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FinFET逐漸失效不可避免,英特爾研發全新設計的電晶體GAA-FET
5nm是核心工藝的重要節點 5nm先進位程已不僅僅是代工廠商之間的戰爭,它亦是核心工藝和半導體材料走到極限的重要轉折節點。 當晶片製程演進到5nm,它電晶體的集成度和精細化程度都要比以往更高,可容納更複雜的電路設計,並將更豐富的功能融入其中。
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國內某大學成功驗證實現3nm關鍵技術:GAA電晶體
tetednc近日,復旦大學微電子學院網站發布消息,該校周鵬團隊針對具有重大需求的3-5納米節點電晶體技術,驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道電晶體(GAA,Gate All Around,也譯作環繞柵極電晶體),實現了高驅動電流和低洩漏電流的融合統一,為高性能低功耗電子器件的發展提供了新的技術途徑。
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臺積電公布3nm電晶體密度達250MTR/mm2
隨著5nm工藝進入規模量產階段,臺積電也在第一季度的財報會議上首次披露3nm工藝節點的進展。按照臺積電官方的說法,第一代3nm工藝依然採用傳統的鰭式場效應管(FinFET)技術,GAA技術要在第二代3nm工藝上應用。
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FinFET是什麼? 移動14nm戰鬥正式開始
FinFET的鰭片結構精細複雜FinFET稱為鰭式場效電晶體(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體。閘長已可小於25奈米。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。Fin是魚鰭的意思,FinFET命名根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性。
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GlobalFoundries推出12nm FINFET新半代製程12LP
儘管距離下一個主節點7nm製程面世還有一年左右的時間,但是最近一段時期以來,各大廠商推出的半代節點製程數量可謂層出不窮,之所以會出現這種情況,很可能是7nm製程技術的成熟仍有待時日,因此為了滿足客戶產品差異化的需求,晶片製造商不得不對現有製程做些小改進,以便一方面讓"半代節點"這場數字遊戲更加師出有名,另外一方面也能在不做很大改進的前提下滿足一些新業務市場的需求.
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晶片裡面100多億電晶體是如何實現的?
對於柵極長度,在電晶體結構中,電流從源極流到漏極,並且柵極等效於柵極,即主要負責控制兩端的源極和漏極的通斷。電流將丟失,並且柵極的寬度決定了電流通過時的損耗。它顯示了手機的常見發熱和功耗。寬度越窄,功耗越低。澆口的最小寬度(澆口長度)是製造過程。縮小納米製造工藝的意圖是,可以在較小的晶片中插入更多的電晶體,以使晶片不會因技術進步而變大。
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三星Exynos官方點讚榮耀HONOR
不過,近日三星的一個神秘舉動或許為我們透露出一個關鍵信息。三星Exynos 108011月30日的時候,榮耀HONOR官方發布了一條「2020年的小目標,你完成了多少?」的微博投票,不少網友參與了本次投票活動。
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環柵型場效應電晶體(Gate-All-Around FET)
2011年初英特爾公司最早在22nm的第三代酷睿處理器上使用FinFET工藝[3],目前7nm工藝還將繼續使用FinFET技術,但在更小尺寸下需要配合使用EUV(極紫外)光刻技術。隨著摩爾定律延續至今,臺積電的7nm工藝已經量產,並運用到蘋果A系列和華為海思麒麟的980處理器上,5nm工藝預計將於2020年實現量產。
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IC Insights:電晶體數量增長趨勢繼續遵循摩爾定律
這也說明小米近幾年海外的擴張減少了它對中國市場的依賴;三星在本季度同比下降了1%。 另外,vivo這一本季度發布了多款5G智慧型手機,同時在印度市場的持續發力,故而這季度其智慧型手機全球出貨量首次超過OPPO,成為2019年第四季度世界第五大品牌。
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詳細解析,晶片裡面100多億電晶體是如何實現的?
晶圓代工廠就是根據晶片設計師設計好的物理版圖進行製造。晶片製造的兩個趨勢,一個是晶圓越來越大,這樣就可以切割出更多的晶片,節省效率,另外就一個就是晶片製程,製程這個概念,其實就是柵極的大小,也可以稱為柵長,在電晶體結構中,電流從Source流入Drain,柵極(Gate)相當於閘門,主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。
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IvB-E電晶體/核心面積官方公布
Intel將在本月的舊金山IDF 2013信息技術峰會上正式發布新一代發燒處理器Ivy Bridge-E。雖然性能比Sandy Bridge-E提升有限,但功耗、超頻都是亮點,而且兼容X79 LGA2011平臺,仍然值得高端玩家關注,特別是這次是原生六核心設計了,不再是八核心閹割而來。
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百億級別電晶體 高通驍龍888藏有什麼秘密?
