【突圍】於燮康：我國集成電路產業突圍已在路上；瀾起科技已布局研發DDR5內存接口晶片
1.DDR4全緩衝「1+9」架構被採納為國際標準，瀾起科技已布局研發DDR5內存接口晶片
2.江蘇華存：正在攻關12納米SSD主控
3.於燮康：我國集成電路產業突圍已在路上
4.年產200萬平方米高精密多層電路板，江西九江仁創藝電子項目開工
5.首次實現 「無漏電流」，大連理工團隊研發納米線橋接生長技術
6.研發新一代全光晶片，首位華裔澳大利亞科學院院士加盟上海理工大學
1.DDR4全緩衝「1+9」架構被採納為國際標準，瀾起科技已布局研發DDR5內存接口晶片
集微網消息（文/小如）6月3日晚間，上交所公布第三批上會企業名單。上交所披露，科創板股票上市委員會定於6 月13日召開第3 次上市委員會審議會議，審核瀾起科技等三家公司的發行申請。
瀾起科技主營業務是為雲計算和人工智慧領域提供以晶片為基礎的解決方案，目前主要產品包括內存接口晶片、津逮伺服器CPU以及混合安全內存模組。西南證券分析師陳杭在一份報告中稱，瀾起科技為「中國唯一打入國際主流伺服器」領域的核心晶片供應商。
根據招股書，瀾起科技在內存接口晶片領域經營十多年，成為全球可提供從DDR2到DDR4內存全緩衝/半緩衝完整解決方案的主要供應商之一。公司相關產品已成功進入國際主流內存、伺服器和雲計算領域，並佔據全球市場的主要份額。
該公司的內存接口晶片已成為全球可提供從DDR2到DDR4內存全緩衝/半緩衝完整解決方案的主要供應商之一。瀾起科技發明的DDR4全緩衝「1+9」架構被採納為國際標準，其相關產品已成功進入國際主流內存、伺服器和雲計算領域，佔據全球市場的主要份額。
此外，招股書顯示，目前瀾起科技根據內存模組製造商的研發進度，布局研發DDR5內存接口晶片，新一代產品能夠有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。（校對/小北）
2.江蘇華存：正在攻關12納米SSD主控
集微網消息，據南通市臺辦消息，江蘇華存電子科技有限公司正在攻關12納米SSD主控。
江蘇華存電子科技有限公司成立於2018年1月，總投資約1億元人民幣。其研發的40納米工業級嵌入式存儲HC5001，在一年之內孵化，各項指標均達到國際一流水平，打破了由三星、海力思等國際主流廠商在該領域的壟斷。
2018年11月21日，江蘇華存發布了HC5001存儲主控晶片及應用存儲解決方案。
HC5001兼具高兼容性和高穩定度，支持第5.1版內嵌式存儲器標準(eMMC5.1)、支持立體結構快閃記憶體材料(3D Flash)三比特單元(TLC)、支持隨機讀出寫入快閃記憶體高穩定度效能算法(FTL)、支持最新第三代快閃記憶體接口(ONFI3.2)、支持高可靠度低密度奇偶校驗碼糾錯驗算法(LDPC)，以及40nm工藝製程滿足了高效能低功耗的嵌入式存儲eMMC裝置硬碟。
目前華存已圍繞存儲器主控設計申請了184項專利，有10項已經獲得授權，其中美國專利8項。工信部公布2018年工業強基工程名單，存儲主控晶片設計示範項目，華存成為大陸唯一實施單位。（校對/小北）
3.於燮康：我國集成電路產業突圍已在路上
隨著中美貿易摩擦的升級，無論是從市場接受程度還是從未來的發展來說，都將對我國集成電路產業的發展帶來或多或少的負面影響。要知道，核心技術受制於人是我國集成電路產業大而不強的癥結所在。對此，中國半導體行業協會副理事長於燮康指出，從產業現狀來看，我國集成電路產業仍處於中低端水平，可靠性和品質與國外相比還有很大差距，需要從設備材料、晶片設計、製造及封測等環節全面突圍。但是對於正在尋求進口替代的中國集成電路產業來說，或許將成為最大的推動力。
眾所周知，集成電路產業是全球化分工，國際化發展的。因不確定因素增加和各方面限制，對於政府及民間投資和利用外資「雙輪驅動」的中國集成電路產業，今後的前進之路也會多一些崎嶇。也影響到中外技術的充分交流與合作，技術創新一定程度上會受到影響。我國的一些外向型半導體企業將受到境外訂單減少的不確定性影響，導致出口下降；進而代工企業的產線有放空的影響。在產業鏈無法完全補齊的情況下，生產工藝用的關鍵裝備、材料仍需國外供給，國產替代的邏輯在短期內很難完全實現。
於燮康強調，儘管未來發展的道路依然曲折，但長期來看，對於中國半導體業發展可能是一次極好的機遇，許多產業發展中的深層次矛盾會趁此次機會解決部分，甚至更多。由此我們對國產集成電路產業鏈的崛起依然充滿信心。
於燮康認為，我國集成電路產業突圍已在路上。在加速國產化基礎上構建國內供應鏈，形成較完善的自我配套能力，將會成為重要議題並加大力度進行實施。可以大大地推進集成電路生產供應鏈的國產化進程，尤其是推進國內終端應用半導體集成電路的國產化水平，大大提升集成電路生產企業的自我創新能力與積極性，並逐步形成良性循環。
