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北大承擔的國家重點研發計劃「氮化物半導體新結構材料和新功能...
、湖南大學、廈門大學、中國科學院半導體研究所、北京科技大學、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔的國家重點研發計劃「戰略性先進電子材料」重點專項「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目啟動會,在北京西郊賓館會議中心舉行。
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國家重點研發計劃「戰略性先進電子材料」重點專項「氮化物半導體...
「戰略性先進電子材料」專項項目——「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目課題中期檢查會議在北京西郊賓館會議中心舉行。會議現場科技部高技術中心副主任卞曙光、「戰略性先進電子材料」專項主管楊斌代表項目管理部門出席。
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...項目啟動,北大、清華等14家單位聯手發力第三代半導體氮化物研發
摘要:10月18日,由北大、清華等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目正式啟動。該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。集微網消息,2018年10月18日,由北京大學作為牽頭單位,聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目啟動會在北京舉行。(圖片來源:北京大學新聞網)該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。
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戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料...
近日,2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目啟動會在北京召開。項目牽頭單位清華大學相關領導、項目負責人及各課題負責人、項目諮詢專家、科技部高技術中心相關人員等參加了會議。
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「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子...
為積極有序推進「戰略性先進電子材料」重點專項「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目的組織實施工作,2016年10月23日此專項項目啟動會在北京順利召開。會議由科技部高技術研究發展中心指導,項目牽頭單位北京大學主持,共14家支持單位協辦召開。此次會議共有16家單位50位代表參加,項目負責人、北京大學王新強教授主持會議。
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第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術
與矽(Silicon, Si)、GaAs等半導體材料相比,第三代半導體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其中氮化物材料是第三代半導體材料中最引人矚目的材料,尤其是GaN(氮化鎵)基光電子器件在白光照明領域非常成功。然而藍光LED(發光二極體)的技術專利受制於歐美日等從事該行業較早的國家。
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...強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律...
近日,2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目啟動會在北京召開。項目牽頭單位清華大學相關領導、項目負責人及各課題負責人、項目諮詢專家、科技部高技術中心相關人員等參加了會議。
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「納米科技」重點專項項目「高性能中遠紅外半導體雷射器與探測...
2018年9月25日,國家重點研發計劃「納米科技」重點專項項目「高性能中遠紅外半導體雷射器與探測成像晶片及應用」和「多場耦合納米異質結構光電子器件的基礎研究」在北京聯合召開啟動實施會議。
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戰略性先進電子材料重點專項——「新一代有機電致發光材料與器件...
近日,2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項——「新一代有機電致發光材料與器件」項目啟動會在華南理工大學召開。項目牽頭單位華南理工大學相關領導、廣東省科技廳相關領導、項目負責人、課題負責人及參與單位代表、項目諮詢專家、科技部高技術中心相關人員等60餘人參加了會議。
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「戰略性先進電子材料」重點專項「聲表面波材料與器件」項目在聲...
近日,科技部高技術中心「戰略性先進電子材料」重點專項管理辦公室組織專家在無錫對國家重點研發計劃專項「聲表面波材料與器件」項目進行了現場中期檢查。專家組聽取了項目組工作匯報,現場觀看了樣品和研發生產現場,一致認為項目全面完成了任務書規定的中期研發內容和考核指標,在成果應用方面取得重要進展。
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聚燦光電:子公司與中國科學院半導體研究所籤訂新型氮化物智慧光電...
