驅動篇 -- BJT電晶體應用

文章下載：

1、qq群文件

2、公眾號後臺發送信息 文章 獲取下載連結

 

一、原理介紹

晶體三極體中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電，故稱之為雙極性電晶體(BJT),又稱半導體三極體。

以NPN為例進行說明：

  

1、截止區。其特徵是發射結電壓小於開啟電壓且集電結反向偏置，對於共射電路，Ube≤Uon且Uce>Bbe,此時，Ib=0，Ic≈0；

2、飽和區。其特徵是發射結電壓大於開啟電壓且集電結正向偏置，對於共射電路，Ube>Uon且Uce<Bbe,此時，隨著Ib的增大，Ic增大不多或基本不變；

3、放大區。其特徵是發射結電壓大於開啟電壓且集電結反向偏置，對於共射電路，Ube>Uon且Uce≥Ube,此時，Ic=βIb。

 

二、應用說明

實際應用時，電晶體常作開關使用，放大電路使用集成電路。

此時，電晶體工作在截止區與飽和區。

截止區，Ic≈0，此時，P=Ic*Uce很小
飽和區，Uce深度飽和電壓很小，P=Ic*Uce相對也很小。

 

三、項目實戰

BJT電晶體是流控型器件，小電流控制大電流，與MOS管不同的是，電晶體的驅動電流Ib很小，對驅動源的要求很低，通常，單片機的IO口可以直接驅動。

BJT電晶體工作在飽和區時，儘管Uce很小，如果Ic很大，發熱還是蠻大，所以，常用作小功率器件驅動與大功率MOS管的前級驅動。

   1、驅動蜂鳴器

   

說明：BUZ為高電平，蜂鳴器工作。

 

  2、與PMOS組成電源開關

  

   3、圖騰柱驅動電路

   

 

工作說明：

1、PWM為高電平，Q4導通，Q3截止，U8的寄生電容Cgs通過Q2與R6放電，U8關閉；

2、PWM為低電平，Q4截止，Q2截止，12V電壓通過Q3給U8的寄生電容Cgs充電，U8導通；

3、R3為限流電阻，避免Cgs的充放電電流過大；

4、R6的作用：Cgs放電時，通過Q2與放電，只能放到0.7V左右，加上R6，就可以放到0V，確保關閉MOS；

5、此電路可以用於有刷直流電機的PWM調速；

 

四、小結

BJT電晶體是驅動電路常用的開關型器件，應用時需要讓電晶體工作在截止與深度飽和區。 

BJT電晶體涉及的知識點很多，本文只是簡要的介紹了下，僅僅起到拋磚引玉的作用，日後設計過程中，需要不斷的總結經驗，溝通交流，以達到真正的理解，靈活運用。

 

  

 

單片機產品實戰項目教學，開源項目，開發工具，技術資料以及更多原創技術文章，請關注微信公眾號。

講師：劉傑，軟硬體工程師，10多年單片機產品開發經驗。長期進行單片機實戰項目教學。