在高通(Qualcomm)發布驍龍888處理器後,小米創辦人、董事長兼CEO 雷軍在微博曬出了驍龍888開箱圖,並表示它電晶體數量百億級別。百億電晶體不是一個小數目,Intel的桌面旗艦處理器酷睿i9-10980XE電晶體數量不過是70億個,那為什麼驍龍888需要如此之多電晶體,又藉此實現了什麼呢?
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雖然有差距,但中國正在加快先進5nm和7nm國產晶片的發展
處於領先地位的初創公司HSMC正在研發14nm和7nm技術。根據TrendForce的數據,中芯國際是中國最先進的代工企業,是全球第五大代工供應商,僅次於臺積電、三星、GlobalFoundries和聯華電子。在2019年,中芯國際最先進的工藝是28nm平面技術。相比之下,臺積電十年前就推出了28nm製程晶片。
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針對3-5納米節點,復旦學者實現圍柵多橋溝道電晶體技術
集微網消息,復旦大學官方消息顯示,近日,復旦大學微電子學院教授周鵬團隊針對具有重大需求的3-5納米節點電晶體技術,驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道電晶體(GAA,Gate All Around),實現了高驅動電流和低洩漏電流的融合統一,為高性能低功耗電子器件的發展提供了新的技術途徑
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2020-2024年電晶體行業深度市場調研分析
2016年,美國科學家將電晶體製程縮減到1nm,此技術是現階段最精尖的電晶體技術。2019年,中國科學院團隊研發出3nm電晶體。電晶體量產能力,三星也具有7nm電晶體量產能力,但產品性能與與國外相比,我國在電晶體技術研究領域的差距正在不斷縮小,但尖端產品量產實力依然較弱。 電晶體傳統應用領域主要集中在電子、通訊產業中。隨著科技不斷進步,汽車電子化程度不斷提升,汽車電子應用規模不斷擴大,特別是隨著新能源汽車產業蓬勃發展,汽車領域對電晶體的需求快速上升。
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爆料:三星 Note 20+ LTPO 顯示屏技術稱為「HOP」
IT之家6月16日消息 外媒SamMobile報導,消息人士稱,三星將允許(部分)Galaxy Note 20系列手機搭載可變刷新率的尖端LTPO顯示技術,會被稱為「HOP」。該綽號據說來自混合氧化物和多晶矽的名稱,而混合氧化物和多晶矽是三星精簡薄膜電晶體(TFT)背板的兩種材料關鍵。從概念上講,HOP對於LTPO TFT背板在智慧型手機上應用將具有重要意義。但是,蘋果和三星已經在智能手錶領域實現了這項技術的商業化,Apple Watch 4和Galaxy Watch Active 2都搭載了LTPO顯示技術。
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【洞察】電晶體市場前景廣闊 我國尖端產品量產能力較弱
此後,隨著半導體產業技術不斷進步,電晶體製程不斷縮減,2015年前後,14nm電晶體成為市場主流產品。2016年,美國科學家將電晶體製程縮減到1nm,此技術是現階段最精尖的電晶體技術。2019年,中國科學院團隊研發出3nm電晶體。 在全球市場中,電晶體領先生產企業主要是臺積電、三星、英特爾。
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一份寫給媽媽的電晶體介紹
於是我決定從電晶體開始,寫一些簡單的介紹,讓我的母親(和其他無專業背景的人一起),能夠對我所從事半導體行業有一點了解。1.電晶體長啥樣?就是下面這個小東西研究組成員根據這兩個指導思想,終於做出了一臺電子計算機--埃尼阿克(Eniac)。雖然Eniac運算速度不過幾千次,還比不上現在市面上最垃圾的山寨手機,但是卻體積龐大,耗電驚人。他有六個大象那麼重。
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三星8/7/6/5/4nm工藝齊登場
但是這幾年,Intel工藝陷入了停滯不前的底部,而臺積電、三星兩家卻銜枚疾進、你追我趕。雖然說移動SoC的工藝和高性能桌面伺服器CPU不完全相同,但是Intel面對的壓力可想而知。而且,這種壓力越來越大。金壇,三星堆未來工藝路線圖進行了全方位展望,8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、還有18nm FD-SOI悉數亮相。
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每平方毫米近3億個電晶體!臺積電3nm工藝挑戰摩爾定律
同時,其性能將提升5%,能耗降低15%,預計將於2021年下半年開始生產,2022年下半年實現量產。長期以來,臺積電和三星一直都在競相完善3nm晶片的生產設施,但由於今年新型冠狀肺炎病毒的爆發,雙方的完善進度亦受到了影響。據悉,三星3nm晶片的量產計劃也將從2021年推遲到2022年。