可年產十萬片氮化鎵材料,麗水中科半導體材料研究中心超淨線安裝啟動

2020-11-30 華強電子網

可年產十萬片氮化鎵材料,麗水中科半導體材料研究中心超淨線安裝啟動

來源:麗水開發區集團公司 網絡綜合整理 作者: 時間:2020-11-13 15:30

氮化鎵 材料 麗水中科

 11月12日上午,麗水中科半導體材料研究中心有限公司舉行超淨線安裝啟動儀式。中科院半導體研究所副所長張韻等參加啟動儀式。

據了解,麗水中科半導體材料研究中心有限公司是麗水市政府和中國科學院半導體研究所共同建設的科研機構。

公司以第三代半導體產業研發為主,引進先進的關鍵核心設備MOCVD,可年產十萬片氮化鎵材料,計劃將在殺菌消毒用紫外LED、面向無人駕駛的毫米波通信以及射頻通信濾波器三個方向進行研發和產業布局。

目前研究中心已購置關鍵材料核心設備,未來將進一步孵化出三個產業公司,並以實現科創板上市為目標。

企查查顯示,麗水中科半導體材料研究中心成立於2019年12月,公司股東包括:麗水經濟技術開發區實業發展集團有限公司、張韻、中國科學院半導體研究所等。

據此前麗水網報導,麗水中科半導體材料研究中心先進半導體材料與晶片研究中心項目計劃12月投入研發使用。


相關焦點

  • 獨山中科晶元新型半導體材料生產項目點火投產
    原標題:獨山中科晶元新型半導體材料生產項目點火投產   2月4日,獨山中科晶元信息材料有限公司新型半導體材料生產項目正式點火投產,標誌著獨山新型材料產業發展邁出了關鍵的一步。
  • 三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股
    聚燦光電(300708):公司主要從事化合物光電半導體材料的研發、生產和銷售業務,主要產品為GaN基高亮度LED外延片、晶片。項目主要產品:Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片,項目總投資約350000萬元,其中固定資產投資約300000萬元(含設備投入270000萬元以上)。易事特(300376):2020年2月,公司在互動易平臺表示,易事特作為國家第三代半導體產業技術基地(南方基地)第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位,現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。
  • 深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
    在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上,SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比,GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
  • 氮化鎵(納米材料)了解一下
    這幾天的小米10發布,相信大家都發現了氮化鎵充電器,其實這款充電器在市場上已經賣了半年多了~氮化鎵充電器,屬於第三代半導體;第一代材料矽、鍺,第二代材料砷化鎵、磷化銦,那麼這第三代半導體材料則是氮化鎵、碳化矽、氧化鋅;第三代半導體材料更有耐高壓、適合更高頻率、實現更高功率密度等作用。它的作用僅僅是這個嗎?
  • 碳化矽VS氮化鎵,寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現彎道超車
    進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導體矽材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場後,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)——並稱為第三代半導體材料的雙雄。
  • 碳化矽VS氮化鎵,寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現彎道超車?
    第三代半導體材料在眾多方面具有廣闊的應用前景,隨著技術的進步,材料工藝與器件工藝的逐步成熟在高端領域將逐步取代第一代、第二代半導體材料,成為電子信息產業的主宰。  今天我們主要說的就是第三代寬禁帶半導體材料。
  • 三代半導體——氮化鎵
    氮化鎵(GaN),是由氮和鎵組成的一種半導體材料,因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料,在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到,氮化鎵比矽禁帶寬度大3倍,擊穿場強高10倍,飽和電子遷移速度大3倍,熱導率高2倍。
  • 化合物半導體材料——砷化鎵、氮化鎵、碳化矽(附個股名單)
    化合物半導體材料主要是由兩種或兩種以上元素形成的,主要有砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等。此類化合物半導體材料的優點有高電子遷移率、高頻率、寬幅頻寬、高線性度、高功率、材料多元性以及抗輻射等。
  • 碳化矽:第三代半導體核心材料
    碳化矽為第三代半導體高壓領域理想材料。第一代半導體以矽(Si)為主要材質。矽基功率器件結構設計和製造工藝日趨完善,已經接近其材料特性決定的理論極限,繼續完善提高性能的潛力有限。砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)等作為第二代化半導體因其高頻性能較好主要用於射頻領域,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體,因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化矽為材料的功率模塊具備低開關損耗、高環境溫度耐受性和高開關頻率的特點,因此採用碳化矽SiC材料的新一代電控效率更高、體積更小並且重量更低。
