中芯李序武 臺積電技術強到我每天都睡不好

2021-02-15 半導體行業聯盟

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中芯國際執行副總裁李序武表示，28納米製程除了第一家客戶高通(Qualcomm)量產，博通(Broadcom)和華為旗下海思28納米也會到中芯生產，大陸本地IC設計公司對28納米需求更是超強。但談到臺積電到大陸設12吋晶圓廠，李序武坦言「臺積電的實力強到我每天都睡不好！」

　　

　　李序武表示，中芯目前28納米製程良率很不錯，但仍是有改善空間，重要的是，高通願意作為第一家量產28納米製程的客戶，對於中芯高度肯定，目前量產的28納米是PolySiON製程，下一個目標是趕快將28納米的HKMG製程做出來。很多大客戶都在等待28納米的HKMG製程，一旦量產，海思和博通都會來中芯投產。

　　

　　除了這些國際IC設計大客戶之外，另一波絕對不容忽略的趨勢，是大陸本地IC設計公司對於28納米製程需求超強，很多本地IC設計客戶都說「只要中芯28納米HKMG就緒，隨時去投產」而這也意味著，其實來自客戶端的壓力逼得緊。

　　

　　近期在種種因素考量下，臺積電也將到大陸設立12吋晶圓廠，李序武表示，臺積電技術和競爭力超強，強到讓他每天都睡不好。也期許中芯在先進位程開發和良率驅動會更加一把勁。

　　

　　中芯日前宣布和高通、華為、比利時微電子(Imec)一起開發14納米FinFET製程，目前Imec已有一個團隊常駐在中芯廠內，但主要技術開發重任仍是要中芯努力，Imec只是要提供一些基礎技術和專利，李序武也表示，這確實可以讓中芯少走一些冤枉路。

　　

　　中芯在投入14納米FinFET製程之前，也評估過像是FD-SOI技術，這技術在2年前非常吸引人，雖然整體表現沒有FinFET製程好，但FD-SOI技術的優點是相較於現有製程改變不多，但最後還是走FinFET製程，主要是因為多數客戶都是需要FinFET製程。

　　

　　李序武也指出，中芯的14納米FinFET製程預計在2018年早期風險量產(RiskProduction)，此前中芯宣布的量產時間點是2020年。

　　

　　除了先進位程追著摩爾定律跑，在「超越摩爾定律」(MorethanMoore)布局上，看好智能型手機、物聯網(IoT)時代下MEMS感測器需求大爆發，據中芯規劃，2015年量產MEMS麥克風、慣性感測器(InertialSensing)，預計2016年量產壓力感測器等，一步步齊全MEMS感測器產品線全線技術。

　　

　　針對未來半導體技術，李序武也指出三大技術趨勢，第一是整合型晶片，如MCU+RF/Wireless、MCU+eNVM+RF/Wireless；第二是低功耗技術Ultra-LowPower；第三是3DIC/TSV/WLCSP等封裝技術。

　　

　　針對RF/Wireless晶片，中芯現以0.11微米、65/55/20納米製程技術生產，未來除了既有的0.11微米製程，以及65/55納米製程，也會轉進40/28納米製程技術；嵌入式存儲器EmbeddedNVM/MCU技術上，目前是以0.18/0/13微米LLeNVM技術為主，未來會轉進0.11微米和55/40/28納米ULLeNVM技術。

　　

　　在電源管理晶片PMIC產品上，技術會由0.18~0.13微米LG/LDMOS轉到65/55納米UltraEfficientLG/LDMOS；在影像感測器CIS上，目前以0.18~0.11微米、90~55納米製程為主，未來會轉到90納米～55/40納米3DCIS技術。

　　

　　目前中芯國際有四個生產基地，12吋晶圓廠以北京和上海廠為主，北京12吋晶圓一廠月產能3.7萬片，製程技術為0.18微米~55納米，二廠剛開始量產，未來會以先進位程40~28納米為主；上海12吋廠月產能為1.4萬片，製程技術也是鎖定45/40~28納米；其他8吋廠有上海、深圳和天津廠。

 

來源:Digitimes    

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