一、協議的基本情況 (一)協議籤訂的基本情況 為了促進新一代信息技術相關應用領域的科學研究與應用技術發展,以高性能新型氮化物光電器件與集成為主要對象,瞄準超越照明等創新應用領域,結合國家科技創新發展規劃中新型光電子器件與集成的前沿戰略需求,共同開展面向光通信的氮化物光電器件與集成研究。
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蘇州納米所在矽襯底InGaN基半導體雷射器研究方面取得進展
針對這一關鍵科學技術問題,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員楊輝領導的III族氮化物半導體材料與器件研究團隊,採用AlN/AlGaN緩衝層結構,有效降低位錯密度的同時,成功抑制了因矽與GaN材料之間熱膨脹係數失配而常常引起的裂紋
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蘇州納米所研製新型氮化鎵半導體雷射器
III族氮化物半導體是繼第一代Si、Ge元素半導體和第二代GaAs、InP化合物半導體之後的第三代半導體,通常又被稱為寬禁帶半導體。其為直接帶隙材料,禁帶寬度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之間連續可調,發光波長覆蓋了近紅外、可見光到深紫外等波段;其還具有發光效率高、熱導率大、化學穩定性好等優點,可用於製作半導體雷射器。
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中科院研製:新型氮化鎵半導體雷射器問世!
基於III族氮化物的半導體雷射器在雷射顯示、雷射照明、雷射通信、材料加工和雷射醫療等領域具有重要的應用,因此得到了國內外產業界知名企業和全球頂尖科研機構的廣泛關注。,有效利用III族氮化物材料中施主激活效率比受主高、電子遷移率比空穴大的特點,提出了一種新型GaN基雷射器結構:翻轉脊形波導雷射器(圖2),該結構的關鍵是將脊形波導從高電阻率的p側轉移到低電阻率的n側,可大幅降低器件的串聯電阻和熱阻,顯著降低工作電壓和結溫,從而有效提升器件性能和可靠性。
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矽襯底InGaN基半導體雷射器是個啥?
由於GaN材料與矽襯底之間存在著巨大的晶格常數失配和熱膨脹係數失配,直接在矽襯底上生長GaN材料會導致GaN薄膜位錯密度高並且容易產生裂紋,因此矽襯底InGaN基雷射器難以製備。該研究方向是目前國際上的研究熱點,但是到目前為止,僅有文章報導了在光泵浦條件下矽襯底上InGaN基多量子阱發光結構的激射。
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分析儀器助力半導體騰飛——「半導體材料及器件研究與應用進展...
2018年6月12日,「半導體材料及器件研究與應用進展」主題網絡研討會在儀器信息網「網絡講堂」欄目成功舉辦。本次會議旨在為全國在半導體及器件領域或有意在本領域從事研發、教學、生產的科技人員提供一個學術與技術交流的平臺,以促進我國半導體材料及器件領域的科技創新和產業發展。
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《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》研究報告
打開APP 《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》研究報告 李倩 發表於 2018-11-06 14:59:46 第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻
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盤點寬禁帶與超寬禁帶半導體器件最新進展
中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導體器件新進展》的報告。郝躍院士詳細講解了第三代半導體材料的優勢。這時候就需要在材料上下功夫。實際上學術界和產業界也一直在找尋新的半導體材料。第一代矽鍺工藝20世紀50年代就誕生了,之後磷化銦和砷化鎵工藝在80年代誕生,如今第三代寬禁帶與超寬禁帶半導體越來越得到重視,其中寬禁帶半導體商用化程度越來越高,包括氮化鎵、碳化矽等,而超寬禁帶半導體包括金剛石、氧化鎵和氮化鋁等研究也有了進展。
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非極性氮化鎵材料研究獲新進展
在國家863項目和中國科學院創新工程的支持下,中科院半導體研究所曾一平研究員帶領的課題,採用自行研製的HVPE氮化物生長系統,通過在m面藍寶石上磁控濺射生長薄層的ZnO緩衝層,進而外延生長獲得了非極性GaN厚膜材料,該材料具有較低的位錯密度
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寧波材料所突破氮化物螢光粉綠色低成本合成技術
由於能源的緊缺,目前全世界節能產品的研發和替代已經成為未來產業發展的趨勢,而日常生活中的照明和顯示器件佔據了電能消費的大部分份額,因此LED(光電二極體)半導體照明技術已經成為世界各地競相發展的焦點。