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「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子...
為積極有序推進「戰略性先進電子材料」重點專項「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目的組織實施工作，2016年10月23日此專項項目啟動會在北京順利召開。會議由科技部高技術研究發展中心指導，項目牽頭單位北京大學主持，共14家支持單位協辦召開。此次會議共有16家單位50位代表參加，項目負責人、北京大學王新強教授主持會議。
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戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料...
近日，2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目啟動會在北京召開。 「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目旨在系統掌握氮化物半導體的外延生長、應力缺陷、載流子輸運/複合及調控規律，攻克藍光發光效率限制瓶頸，突破高Al和高In氮化物材料製備難題，實現高發光效率量子阱和高遷移率異質結構，為推動高性能氮化物半導體器件研究和產業化進程提供技術支撐，帶動電子材料產業轉型升級。
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第三代半導體產業的關鍵材料——SiC外延片研發產線通過驗收，由松山湖材料實驗室自主設計建設
SiC外延片是第三代半導體產業的關鍵材料。目前高質量的SiC厚膜外延技術被Cree（美國）、英飛凌（德國）、昭和電工（日本）等國際著名公司壟斷。大力發展SiC厚膜外延技術可彌補我們與國外的技術差距，避免在材料上形成新的「卡脖子」問題，為我國第三代半導體產業的快速發展提供有力支撐和保障。松山湖材料實驗室陳小龍研究員帶領的SiC及相關材料團隊克服諸多困難，歷經近兩年的努力，成功建設了一條SiC外延工藝研發產線。2020年7月29日，在實驗室科研項目管理部組織下，驗收專家組對團隊的外延設備及外延片質量進行了技術驗收。
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碳化矽:第三代半導體核心材料
碳化矽為第三代半導體高壓領域理想材料。第一代半導體以矽（Si）為主要材質。矽基功率器件結構設計和製造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，繼續完善提高性能的潛力有限。砷化鎵（GaAs）、磷化銦（lnP）等作為第二代化半導體因其高頻性能較好主要用於射頻領域，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體，因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化矽為材料的功率模塊具備低開關損耗、高環境溫度耐受性和高開關頻率的特點，因此採用碳化矽SiC材料的新一代電控效率更高、體積更小並且重量更低。
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我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代。第一代半導體材料主要是指矽、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN，相比於第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
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中國晶片新篇(二):跨越式進擊,第三代半導體
「更寬的禁帶寬度」和 「更高的擊穿電場」前面我們已經解釋過了，更高的電子飽和速率，大家就可以理解為，用第三代半導體製造的電晶體，載流子漂移速度很高，他們的漂移速度高，電晶體完成通電和斷電的速度就更快，這意味著他們的頻率更高。
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第三代半導體材料之碳化矽(SiC)
碳化矽（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片，製作晶片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度矽），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化矽、氮化鎵） 。碳化矽因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。
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...項目啟動,北大、清華等14家單位聯手發力第三代半導體氮化物研發
「戰略性先進電子材料」實施周期為5年（2016 - 2020年），按照第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示、大功率雷射材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術方向，共部署35個研究任務。2018年，擬啟動5個研究任務10個項目。
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...記劉益春和「低維氧化鋅材料的載流子調控與功能化研究...
東北師範大學紫外光發射材料與技術教育部重點實驗室研究員徐海陽說，「低維氧化鋅材料的載流子調控與功能化研究」項目在信息、民用以及軍事領域等方面有著廣泛的應用，它可以給人們的生產生活帶來實實在在的影響。 徐海陽表示，他所工作的實驗室已在紫外發光材料與器件研究方面取得了多項重要進展，其中榮獲2015年國家自然科學獎二等獎的「低維氧化鋅材料的載流子調控與功能化研究」項目是最具成果的一項研究。 據項目帶頭人、東北師範大學校長劉益春介紹，氧化鋅是一種重要的第三代半導體材料。低維氧化鋅更因其優異的光電特性和新奇的物理性質成為材料科學前沿。
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【收藏】第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀
第一代半導體材料一般是指矽（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業的基礎。第二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業的基礎。
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盤點15家SiC和GaN第三代半導體相關上市公司
為了更直接和專業地了解第三代半導體目前的產業進展，對有相關業務的已上市公司進行了解非常有必要。但在盤點前我們需要先對第三代半導體有清晰界定，同時對於相關公司所在的環節和業務規模進行簡單分析才能不張冠李戴。
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深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上，SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
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華為旗下哈勃出手第三代半導體材料
以碳化矽、氮化鎵、氧化鋅為代表的寬禁帶半導體材料又被稱為第三代半導體材料。第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和率及更高的抗輻射能力，因而更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大於2.2ev），也被稱為高溫半導體材料。VtFEETC-電子工程專輯華為投資碳化矽龍頭企業山東天嶽在第三代半導體材料中，碳化矽似乎成為「新寵」。
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松山湖材料實驗室：自主設計建設的SiC外延片研發產線通過驗收
據化合物半導體市場了解，昨（13）日松山湖材料實驗室官方微信公眾號發布消息稱其自主設計建設的根據松山湖材料實驗室透露，這條自主建設的SiC外延片研發產線歷經近兩年的努力。7月底，驗收專家組對團隊的外延設備及外延片質量進行了技術驗收。驗收結果表示，該外延設備的生長速度可達30-60微米/小時。
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第三代半導體是怎麼變「燈」的?—新聞—科學網
——走進北京市第三代半導體材料及應用工程技術研究中心
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北大教授在利用彈性應變梯度調控半導體激子和載流子動力學研究上...
從原子尺度對半導體材料的電子能帶結構和載流子動力學進行人工裁剪和調控，對於設計新型光電子功能器件和提升現有半導體光電子器件性能，尤其是小尺度的納米光電子器件，具有十分重要的指導意義。 24，4707，2012），因此彈性應變工程被廣泛認為是另外一種可能用於人為調控半導體材料電子能帶結構和載流子動力學行為的重要手段。
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氮化鎵作為第三代半導體材料,或成5G時代的最大受益者之一
半導體技術在不斷提升，端設備對於半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找矽（Si）以外新一代的半導體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用於LED產品的氮化鎵（GaN），再次走入大眾視野。特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵代表的第三代半導體材料的快速發展。
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第三代半導體將寫入規劃,這些LED企業機會來了
摘要：以碳化矽為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視，不少半導體廠商已率先入局。不過，量產端面臨多重挑戰下，第三代半導體材料佔比仍然較低。未來政策導入有望加速我國第三代半導體產業發展，以期進一步把握主動。LED企業基於其自身對材料的理解，布局氮化鎵、氮化矽、砷化鎵等半導體材料行業，可以說是近水樓臺。
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第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術
第三代半導體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride， GaN）、碳化矽（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum Nitride， AlN）和金剛石等寬禁帶半導體材料。
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第三代半導體將迎大爆發?
特斯拉電動車裡有它，快速充電器裡也有它 第三代半導體將迎大爆發？ 日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化矽為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什麼不同？