公司 14nm對決7nm：中芯國際(00981)比臺積電(TSM.US)差在哪裡？ 2020年8月11日 19:33:08 智通財經網
本文來自 微信公眾號「唯芯派」，文中觀點不代表智通財經觀點。
近日，中芯國際(00981)公布了截至2020年6月30日未經審計的第二季度財報。財報中顯示：
2020年第二季的銷售額為938.5百萬美元，相較於2020年第一季的904.9百萬美元增加3.7%，相較於2019年第二季的790.9百萬美元增加18.7%。
2020年第二季毛利為248.6百萬美元，較2020年第一季的233.6百萬美元增加6.4%，較2019年第二季的151.2百萬美元增加64.5%。
2020年第二季毛利率為26.5%，相比2020年第一季為25.8%，2019年第二季為19.1%。
從財報上看，中芯國際整體業績的表現還是很優秀的。
28納米工藝的「黃金線」
隨著半導體製造技術的進步，晶片製程越做越小，性能也在不斷提升。但並非所有晶片設計公司都會選擇最先進的半導體製造工藝。根據《2019集成電路行業研究報告》中的數據顯示，先進位程（28nm及以下工藝）佔據了48%的市場份額，而其它成熟工藝則佔據了52%的市場份額。如果將28nm工藝也視作「成熟工藝」的話，成熟工藝的市場份額就更大了。可以說，成熟工藝才是業界的主流。
在談28納米工藝之前，先提一下FinFET。FinFET（Fin Field-Effect Transistor）中文名為鰭式場效應電晶體，是一種新的互補式金氧半導體電晶體。FinFET的命名是根據電晶體的形狀與魚鰭的相似性，中芯國際的14nm工藝就使用了這種結構。
FinFET結構示意圖
FinFET結構的溝道區域是一個被柵極包裹的魚鰭狀半導體。從圖上源極到漏極方向上鰭的長度為溝道長度。柵極採用了包裹式的結構，這樣增強了柵的控制能力，對溝道提供了更好的電學控制，從而降低了漏電流，抑制短溝道效應。
通俗點說，如果把電流想像成水流，那麼圖上的魚鰭狀半導體就是一根水管，源極和漏極就是水管的進水口和出水口，而中間的柵極則是水管閥門。
對於電晶體來說讓它導通電流比較簡單，如何讓它在關閉的時候還不漏電才是難點。所以FinFET結構就是把溝道區域做薄來抑制漏電，就像是把水管做薄之後，中間的閥門只要輕輕一夾就能把水管完全關閉。
傳統的半導體製造技術很難製造25納米以下的工藝，FinFET結構就是為了解決這個問題而產生的。通常情況下製造25納米以下的工藝需要FinFET、FD-SOI或者其它更先進的技術。
使用FinFET可以讓晶片的性能變得更好，那麼對於沒有使用FinFET結構的28nm工藝和使用了FinFET的14nm工藝對比，是不是28nm工藝就不太好呢？
這要看評價角度了，評價一種半導體製造工藝的好壞並不能單單看性能、功耗。
▲數據來自《集成電路設計業的發展思路和政策建議》
根據《集成電路設計業的發展思路和政策建議》中的數據，14nm工藝開發成本遠遠超過28nm工藝。如果從成本角度看，使用了FinFET的14nm工藝在成本方面體現出了明顯的劣勢。
更何況不是所有的晶片都像CPU、GPU那樣需要極高的性能，很多晶片只是能夠實現特定的功能就可以了，由此看來28納米工藝是一款極具「性價比」的工藝。如果一個晶片項目對於性能有一定要求但不是很高，並且需要控制成本。那麼對於這類晶片來說，28納米工藝目前是一個非常好的「妥協點」。
7納米工藝的「高端圈子」
以臺積電(TSM.US)7nm工藝為例，臺積電的7nm工藝分為第一代7nm工藝（N7）、第二代7nm工藝（N7P）、7nm EUV（N7+）。其中N7和N7P使用的是DUV光刻，但為了用DUV製作7nm工藝，它還使用了例如沉浸式光刻、多重曝光等技術。而N7+則直接使用了EUV光刻。所以說這三種7nm工藝雖然在性能、功耗等方面表現優異，但成本都十分高昂。通常像華為、蘋果、AMD這樣的大廠才會使用。
數據來自臺積電
可以從數據中看出手機晶片和高性能計算晶片（例如CPU、GPU）一直在臺積電收入中佔據了過半的比重。
電腦晶片對於性能有著較高的要求，所以電腦晶片設計廠商更傾向於使用「高端」工藝。而對於手機晶片來說，除了性能，功耗也是十分重要的參數。特別是在當今電池技術發展緩慢的情況下，降低手機晶片的功耗可以大大提高手機的續航能力。因此手機晶片廠商也十分願意追捧「高端」工藝。
夾縫中的中芯國際14納米工藝
對於中芯國際14nm工藝來說，向上有性能壓制的7nm工藝，向下又有性價比極高的28nm工藝，這種情況對於中芯國際的14nm工藝來說並不太友好。
▲數據來自中芯國際
在今年第一季度的財報中，中芯國際14nm工藝收入佔比僅為1.3%,這種情況並不算太理想。
▲數據來自中芯國際
而在今年第二季度的財報中，中芯國際乾脆沒有公示14nm工藝的收入佔比，僅公示了14/28nm的佔比數據。
▲圖片截取自中芯國際官網
雖說過去確實有人將14nm工藝和28nm工藝都算作先進工藝，但在中芯國際官網上明確的將14nm工藝列為先進邏輯技術，而將28nm工藝列為成熟邏輯技術。更何況中芯國際之前的財報都是將14nm工藝和28nm工藝佔比分開統計，現在卻將一種「先進邏輯技術」和一種「成熟邏輯技術」強行放在一起統計，這種舉動顯然有些奇怪。不免會讓人認為中芯國際有意隱藏14nm工藝佔比數據，或者是讓14nm工藝的佔比數據更好看一些。
從目前的數據看，中芯國際14nm工藝的佔比在非常緩慢的爬升，而且會在未來相當長的一段時間內依舊保持一種較低的佔比，短期內無法成為盈利支柱。比起14nm，自家的28nm工藝收入佔比更高，而且爬升速度更快，這種性價比更高的成熟工藝更容易盈利。
「遲到工藝」的窘境
數據來自各公司公開信息
從表格中可以看出，不少晶片製造廠商集中在2015年推出14nm工藝，業界標杆的臺積電也是在2015年推出了水平與業界14nm工藝相似的16nm工藝。在那時候14/16nm工藝是業界頂級工藝，各大晶片設計廠商紛紛追捧。
▲數據來自臺積電
以臺積電的數據為例，其16nm工藝的收入佔比在以很快的速度下滑，而7nm工藝的佔比則在快速提升。由此可見14/16nm工藝的市場火熱程度已大不如前。
在2019年的時候中芯國際才推出14nm工藝，但此時業界頂級工藝已經開始向7nm工藝過渡。
(編輯：李國堅)