日本產業技術綜合研究所(AIST,簡稱產綜研)2014年6月24日在「AIST光伏發電研究成果報告會2014」上宣布開發出了「Smart Stack」技術,可粘合由異種半導體構成的太陽能電池的pn層。利用該技術可在Si類和CIGS類太陽能電池上層積III-V族pn結,因此能夠以低成本製造高效率的太陽能電池。
開發該技術的是AIST光伏發電工程研究中心的先進多結器件小組。該小組製作了在CIGS類太陽能電池上層疊GaAs和GaInP雙結太陽能電池的發電元件,確認可獲得24.2%的轉換效率。
四結以上的多結太陽能電池由於晶格常數不同等原因,很難利用以往的晶體生長技術製作。因此,該研究小組開始開發不利用晶體生長,而是對分別製作的電池單元進行物理粘合的「Mechanical Stack」技術。
產綜研的Smart Stack技術也屬於這樣的技術。Smart Stack和Mechanical stack的最大的不同是,在粘合面以1×1010個/cm2的密度配置直徑為50nm的鈀顆粒。由此,無需像以前的Mechanical stack那樣對電子束和等離子的貼合面進行表面處理,所需的表面平坦性也由1nm以下大幅放寬到10nm左右。
具體來說,就是利用聚苯乙烯等高分子材料的自組織現象,在底部電池單元上以100nm的間距、基本等間距地配置鈀納米顆粒,然後通過等離子處理去除高分子材料。
接下來,剝離粘貼在這上面的頂部電池單元的基板,利用加重粘接法、即加壓粘接的方法與底部電池單元粘合。
此次實際試製了兩種太陽能電池。一種是GaInP、GaAs、InGaAsP、InGaAs四結太陽能電池,另一種是GaInP、GaAs、CIGS三結太陽能電池。
四結太陽能電池的底部電池單元是在InP基板上製作的InGaAs、InGaAsP雙結太陽能電池,頂部電池單元是在GaAs基板上製作的GaAs、GaInP雙結太陽能電池。剝離GaAs基板後,貼合兩個電池製作而成。太陽能電池的轉換效率在不聚光時為30.4%,電池單元的尺寸約為5mm見方。
三結太陽能電池的底部電池單元是在玻璃基板上製作的CIGS類太陽能電池,頂部電池單元是在GaAs基板上製作的GaAs、GaInP雙結太陽能電池。剝離頂部電池單元的GaAs基板後,貼合兩個電池製作而成。轉換效率為24.2%,據產綜研介紹,「(轉換效率)在採用這種組合的太陽能電池中為世界最高值」。
這些技術中,將GaAs基板剝離後可進行再利用。因此,尤其是後者的三結太陽能電池,能在實現高轉換效率的同時,把價格降到與低成本CIGS類太陽能電池相同的水平。
產綜研表示,今後的課題是「對電池單元尺寸較大情況下的基板剝離技術和加重粘接法進行優化」。(記者:野澤 哲生,《日經電子》)
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