射頻、微波和毫米波應用數量的不斷增長導致了當今使用的射頻電晶體類型、半導體和配置數量的增長。隨著無線通信、衛星通信、雷達、傳感、測試和測量以及其他應用領域的競爭日益激烈，這些技術的未來發展也在持續。隨著越來越多的設備使用射頻/無線技術進行通信和感應，射頻電晶體技術將會更加多樣化。一些射頻電晶體類型、配置和半導體已經使用了幾十年，並且通常仍然用於某些特殊應用，而射頻電晶體技術的其他細微差別最近已經進入市場，並且正在實現新的應用。
本質上，射頻半導體技術有三類：小信號、開關和功率電晶體。某些射頻電晶體類型和半導體配置最適合某些應用，這就是配置如此多樣化的原因。小信號技術通常用於低噪聲信號處理和放大，其中功率電晶體用於高增益和高功率應用。開關電晶體用於快速設置導通/關斷狀態，瞬態性能降級因子極小。由於大多數射頻電晶體用於製造放大器，因此放大器主要分為三類：低噪聲放大器、增益模塊放大器和高功率放大器。
射頻電晶體類型
·雙極結型電晶體（BJT）
·異質結雙極電晶體（HBT）
·絕緣柵雙極電晶體（IGBT）
·高電子遷移率電晶體（HEMT）
·偽形態高電子遷移率電晶體（pHEMT）
·增強模式偽形態高電子遷移率電晶體（E-pHEMT）
·場效應電晶體（FET）
·結柵場效應電晶體（JFET）
·金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）
·金屬半導體場效應電晶體（MESFET）
·線性擴散場效應電晶體（LDMOS）
·垂直雙擴散場效應電晶體（VDMOS）
·矽雙極互補金屬氧化物半導體（Si BiCMOS）
射頻電晶體半導體
·矽（Si）
·絕緣體上矽（SoI）
·碳化矽（SiC）
·磷化銦（InP）、砷化銦鋁（InAlAs）或砷化銦鎵（InGaAs）
·砷化鎵（GaAs）或鋁砷化鎵（AlGaAs）
·氮化鎵（GaN）或鋁氮化鎵（AlGaN）
·矽鍺（SiGe）