PCIM展臺巡禮 | 全新1200V SiC MOSFET智能功率模塊

2020-12-09 電子工程專輯

1] N Kaminski: State of the art and the future of wide band-gap devices, 13th ECPCA 2009


[2] M Lee, M Baek, J Lee, D Chung: A New Smallest 1200V Intelligent Power Module for Three Phase Motor Drives, IPEC-Niigata 2018, DOI 10.23919/IPEC.2018.8507961


[3] D Peters, T Basler, B Zippelius, T Aichinger, W Bergner, R Esteve, D Kueck, R Siemieniec: The New CoolSiC™ Trench MOSFET Technology for Low Gate Oxide Stress and High Performance, PCIM Europe 2017


[4] K Peng, S Eskandari, E Santi: Characterization and modeling of SiC MOSFET body diode, APEC 2016, DOI 10.1109/APEC.2016.7468161


[5] D Heer, D Domes, D Peters: Switching performance of a 1200 V SiC-Trench-MOSFET in a low-power module, PCIM Europe 2016


[6] R. Keggenhoff, Z.Liang, A. Arens, P. Kanschat, R. Rudolf. 「Novel SOI Driver for Low Power Drive Applications」, Power Systems Design Europe, Nov. 2005

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