「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子...

2020-12-06 北京大學新聞網

為積極有序推進「戰略性先進電子材料」重點專項「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目的組織實施工作，2016年10月23日此專項項目啟動會在北京順利召開。會議由科技部高技術研究發展中心指導，項目牽頭單位北京大學主持，共14家支持單位協辦召開。

此次會議共有16家單位50位代表參加，項目負責人、北京大學王新強教授主持會議。專家組由甘子釗院士、郝躍院士、吳玲研究員、陳弘達研究員、何杰研究員、沈波教授、張榮教授、李晉閩研究員、羅毅教授、楊輝研究員、江風益教授、康俊勇教授、申德振研究員等校內外學者組成。北京大學科學研究部副部長韋宇致歡迎辭。科技部高技術研究發展中心材料處處長史冬梅在致辭中對項目的立項及會議召開表示祝賀，希望各參與單位按照科技部的指示，認真履行責任，明晰項目研究和管理各方的責權關係，保證項目順利實施。

史冬梅致辭

王新強教授詳細介紹了項目的立項情況、總體目標和實施方案，課題負責人黎大兵研究員、劉斌教授、孫錢研究員和張進成教授分別匯報了各個課題的實施方案。

高質量材料是第三代半導體光電子與微電子器件的根基。氮化物半導體及其量子結構具有大失配、強極化和非平衡態生長的固有特點，系統掌握其外延生長、應力缺陷、載流子輸運/複合及調控規律，攻克藍光發光效率限制瓶頸，突破高Al和高In氮化物材料製備難題，實現高發光效率量子阱和高遷移率異質結構，有助於實現顛覆性的技術創新和應用，為推動高性能氮化物半導體器件研究和產業化進程提供技術支撐，帶動電子材料產業轉型升級，並提高我國在第三代半導體光電子器件領域所佔全球的市場份額。

各個子課題的實施方案依託科技部高技術研究發展中心下發的《國家重點研發計劃重點專項相關政策和管理文件彙編》和《科技部高技術研究發展中心重點專項過程管理規則》，對各課題負責人的職責進行了明確和強化。

西安電子科技大學郝躍院士代表項目諮詢專家表達了對項目立項的祝賀，參會的各位專家就項目的實施、過程管理、項目的目標與技術路線提出了明確的諮詢意見，希望項目組充分調動科研人員的積極性、主動性和創造性，為我國第三代半導體光電子與微電子器件的發展作出貢獻。

郝躍院士發言

科技部高技術研究發展中心材料處項目主管楊斌在上午的總結髮言中介紹了2016年度國家重點研發計劃的項目部署情況以及新時期重點專項的管理特點與要求，強調了課題成員關係和經費實施細則對項目實施的重要性，要求各課題切實把握課題任務的財務、質量和宣傳三大工作，對項目執行中取得的重大進展及成果及時向社會公布，積極與國內外專家進行交流溝通。為了更好地推進項目目標的實現，他建議項目執行一到兩年進行中期檢查，邀請同行專家、項目成果主體用戶、項目諮詢專家及國外專家進行評估，根據評估結果完善後續的項目研究計劃。

2016年10月23日下午，各課題根據上午的會議精神舉行了分組會議，進一步明確了項目實施過程中的階段任務、實施方案及經費分配等問題，就項目的實施達成了互相合作的共識。各單位將強化計劃過程管理，及時公開項目成果，接受社會評估、監督，深入研究氮化物半導體及其量子結構在外延生長、應力缺陷、載流子輸運/複合等方面的物理規律，從根本上攻克藍光發光效率瓶頸，突破高Al和高In氮化物材料製備難題，實現高發光效率量子阱和高遷移率異質結構，真正實現顛覆性的技術創新和應用，為產業化和國際市場的開拓奠定堅實的基礎。

 
參會人員合影

 

編輯：安寧


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