「既然選擇了做科研，就要瞄準國家重大需求，腳踏實地，擇善而固執。」2019年度陝西省最高科學技術獎獲得者、中國科學院院士、西安電子科技大學學術委員會主任郝躍表示。
他以自身經歷，詮釋了科學家的責任與擔當。
「微電子不微。」這是郝躍常說的一句話。隨著信息科技的發展，以集成電路晶片為核心的微電子技術，不僅與我們的生活息息相關，更是國家核心競爭力的體現。新型氮化物半導體國際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導體材料。氮化物半導體器件在通信、電力系統、照明、生物、醫療，以及軍事領域具有十分廣泛的應用前景。
突破高質量的寬禁帶半導體材料，通過一系列微電子工藝技術做成寬禁帶半導體器件和集成電路，再把其推廣應用到生產生活各個領域，是郝躍及其團隊的責任和使命。
郝躍1982年畢業於西北電訊工程學院（西安電子科技大學前身），1998年獲國家科技進步獎三等獎，2008年和2009年分獲國家科技進步獎二等獎和國家技術發明獎二等獎，2010年獲「何梁何利」科學與技術進步獎，2013年當選中國科學院院士，2015年再獲國家科技進步獎二等獎。2019年他的團隊獲得了國家科技進步獎一等獎。
國內對寬禁帶半導體的研究，始於20世紀90年代中後期。那時候，相關領域的科學家和技術人員還很少注意到這類新奇的半導體材料。
「要尋找新的研究方向！」當時，郝躍敏銳地覺察到這一點。經過研究和考察，他果斷選擇了國際上剛剛起步的寬禁帶半導體材料與器件研究作為新的研究方向。
從1998年開始，在這個當時別人看來還是「冷門」的研究領域，郝躍帶領團隊堅持攻關，並為這一學科的建設不斷努力。郝躍和團隊相繼提出一系列具有創新性的高質量材料生成方法、新型半導體材料與器件結構的設想。在他的帶領下，團隊以基礎理論和機理研究為基礎，瞄準新的材料，以新材料推動器件發展，以器件發展推動應用，最終應用於國民經濟和國防建設。
2004年，寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室掛牌，這個專門的機構為更深入地進行科學研究提供了有力支撐；2005年前後，國內寬禁帶半導體產業開始發展之時，西安電子科技大學的寬禁帶半導體研究已經有了深厚的積累，出版了國內最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化矽寬帶隙半導體技術》；2007年，寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室獲批；2019年，國家工程研究中心建設獲批。
如今，以郝躍為學術帶頭人的寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室，已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地，引領我國寬禁帶半導體研究自主發展，服務產業工程應用。
在不斷突破寬禁帶半導體領域基礎研究的基礎上，郝躍及其團隊堅持服務國家重大需求。他主持的研究成果突破了氮化物半導體材料和核心設備、先進的氮化鎵微波和毫米波高功率、高效率電子器件，以及紫外和深紫外氮化鎵光電LED的核心技術；將氮化鎵微波功率器件的效率提高到了當前國際最高紀錄的85%，幾乎達到了半導體微波功率器件電能轉換的極限；攻克了氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術，實現了我國在該領域的重大突破。目前，這些成果在4G和5G通信的基站、先進雷達系統、電力電子系統、紫外醫療、彩色印刷固化等領域都得到了廣泛應用。
此外，團隊在人才培養、科研成果轉化等方面碩果纍纍。郝躍先後獲得國家級教學成果獎二等獎、陝西省教學成果獎特等獎、國家級教學成果獎一等獎。郝躍及其團隊獲得授權國際和國家發明專利近300餘項，並將科研成果轉化到多家企業，為我國新型半導體器件的產業發展作出了突出貢獻。
「我們要相信自身的實力，我們的目標還在更高更遠處！」郝躍經常這樣勉勵團隊成員。目前，郝躍及其團隊依然在為更低能耗、更優性能的半導體器件與集成電路晶片發展而不懈奮鬥。