LLNL前沿論文:培育鑽石可用於超寬禁帶半導體

2021-01-09 鑽石觀察

▲ Knowledge is Power

今天講的這個事兒,可能很多人都不怎麼明白,但對於人類的發展來說卻是一個非常重要的信息。

我儘量用通俗的語言表述一下。

美國有個很有名的實驗室,叫「勞倫斯利弗莫爾國家實驗室」(Lawrence Livermore National Laboratory,簡稱 LLNL )。這個實驗室隸屬於美國能源部的國家核安全局,由加州大學伯克利分校物理學教授歐內斯特·勞倫斯(諾貝爾獎得主)、愛德華·泰勒(氫彈之父)共同建立(1952年)。咱們熟悉的「化學元素周期表」上,第113-118號元素就是這個實驗室發現的。

我偶然發現,就在12月14號,LLNL的科學家在APL(Applied Physics Letters)上發表了一篇有趣但很複雜的論文,主要的觀點就是,高品質的CVD培育鑽石可用於「超寬禁帶半導體」,並將極大推動電網、機車、電動車行業的發展。

這個「超寬禁帶」是個啥玩意兒呢?科普一下:

在固體中,電子的能量值是不同的,而且都分布在不同的「能帶」上。有些電子被束縛了,叫做「價電子」;有些很自由地跑來跑去,叫做「自由電子」。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙,被稱為「禁帶」或「帶隙」,英文叫bandgap。價電子要成為自由電子,就需要額外獲得能量。這種能量,就是「禁帶寬度」。我們之前用的材料:矽(Si),禁帶寬度是1.12電子伏特(eV)。後來開發出了一些材料,增大了禁帶寬度,被統稱為「寬禁帶半導體材料」,可以達到2.3eV以上,比如碳化矽(SiC)。沒錯,就是莫桑石。講到這裡,「超寬禁帶」的意思,以及代表了什麼樣的技術,就不言自明了吧。

在半導體中,有三個因素很重要:

(1)載流子遷移率,說白了就是電子跑得快不快;

(2)擊穿場強,反映的是耐電強度;

(3)導熱性,這個比較好理解。

CVD技術的培育鑽石,作為高品質的單晶體金剛石,在上邊這三個方面的表現極其優秀。

LLNL的科學家Paulius Grivickas說:「我們通過對高純度的CVD鑽石進行鐳射處理,爭取能『定製』其中的載流子生命周期。」

嗯,他用的原文是「tailor」,就是定製的意思。

在半導體技術中,有一個關鍵的設備,叫「光導開關」(photoconductive switch),作用可以理解為「利用雷射脈衝進行觸發」。以前,光導開關的關鍵材料是矽,但是用矽做原材料的開關龐大且笨重。Paulius認為,用CVD鑽石做光導開關材料的話,「大概能縮到指甲蓋這麼大小」。

這篇論文真的不短,內容也很前沿,我在本文介紹的只是它的冰山一角而已。有興趣的小夥伴可以點擊「閱讀原文」查看。總之,LLNL的表態對於培育鑽石行業(尤其是CVD)的發展是有積極意義的。我們將繼續觀察,看看它能給人類的發展帶來什麼樣的驚喜。

鑽石觀察

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