1. 有什麼軟體可以建一個催化劑顆粒？
回覆：法一：用ase.cluster模塊可以方便構建一些經典的納米顆粒。
https://kitchingroup.cheme.cmu.edu/blog/2014/12/22/Building-atomic-clusters-in-ase/
具體視頻可以看
https://www.bilibili.com/video/BV1554y1x7yc
法二：用MS也可構建，方法就是先建立一個比較大的bulk晶胞，unbuildcrystal把邊界去掉。然後不斷手動刪除部分原子。或者直接用鉛筆功能手動拉出來想要的團簇形狀再優化。
2.算CeO2的電子結構一定要加U嗎，鑭系這些
回覆：鑭系化合物(處於正價態)基本必須加，因為f軌道非常的收縮，電子相關效應很強，可以讀一讀文獻，基本都要+U。
3.請問IVDW=11和=12的區別是什麼？
回覆：兩個差不多都可以用
11是D3（有時候低估vdw） 12是D3BJ（有時候高估vdw）。
4.Fe4O6如果擴包，磁性排列如何簡便設置直接成擴包倍數嗎？
回覆：先擴包，再在VESTA觀察原子編號，按照自己想要的磁性排列一點點寫MAGMOM。
5. 請問用MS建顯式溶劑模型如何考慮溶劑模型z軸方向的高度,混合溶劑模型的建模怎麼建？
回覆：由水分子的個數決定，我們上課的例子是20個分子，可以自己調節。混合溶液用packmol，課程視頻裡詳細講過。
6. 請問氫質子吸附時，如何設置電荷？
回覆：改變NELECT，默認的數值在grep NELECT OUTCAR 裡讀取，重啟計算把總電子數減一。或者添加抗衡離子，如在下表面加一個OH。
7. 自己的機器24核48線程，應該怎麼設NCORE？
回覆：12或6，自己測試
8. 氧化物Al2O3上負載氧化物v2O7團簇，可以建模嗎？鈍化用OH，POTCAR還要用特別的贗勢嗎？
回覆：Gamma-Al2O3的要鈍化，其他看相似文獻可能不需要鈍化。V2O7直接用鉛筆功能一點一點拉出來就行。
9. wood標記法中新形成的（重構後的）表面旋轉45度或者30度怎麼確定？
回覆：通過基矢a的旋轉角度確定。
10. 團簇的原子數和構型是一般怎麼確定？
回覆：通過全局極小值搜索得到。比如模擬退火，ase，ssw，claypso，uspex都可以做。
如果粗糙點，多優化幾個構型看能量最低的。
11. spindensity怎樣算？可以直接讀取OUTCAR裡面的MAGMOM嗎？
回覆：ISPIN=2的任務，spindensity保存在CHGCAR文件裡，可以用vaspkit312功能提取。
12.0.75H的POTCAR怎麼得到的？和H的POTCAR有什麼區別？
回覆：這個贗勢是vasp贗勢庫裡自帶的，有很多。價電子數不同，帶有0.75個電子。具體視頻可以看：https://www.bilibili.com/video/BV1554y1x7yc
13. 構建異質結，如果A,B晶胞不太一樣，該怎麼調？
回覆：通過求算最小公倍數，比如A（a=2埃）B（a=3埃），就把A擴包3倍，B擴包兩倍。
如果夾角不一樣，先通過redefinelattice轉基矢。不是所有的兩個材料都能建立異質結的。
更為簡單的方法是用vaspkit，可以自動旋轉和取公倍數，給出合理的異質結模型：異質結建模
14. 非表面優化ISYM怎麼設置？
回覆：一般來說保持默認對稱性。用默認的ISYM參數即可
15.氧化物的切面，選擇O原子為暴露切面，那麼對於硫化物，硒化物，磷化物等，都是選擇氧，硫，磷等為暴露面嗎？
回覆：基本是這樣的，但是也有很多特例暴露金屬表面都有可能。
16. 表面鈍化，在酸性，鹼性溶液，水溶液中的鈍化基團一般是什麼？
回覆：這個具體情況要具體討論，不用的化學環境表面表露是不一樣的，在課程第三講中有。
17. castep優化需要設置最大位移，vasp需要嗎？
回覆：最大位移就是POTIM關鍵詞控制的，結構優化時候一般我們用默認0.5就可以了。
18.如果穩定表面和氣氛（氧分壓有關），那麼實際模擬應該怎麼選擇？根據實驗條件嗎？模擬不是在真空條件下嗎？怎麼模擬呢？
回覆：在第三講中，這個可以算，計算化學勢。如果實驗能給出結論就用實驗的結論。
19. 什麼情況下需要進行上下表面的偶極矯正，具體怎麼進行校正？
回覆：LDIPOL=T
IDIPOL=3
在第二講中，不對稱表面，按理說最好校正一下。
20.Si表面用贗氫飽和，也是那樣在MS中取鍵中間添加H原子，然後要優化嗎？優化後的結構再固定飽和H和底層原子，然後再算吸附計算嗎？
回覆：贗氫不用優化，直接把下面幾層固定住就可以了。具體操作看課程視頻。
21.水溶劑顯式溶劑模型中，水分子不會和固體的下表面有相互作用嗎？這樣是合理的嗎？需不需要在水溶劑之上再加一個真空層？
回覆：可以加，也可以不加，加真空層的目的是為了得到真空能級的，並不是為了避免和下表面的作用。在最後一講有詳細講中。
23. VASP如何計算同步輻射？
回覆：VASP6新版本可以算。教程為：
（https://www.vasp.at/wiki/index.php/XANES_in_Diamond）
24. 用MS怎麼構建合金表面的模型?比如NiCo(111)？
回覆：如果是原子間化合物這種規則排列的合金，直接在bulk模型裡從Ni金屬模型的基礎上，把一部分Ni換成Co再切面就可以了。
25. 切出來的表面吸附結構可以算能帶嗎？
回覆：可以算，但是沒啥意義，切完面的吸附結構主要討論DOS就可以。
26.計算表面生成能時，有的下表面需要加贗氫鈍化而上表面不用。這樣上下表面不一致，怎麼計算表面能？
回覆：贗氫鈍化以後這樣的沒法算表面能。只能鈍化前算，而且算出來的是上下表面的平均表面能，單獨的可能沒法算。
27. 單層MoS2切100面後，需要添加贗氫嗎？
回覆：不用。
28.橫向相接的異質結構如何建模？例如Cu111與CuO111,不是向MS裡建立層那樣縱向堆疊，而是兩個表面橫向相接，中間有一個界線?
回覆：這種的模型非常麻煩，要要在異質結的基礎上再添加一個橫向的真空層，但是這種模型很難算，可以參考這篇文章：（NatureChemistry volume11, pages222–228(2019)）。