  • 華為小米都在追趕的半導體材料「風口」:氮化鎵何以成為行業新寵?
    通過有巨大網絡影響力的雷軍不遺餘力地宣傳,氮化鎵的熱度再度拔高。接著,華為在基站中棄用美國晶片,轉而使用「備胎」氮化鎵射頻PA的消息傳出,更是讓這種新貴材料的熱點不再限於充電器行業。人們對整個氮化鎵半導體行業的關注都開始上升。事實上,說氮化鎵材料是「新貴」不太貼切,事實上,早在30年前,這種材料就已經被用在半導體上。
  • 半導體:氮化鎵只有短線炒作機會
    趨勢行情下,只要有新的變革技術出來,便會被機構猛吹,近期半導體板塊的氮化鎵就是一個典型例子。氮化鎵(GaN)憑藉高頻低阻、高導熱、耐高溫等優勢,成為電子器件和射頻器件的潛在替換材料。而本次氮化鎵浮出水面,主要是小米新產品助推所致。理想狀態下,氮化鎵市場空間超百億,不算小,但面臨技術普及時間長、其他大廠不跟進等風險,短期看,該主題只有炒作機會。
  • 第三代半導體材料之氮化鎵(GaN)解析
    半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和集成電路的電子材料。相對於半導體設備市場,半導體材料市場長期處於配角的位置,其中半導體材料市場的60%都是晶片製造材料,以矽晶圓和光掩膜為主,此外還有溼化學試劑、濺射靶等。但隨著晶片出貨量增長,材料市場將保持持續增長。
  • 我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
    第一代半導體材料主要是指矽、鍺元素等單質半導體材料;第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵、銻化銦;第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN,相比於第一、二代半導體,其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率,在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
  • 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    圖片來源:小米 *本文不構成任何投資理財建議 近些年,由於第三代半導體材料的相關研究大多處於初級階段,圍繞其展開的各種爭論不絕於耳
  • 氮化鎵作為第三代半導體材料,或成5G時代的最大受益者之一
    半導體技術在不斷提升,端設備對於半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找矽(Si)以外新一代的半導體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用於LED產品的氮化鎵(GaN),再次走入大眾視野。特別是隨著5G的即將到來,也進一步推動了以氮化鎵代表的第三代半導體材料的快速發展。
  • 世界各國第三代半導體材料發展情況
    三、第三代半導體材料  1、定義  第三代半導體材料主要以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(Eg>2.3eV)半導體材料。25%以上;  6.SiC材料應用在工業電機領域,可節能30%-50%;  7.SiC材料應用在超高壓直流輸送電和智能電網領域,可使電力損失降低60%,同時供電效率提高40%以上;  8.SiC材料應用在大數據領域,可幫助數據中心能耗大幅降低;  9.SiC材料應用在通信領域,可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩定性;  10.
  • IEEE發布寬帶隙半導體技術路線圖,押注碳化矽和氮化鎵材料發展
    一、什麼是寬帶隙半導體?寬帶隙半導體指的是在室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料,如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)。這類材料的帶隙(絕緣態和導電態之間的能量差)明顯大於矽。因此,寬帶隙功率設備消耗的能源更少,可以承受更高的電壓,在更高的溫度和頻率下運行,並且能夠從可再生能源中產生更可靠的電力形式。
  • 年產5000片!國內首家規模化生產SiC MOSFET晶片企業新進展
    據報導,日前,中科漢韻半導體有限公司(簡稱「中科漢韻」)設備陸續進場安裝調試,明年5月全面達產後,將年產5000片碳化矽功率器件等分立半導體器件。此外,中科漢韻董事長袁述表示,設備在陸陸續續的安裝中,從光刻機到薄膜,到刻蝕化學腐蝕離子注入等等,都是比較先進的。大概到明年二月底之前希望能夠全部進來安裝。
  • 智芯文庫 | 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    近些年,由於第三代半導體材料的相關研究大多處於初級階段,圍繞其展開的各種爭論不絕於耳,其中最為激烈的便是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)的「一哥」之爭。而最近,無論是從研發應用引起的市場反響來講,還是從年後股票市場追捧程度來看,氮化鎵王者之相已露端倪。
  • 超十萬人預約!第三代半導體氮化鎵充電器,到底有多大能耐?
    納微半導體表示,GaNFast功率IC採用的氮化鎵是一種新的半導體材料,其運行速度比傳統矽電源晶片快100倍,45分鐘即可對小米10 PRO進行0至100%的充電,充電器體積則是標準適配器尺寸的一半。與矽相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實現更高的功率密度,在提升充電效率的同時,也在變頻變壓等功率管理領域有應用潛能。