眾所周知，半導體的含義顧名思義就是其導電性介於幹導體和絕緣體之間，其電阻率間於金屬和絕緣體之間，通常在室溫時為1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍之內。近年來，真空半導體鍍膜在各大半導體企業中，顯然其地位是越來越高的，特別是在一些大規模集成系統電路的開發技術研究方法以及磁電變換器件、發光器件等研製工作方面的體現尤為明顯，真空半導體鍍膜具有重要的作用。
半導體根據其固有的性質、溫度和雜質濃度來確定它的特徵表現。真空半導體鍍膜材料之間進行區分主要看它的組成化合物。大致都是以硼、碳,、矽、鍺、砷、銻、碲、碘等，還有一些比較少數的GaP、GaAs、lnSb等。 另外一些氧化物半導體也有不少，如FeO、FeO、MnO、CrO、CuO等。
真空蒸發、濺射鍍膜、離子鍍膜等設備都可以做真空半導體鍍膜。這些鍍膜設備的工作原理上都是有所區別，但都是使半導體材料鍍膜材料澱積在基底上，而作為基底的材料，並沒有什麼要求，可以是一種半導體也可以不是。 此外，通過雜質擴散和離子注入都可以半導體基片的表面上一個非常薄的範圍中，可以製備出具有不同電學和光學性質的鍍膜。由此形成的薄層，也可以一概而論，當作半導體鍍膜來處理。
真空半導體鍍膜在電子學中不管是有源器件還是無源器件，都是不可或缺的存在。隨著真空半導體鍍膜技術的不斷進步，對膜特性進行精密把控已經成為可能。
近年來，非晶質鍍膜和多晶鍍膜在製造光電導器件、鍍膜場效應管、高效太陽能電池等方面都有迅猛的進步。另外，因為真空半導體鍍膜的發展，因為傳感器的薄膜化，也大幅度降低了材料選擇難度，使得製造工藝逐漸簡化，真空半導體鍍膜設備已成為半導體應用的一個必要存在。廣東振華科技鍍膜設備廣泛應用於攝像器件、太陽能電池、鍍膜電晶體、場致發光、陰極發光、電子發射、薄膜傳感元件等半導體鍍膜。