對於CVD真空鍍膜設備的工作過程可以定性地歸結為：反應氣體通到基材上後，反應氣體分子被基材表面吸附，並在基材表面上產生化學反應，緊接著形成核，再通過反應生成物不斷脫離基材的表面，同時沿著基材表面不斷擴散最終形成薄膜的過程。看似簡單的原理，實則有多大的用處呢？接下來看看廣東振華CVD真空鍍膜設備實例：
1、低溫鍍膜裝置
低溫CVD真空鍍膜設備在500°C以下製作絕緣薄膜就屬於低溫鍍膜了，廣泛應用在集成電路中鋁布線表面防護膜、線間絕緣膜等膜層製作。
2、中等溫度鍍膜裝置
裝置成膜溫度在600°C-800°C之間屬於中等溫度鍍膜，多用於製作各種絕緣膜、多晶矽膜、集成電路中的金屬膜等膜層。
3、CVD真空鍍膜設備製作金屬薄膜
該設備幾乎適用所有的金屬鍍膜，但通常一些低熔點的金屬鍍膜不必用CVD鍍膜設備，更多是採用蒸鍍設備或是離子鍍設備。所以CVD鍍金屬膜的話，一般只在製作熔點較高、硬度較大的膜層製備上（如Mo、W、Re、Ta等）。
4、CVD真空鍍膜設備製作絕緣膜
減壓CVD設備用於製備SiO膜、BSG膜、PSG膜、Si膜、AsSG膜、AlO等絕緣膜。 在半導體器件製造上比較常見。
5、CVD真空鍍膜設備製備矽膜
設備採用射頻感應加熱，成膜反應在基材與感應體附近產生，這種成膜方法管壁沉積很少，矽膜生長速率在1/min-3m/min之間。
6、CVD真空鍍膜設備製備矽單晶膜
外延生長矽單晶膜CVD裝置在高溫下，可在矽基材上外延生長矽單晶膜從而製作出均勻厚度的膜層，該膜層厚度在1微米到2微米間。
7、CVD真空鍍膜設備製作碳化矽膜
採用高頻加熱製備SiC（碳化矽）膜，可加熱溫度達1300°C-1800°C，製備碳化矽膜的生長速率在0.2m/min-1.0m/min之間。
綜上可知，該設備的應用範圍頗廣，加上CVD真空鍍膜設備沉積薄膜速率比PVD成膜速率更高（因為PVD真空鍍膜設備的成膜速率通常在25m/h-250m/h範圍間，而CVD鍍膜的成膜速率為25m/h-1500m/h），因此，CVD真空鍍膜設備在成膜速度方面顯然更具優勢，擁有有廣泛的應用。