支持國產EDA等關鍵工具軟體的研製，加快集成電路基礎平臺的建設，促進集成電路人才的培養。逼迫國產EDA等關鍵工具軟體加速進入大規模應用階段。同樣，集成電路產業的發展離不開基礎平臺和集成電路人才的需求，因此，政府應在集成電路基礎平臺的建設和人才培養上給予足夠政策，進一步保障集成電路的設計開發。
加大對集成電路重點領域和重點平臺的投入和政策扶持。尤其應大力度加大對人才的政策扶持，近幾年，我國集成電路產業在需求驅動下迎來了難得的發展機遇。在加大投資力度的同時，各地政府更應該聚焦關鍵技術及高端環節，集中力量實現我國集成電路產業實質性突破，避免跟風搶進與重複投資。
4.年產200萬平方米高精密多層電路板，江西九江仁創藝電子項目開工
集微網消息 5月31日，江西省九江經濟技術開發區2019年度第一批重大項目集中簽約、集中開工儀式在城西港區舉行。此次集中簽約和開工的44個重大項目，投資總額達182億元，涵蓋了現代裝備製造、電子信息、新能源、新材料、新業態等多個領域。
其中，本次開工項目包括深圳市仁創藝電子有限公司年產200萬平方米高精密多層電路板製造項目。
據九江政府網報導，該項目於2018年9月3日籤約，深圳仁創藝電子項目投資10億元，興建年產200萬平方米高精密多層電路板製造項目，建成達產後可實現年產值10億元。
深圳市仁創藝電子有限公司成立於2000年，起初是一家噴錫代工廠， 2006年全面導入PCB全製程生產。官網顯示，目前，公司廠房面積達10000平米，可月生產2-26層高精密電路板20000多平米。（校對/小如）
5.首次實現 「無漏電流」，大連理工團隊研發納米線橋接生長技術
集微網消息，日前，大連理工大學電子科學與技術學院教授黃輝團隊發明了無漏電流「納米線橋接生長技術」。
該項發明解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩定性問題，研製出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等。
相較於傳統體材料和薄膜材料，半導體納米線具有許多獨特優勢：大的比表面積可以提高器件的靈敏度，易於形變可以提升材料的集成能力，納米級的導光和導電通道可以製作單根納米線光子器件。此外，納米線優異的機械性能以及靈活多樣的結構，使其具有較好的柔韌性，且可形成芯包層和交叉網格結構。
黃輝表示，而與MEMS器件相比，半導體納米線的尺度縮小了1000倍，面積縮小100萬倍。因此，納米線是最小的器件，也是微納傳感器的理想選擇。
團隊研製出的集成納米線氣體傳感器——GaN納米線氣體傳感器，經檢測可在室溫下工作，8個月電阻變化率<0.8%，且NO2檢測限為0.5ppb，具有高穩定性、低功耗以及高靈敏度等特點。
北京郵電大學電子工程學院教授忻向軍表示，該技術首次實現了「無漏電流」GaN橋接納米線，研製出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感晶片的發展。（校對/小北）
6.研發新一代全光晶片，首位華裔澳大利亞科學院院士加盟上海理工大學
集微網消息，近日，中國工程院外籍院士、澳大利亞科學院院士、澳大利亞技術科學與工程院院士顧敏全職加盟上海理工大學，出任校務委員會執行主席。
圖片來源：上海理工大學
此前，他辭去皇家墨爾本理工大學副校長職務。與他一起回國入職上理工的，還有陳希、欒海濤、張啟明3位青年科研人員。
這個高水平團隊的科研領域是光學工程，他們將在上理工重點研究類腦全光學計算，為集成光電路和人工智慧產業提供新一代全光晶片。
與傳統的微電子晶片相比，光學晶片速度更快、能耗更低，是業界看好的新一代主流晶片。顧敏課題組在光碟上創造的9納米線寬世界紀錄，為研發這種晶片提供了「領跑」技術。類腦晶片，是要顛覆傳統計算機及其晶片的馮·諾依曼結構，通過模擬人腦結構和運行機制，讓計算機變得更智能、更節能。
根據顧敏的構想，上海有必要建立一個有上百名員工的科研機構，組織納米光子學、集成電路、人工智慧等領域的研發人員聯合攻關。上理工人事處處長姚儉說，為支持顧敏團隊探索前沿領域，校方正積極為其申報上海市高峰人才，在未來3年內擬投入科研經費、人員經費等約4800萬元，並取得上海市相關支持。
顧敏院士是首位華裔澳大利亞科學院院士、澳大利亞技術科學與工程學院院士。2017年當選為中國工程院外籍院士。曾任澳大利亞斯威本大學副校長及傑出教授、澳大利亞皇家墨爾本理工大學主管科技創新創業的副校長及傑出教授。他還是中國教育部長江學者講座教授，中國科學院愛因斯坦講席教授。（校對/小北）
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