件最新進展 胡薇 發表於 2018-10-22 16:49:01 為紀念集成電路發明60周年,由中國電子學會、國家自然科學基金委員會信息科學部、中國科學院信息技術科學部、中國工程院信息與電子工程學部共同主辦的
  • 微電子所在新型FinFET器件工藝研究中取得突破
    近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究中取得新進展。  隨著主流FinFET器件工藝的持續微縮,其在柵控與性能提升上面臨越來越大的技術挑戰。
  • Light:彩虹半導體器件實現基於光譜投影的顏色感知
    當光通量固定時,器件電流與光子能量的關係取決於半導體材料的光吸收性能和光電轉換量子效率。通常,直接帶隙半導體的光吸收和量子效率隨光子能量的變化呈臺階狀變化,而間接帶隙半導體(如矽)的光吸收和量子效率隨光子能量變化的曲線是傾斜起伏的,這導致器件要麼不能提供足夠的關於光子能量的信息,要麼對光子能量的響應度也是起伏不定的。
  • 半導體材料知多少?SiC器件與Si器件性能比較
    SiC器件與Si器件性能比較 灰色天空 發表於 2012-12-04 10:23:44 SIC是什麼呢?相比於Si器件,SiC功率器件的優勢體現在哪些方面?
  • ...產業全球周報第52期:頭一份!國內首臺半導體雷射隱形晶圓切割機...
    國內首臺半導體雷射隱形晶圓切割機研製成功6月3日,中國長城科技集團股份有限公司在投資者互動平臺上表示,公司近日研製成功國內首臺半導體雷射隱形晶圓切割機消息屬實。但切割機業務暫無批量投入市場。今年5月,中國長城官方消息顯示,旗下鄭州軌交院與河南通用成功研製出我國首臺半導體雷射隱形晶圓切割機,填補國內空白,在關鍵性能參數上處於國際領先水平。
  • 功率半導體正迎來最好的「時代」,華潤微電子依託四大優勢加速產業...
    受益於此,國內功率半導體龍頭企業之一華潤微電子有限公司(以下簡稱「華潤微電子」)也正迎來自己的「高光時刻」。繼實現科創板上市目標之後,華潤微電子的下一個目標便是躋身全球功率半導體第一梯隊。國內功率半導體企業大有可為雖然從全球格局來看,全球功率半導體巨頭主要集中於歐洲的英飛凌、意法半導體,美國的德州儀器、安森美,以及日本的三菱等。
  • 3位獲諾貝爾獎提名的微電子器件華裔科學家
    集成電路的基本單元即各類半導體器件,例如電晶體、MOS 管,為現代電子技術奠定了基礎。許多微電子專家為半導體器件的發明和應用做出了傑出貢獻。在這些微電子專家和學者中,華人科學家起到舉足輕重的作用。本文介紹3位微電子器件領域的著名華裔科學家——施敏、薩支唐和鄧青雲在半導體器件的發明和應用以及育人方面做出的傑出貢獻。
  • 微電子所在器件物理領域取得重要進展
    傳統的三維半導體材料表面存在大量的懸掛鍵,可通過捕獲和散射等方式影響和限制自由載流子的運動,因此表面態的設計、製造和優化是提高三維半導體器件性能的關鍵因素
  • 半導體材料的性能分析及其應用
    因此,不同的材料具有不同的導電性質,相同材料在不同的外界環境中也表現出不盡相同的導電特性。常見的一些例子,本徵半導體,在日常溫度下,會有很高的電阻,不屬於良好的導體。我們向純度較高的半導體材料中添加雜質,隨著雜質的不斷加入,半導體的導電性受到影響,一般情況下,我們添加的雜質越多,半導體的導電性越差。N型半導體是一種雜質半導體,依靠電子進行導電,而P型半導體則是用空穴進行導電的。
  • 半導體導電特性
    半導體導電特性   (1)熱敏特性   隨著環境溫度的升高,半導體的電阻率下降,導電能力增強。   (2)光敏特性   有些半導體材料(硫化銅)受到光照時,電阻率明顯下降,導電能力變得很強;無光照時,又變得像絕緣體一樣不導電,利用這一特性可製成各種光敏器件。   (3)摻雜特性   在純淨的半導體中摻入某種合適的微量雜質元素,就能增加半導體中載流子的濃度,從而可以增強半導體的導電能力。
  • 鍺化矽材料導電特性的綜述
    鍺化矽材料導電特性的綜述摘要:從Si材料到化合物半導體再到SiGe,微電子領域應用對材料提出了很高的要求,而這些材料卻具有不斷優化的性能,SiGe在高速發射和集成方面有很大的進步,SiGe-HBT等新技術的實驗與開發為新材料帶來了非常大的應用空間。
  • 半導體龍頭股票有哪些_半導體龍頭概念股一覽
    半導體簡介   半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制,範圍可從絕緣體至導體之間的材料。
  • 清華大學微電子所錢鶴、吳華強團隊研製出人工樹突器件,實現新型...
