摘要：10月18日，由北大、清華等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目正式啟動。該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。
集微網消息，2018年10月18日，由北京大學作為牽頭單位，聯合清華大學、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所等14家單位共同承擔的 「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目啟動會在北京舉行。
（圖片來源：北京大學新聞網）
該項目是「戰略性先進電子材料」研發計劃的一個重點專項。
「戰略性先進電子材料」實施周期為5年（2016 - 2020年），按照第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示、大功率雷射材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術方向，共部署35個研究任務。2018年，擬啟動5個研究任務10個項目。
據悉，「氮化物半導體新結構材料和新功能器件研究」項目圍繞後摩爾時代信息領域對分立光電子和電子器件的需求，開展基於氮化物半導體新結構材料和新功能器件的研究，重點突破氮化物半導體的零維量子點、一維量子線和二維量子阱及其複合結構等低維量子結構的製備，深入研究低維量子結構中載流子的輸運/複合/躍遷及其調控規律，研製出單光子源、紫外紅外雙色探測器、太赫茲發射及探測器件和自旋場效應電晶體器件，形成具有自主智慧財產權的核心技術，為第三代半導體材料和器件的持續發展奠定基礎。
目前，以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）為代表的第三代半導體材料及相關器件晶片，具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優點，廣泛應用於新能源汽車、軌道交通、智能電網、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術。郝躍院士曾表示，氮化物材料體系總的發展態勢非常良好，首先在光電LED領域已經取得了巨大成功；微波電子器件領域開始得到了廣泛應用，尤其是在移動通信領域和國防領域（雷達、電子對抗、衛星通信等）。但由於我國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比還有差距，我國在 SiC 和 GaN 材料的製備與質量等方面亟待提升。