國際著名半導體器件物理學家、中國科學院院士、電子科技大學教授...

2020-11-22 四川新聞網

　　國際著名半導體器件物理學家、微電子學家，中國科學院院士，IEEE Life Fellow，九三學社社員，電子科技大學教授陳星弼先生。

　　四川新聞網成都12月5日訊（記者 陳淋）國際著名半導體器件物理學家、微電子學家，中國科學院院士，IEEE Life Fellow，九三學社社員，電子科技大學教授陳星弼先生，因病醫治無效，於2019年12月4日17時10分在成都逝世，享年89歲。

　　陳星弼先生1931年1月28日出生於上海，祖籍浙江省金華市浦江縣。1952年畢業於同濟大學電機系。畢業後在廈門大學電機系、南京工學院（現東南大學）無線電系擔任助教。1956年到成都電訊工程學院（現電子科技大學）任教。1983年任成都電訊工程學院微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。曾先後在美國俄亥俄大學、加州大學伯克利分校、加拿大多倫多大學作訪問學者

　　陳星弼先生是我國第一批學習及從事半導體科技的人員之一，是電子工業部「半導體器件與微電子學」專業第一個博士生導師。他是國際著名的半導體器件物理學家、微電子學家，是國際半導體界著名的超結結構（Super Junction）的發明人，也是國際上功率器件的結終端理論的集大成者。

　　陳星弼先生於上世紀五十年代末，在國際上最早對漂移電晶體的存貯時間問題作了系統的理論分析。七十年代，他在我國率先製造矽靶攝像管。八十年代以來，從事功率半導體器件的理論與結構創新方面的研究。在中國首次研製了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，並第一個提出了各種終端技術的物理解釋及解析理論。上世紀八十年代末他提出了兩種新的耐壓層結構，並作了唯一的三維電場分析。其中超結結構打破了傳統功率器件的矽極限，被國際學術界稱為「功率器件的新裡程碑」。

　　2000年以後，陳星弼先生的其它重要發明還包括高K電介質耐壓結構、高速IGBT、兩種多數載流子導電的器件等。他發表超過200篇學術論文和獲得授權中美等國發明專利40餘項，其中著名的超結髮明專利US 5216275被國際專利他引超過550次，並授權給國際主流半導體公司。他主持完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家「八五」科技攻關項目多項。獲國家技術發明獎及國家科技進步獎2項，省部級獎勵13項。曾任電子工業部第十三所專用集成電路國家級重點實驗室學術委員會主任委員、四川省科學技術顧問團顧問等。

　　因對我國功率半導體領域的突出貢獻，陳星弼先生於1999年當選為中國科學院院士。因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，他於2015年5月獲得IEEE ISPSD大會頒發的最高榮譽「國際功率半導體先驅獎」，成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年5月，因發明的超結器件成為國內首位入選IEEE ISPSD首屆全球32位名人堂的科學家。

　　陳星弼先生一生熱愛祖國，忠於黨的教育事業，追求真理，嚴謹治學，立德樹人，務實求真，謙虛善良，風趣幽默，展現了老一輩科學家的高尚品德和家國情懷。他熱愛電子科大，為學校貢獻了一生的智慧和全部熱情。他熱愛科學研究，熱愛學生，熱愛古典音樂，熱愛分享他的教育理念以及古典音樂的美妙。陳星弼先生的逝世是我國科技界、教育界、九三學社和電子科技大學的重大損失。電子科技大學沉痛悼念並深切緬懷陳星弼先生！

　　（圖片來自電子科技大學）

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