    受生物神經系統中電化學動態過程啟發,該研究團隊通過材料體系遴選與器件結構設計,製備出了一種能夠模擬樹突功能的新原理器件,成功復現了生物樹突對信號的非線性過濾、積分以及對時間信號的處理方式。為了驗證人工樹突器件的計算功能,團隊還將所研製的人工樹突器件與基於導電細絲的突觸器件、基於莫特(Mott)相變的胞體器件進行集成,構建了包括突觸、樹突、胞體三種重要計算單元的新型人工神經網絡。
  • 科技自力是中華的優良傳統,第三代半導體率先突圍能否以點帶面?
    通俗來講就是半導體這種材料在常溫下跟幹木頭一樣會導電,但是在一定條件的刺激下,它又變成和金屬一樣導電,它對於我們現代乃至未來的日常生活都非常的重要。 半導體在過去主要經歷了三代變化,但就目前來說這三代半導體是共存的第一代,半導體始於上世紀50年代,以矽和鍺為主要代表,只帶了笨重的電子管,帶來了核心微電子工業的發展和整個it產業的飛躍,而矽由於其具有出色的性能和成本優勢,目前仍然是集成電路等半導體器件主要使用的材料,半導體工業也隨著摩爾定律而蓬勃發展,所謂的摩爾定律就是在價格不變的情況下,集成電路上可容納的元器件數目每隔
  • 微電子所等在器件物理研究中獲進展
    傳統的三維半導體材料表面存在大量的懸掛鍵,可通過捕獲和散射等方式影響和限制自由載流子的運動,因此,表面態的設計、製造和優化是提高三維半導體器件性能的關鍵因素。類似於三維半導體材料的表面態,單層二維材料(如二硫化鉬和石墨烯)在邊界原子的終止和重建可以產生邊界態,這使二維材料產生較多獨特的現象,並得到廣泛應用。
  • 微電子所在新型矽基環柵納米線MOS器件研究中取得進展
    由於在該方法中,納米線溝道由單晶矽襯底製作形成,導電溝道中材料晶格缺陷更少、界面質量更高。兩種高k金屬環柵納米線電晶體都表現出很好的器件特性,其中通過氧化製備的「倒水滴形」環柵納米線電晶體在16nm物理柵長(對應5nm及以下技術代)下,獲得器件亞閾值特性SS = 61.86 mV/dec 和DIBL = 6.5 mV/V,電流開關比大於1E8。
  • 相控陣雷達性能的基石:寬禁帶半導體
    現代電子產品的基礎是半導體器件,因此半導體器件的性能就決定了整個電子產品的性能,所謂半導體就是導電性能介於導體和絕緣體之間的物理器件。最開始時,人們對這些物質並不感興趣,後來才發現半導體的獨特性能,有導體和絕緣體不可替代的優勢。