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「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子...
為積極有序推進「戰略性先進電子材料」重點專項「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目的組織實施工作，2016年10月23日此專項項目啟動會在北京順利召開。會議由科技部高技術研究發展中心指導，項目牽頭單位北京大學主持，共14家支持單位協辦召開。此次會議共有16家單位50位代表參加，項目負責人、北京大學王新強教授主持會議。
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...強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律...
近日，2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項—「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目啟動會在北京召開。 「大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律」項目旨在系統掌握氮化物半導體的外延生長、應力缺陷、載流子輸運/複合及調控規律，攻克藍光發光效率限制瓶頸，突破高Al和高In氮化物材料製備難題，實現高發光效率量子阱和高遷移率異質結構，為推動高性能氮化物半導體器件研究和產業化進程提供技術支撐，帶動電子材料產業轉型升級。
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國家重點研發計劃「戰略性先進電子材料」重點專項「氮化物半導體...
2020年9月21日下午，由北京大學作為牽頭單位，聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京郵電大學、西安電子科技大學、廣東省半導體產業技術研究院、華中科技大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、湖南大學、廈門大學、中國科學院半導體研究所、北京科技大學、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔的國家重點研發計劃
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「戰略性先進電子材料」重點專項「聲表面波材料與器件」項目在聲...
近日，科技部高技術中心「戰略性先進電子材料」重點專項管理辦公室組織專家在無錫對國家重點研發計劃專項「聲表面波材料與器件」項目進行了現場中期檢查。 該項目主要面對物聯網等領域的高性能無源傳感器的需求，實現其在複雜環境和極端環境的多類型傳感器集成應用；研發應用於4G、5G移動通訊終端濾波器的高性能壓電單晶襯底材料和換能器材料，實現高世代聲表面波濾波器的關鍵技術集成，建立高性能濾波器示範生產線。
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戰略性先進電子材料重點專項——「新一代有機電致發光材料與器件...
近日，2016年國家重點研發計劃戰略性先進電子材料重點專項——「新一代有機電致發光材料與器件」項目啟動會在華南理工大學召開。 「新一代有機電致發光材料與器件」項目旨在開發和完善自主智慧財產權的新一代有機發光材料／主體材料體系，使發光效率和壽命達到實用化的水平；掌握新一代有機發光材料的發光機制、構效關係、激發態過程及其調控規律，實現兼顧結構簡單、高效率、長壽命的新型器件結構，明確其內在物理機制和規律，為高性能材料和器件開發提供科學指導和解決方案；實現顯示器件的優化設計、集成和可控制備，使其處於國際先進水平。
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...重點專項「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」 項目...
、廣東省半導體產業技術研究院、華中科技大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、湖南大學、廈門大學、中國科學院半導體研究所、北京科技大學、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔的國家重點研發計劃「戰略性先進電子材料」專項項目——「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目課題中期檢查會議在北京西郊賓館會議中心舉行。
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...項目啟動,北大、清華等14家單位聯手發力第三代半導體氮化物研發
摘要：10月18日，由北大、清華等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目正式啟動。該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。集微網消息，2018年10月18日，由北京大學作為牽頭單位，聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目啟動會在北京舉行。（圖片來源：北京大學新聞網）該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。
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第一代、第二代、第三代半導體材料是什麼?有什麼區別
第二代半導體材料主要用於製作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是製作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。因信息高速公路和網際網路的興起，還被廣泛應用於衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。
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北大承擔的國家重點研發計劃「氮化物半導體新結構材料和新功能...
近日，由北京大學作為牽頭單位，聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、北京郵電大學、西安電子科技大學、廣東省半導體產業技術研究院、華中科技大學、中國科學院上海技術物理研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所
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【收藏】第三代寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀
第一代半導體材料一般是指矽（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業的基礎。第二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業的基礎。
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第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術
第三代半導體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride， GaN）、碳化矽（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum Nitride， AlN）和金剛石等寬禁帶半導體材料。
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華為旗下哈勃出手第三代半導體材料
以碳化矽、氮化鎵、氧化鋅為代表的寬禁帶半導體材料又被稱為第三代半導體材料。第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和率及更高的抗輻射能力，因而更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大於2.2ev），也被稱為高溫半導體材料。VtFEETC-電子工程專輯華為投資碳化矽龍頭企業山東天嶽在第三代半導體材料中，碳化矽似乎成為「新寵」。
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半導體被寫入「十四五」!中國先進半導體材料及輔助材料發展戰略...
第一代半導體材料 Si 和 Ge 奠定了計算機、網絡和自動化技術發展的基礎，第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）奠定了信息技術的發展基礎，而目前正在快速發展的第三代半導體材料碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、金剛石（C）等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代移動通信、新能源併網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子
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世界各國第三代半導體材料發展情況
由於第三代半導體材料具有非常顯著的性能優勢和巨大的產業帶動作用，歐美日等發達國家和地區都把發展碳化矽半導體技術列入國家戰略，投入巨資支持發展。本文將對第三代半導體材料的定義、特性以及各國研發情況進行詳細剖析。
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同光晶體完成A輪融資,推動第三代半導體襯底技術發展
從「零」起步到行業領跑者 同光晶體坐落在保定市高新技術開發區，是一家從事第三代半導體材料碳化矽襯底的研發公司。它主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化矽襯底，其中4英寸襯底已達到世界先進水平。
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半導體材料的演進情況
打開APP 半導體材料的演進情況 FPGA設計論壇 發表於 2021-01-08 17:25:23 第三代半導體材料行業是我國重點鼓勵發展的產業
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第三代半導體材料之氮化鎵(GaN)解析
第三代半導體材料崛起如今，半導體材料已經發展到第三代，逐代來看：第一代半導體材料以矽和鍺等元素半導體材料為代表。其典型應用是集成電路，主要應用於低壓、低頻、低功率電晶體和探測器中，在未來一段時間，矽半導體材料的主導地位仍將存在。
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我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代。第一代半導體材料主要是指矽、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN，相比於第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
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第三代半導體材料之碳化矽(SiC)
碳化矽（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片，製作晶片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度矽），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化矽、氮化鎵） 。碳化矽因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。
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第三代半導體材料是什麼?附股名單值得珍藏
由於傳統半導體製程工藝已近物理極限，「摩爾定律」演進開始放緩，第三代半導體是「超越摩爾定律」的重要發展內容。第三代半導體材料主要是以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源網際網路等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。首先我們先了解第三代半導體是什麼？