離子鍍是一種將靶材物料沉積在基材上的鍍膜方法，此類鍍膜工藝原理是靶材藉助電弧被離子化和汽化，然後高速沉積到基材之上。離子鍍通常在真空室或惰性氣體裝置中進行，離子鍍膜技術也稱為物理氣相沉積技術（PVD）。
隨著科學技術的飛快發展，離子鍍膜技術衍生出很多不同的類型，它們在蒸發源、充入氣體、真空環境、離化及離子加速方式等方面均有所不同，其特點及應用也有相應的差別：
1、感應加熱離子鍍膜，採用高頻感應加熱，充入惰性氣體或反應氣體，在10~10Pa的真空壓力環境下，發生感應漏磁，離子加速方式為DC1kV~5kV的加速電壓。特點是能獲得化合物鍍層，常用於裝飾品、機械製品、電子器件的鍍膜中。
2、電弧放電型高真空離子鍍膜，採用電子束加熱，真空或充入反應氣體，通過利用蒸發源熱電子或熱燈絲髮射電子促進離化（0-700V的加速電壓）。特點是離化率高、膜層質量優良，常用於機械製品、刀具、裝飾等鍍膜。
3、多弧離子鍍膜，採用陰極強光輝點為蒸發源，真空或充入反應氣體，在10~10Pa的真空壓力環境下，利用蒸發原子束的定向運動發生熱電離、發射， 弧光放電產生的離子。特點是離化率高、 沉積速率大，常用於刀具、機械製品、模具等鍍膜。
4、離子束鍍膜，採用電阻加熱， 從中噴出的是簇團狀的蒸發顆粒，充入真空或反應氣體，在10~10Pa的真空壓力環境下，發生電子發射， 從燈絲髮出的電子的碰撞作用，0~數千伏的加速電壓， 離化和加速獨立操作。特點是既能直接鍍化合物膜又能鍍純金屬膜，如ZnO，常用於音響器件、電子器件等。
5、電場蒸發，採用電子束加熱，在10~10Pa的真空壓力環境下，利用電子束形成的金屬等離子體，以數百伏至數千伏的加速電壓，離化和加速連動操作。特點是真空蒸鍍帶電場，其膜層質量好，常用於電子器件、音響器件等。
6、低壓等離子體離子鍍膜(LPPD)，採用電子束加熱，充入惰性氣體、反應氣體，在10~10Pa的真空壓力環境下，發生等離子體離化，離子加速方式為DC或AC，50V的加速電壓。特點是結構簡單，能獲得TiC、TiN、AlO等化合物膜層，常用於機械製品、電子器件、裝飾品當中。
7、多陰極型，採用電阻加熱或電子束加熱，真空或充入惰性氣體、反應氣體，在10~10Pa的真空壓力環境下，依靠熱電子、 陰極放出的電子以及輝光放電，零至數千伏的加速電壓離化和離子加速可獨立操作。特點是採用低能電子，使其離化效率高、膜層質量可控制等，常用於精密機械製品、電子器件、裝飾品當中。
8、直流放電二極型(DCIP)，採用電阻加熱或電子束加熱，充入及也可充入少量反應氣體，在5* 10~10的真空壓力環境下發生離子鍍，被鍍基體為陰極，利用高電壓宜流輝光放電，在數百伏至數千伏的電壓下加速，離化和離子加速一起進行。具備繞射性好、附著性強、基材的溫度易上升、膜結構及形貌差、若用電子束加熱則必須選用差壓板，常用於耐腐蝕、潤滑、機械製品中。
9、射頻放電離子鍍(RFIP)，採用電阻加熱或電子束加熱，真空或充入及其它惰性氣體、反應氣體如O、 N、CH、CH等，可在10~10Pa的真空壓力環境下，發生射頻等離子體放電(13.56MHz)，以零至數千伏的加速電壓，離化和離子加速獨立操作。特點是雜質氣體少、成膜質量好、化合物成膜更好，但是匹配較困難，常用於光學，半導體器件、裝飾品、汽車零件等。
10、空心陰極放電離子鍍膜(HCD)，採用等離子電子束加熱，充入及其它惰性氣體、反應氣體，可在10~10Pa的真空壓力環境下，利用低壓大電流的電子束碰撞，以零至數百伏的加速電壓離化和離子加速器和離子加速獨立操作。特點是離化效率高、電子束斑較大，可鍍金屬膜、介質膜化合物膜等，常用於耐磨鍍層、裝飾鍍層、機械製品當中。
11、活性反應蒸鍍(ARE)，採用電子束加熱，充入反應氣體O、N、CH、CH等，可在10~10Pa的真空壓力環境下，依靠電子束和正偏置探極之間的低壓等離子體輝光放電。是一種二次電子，無加速電壓，也有在基片上加有零至數千伏加速電壓的ARE。特點是蒸鍍效率高，能獲得TiC、TiN、AlO等化合膜，常用於電子器件、機械製品、裝飾品當中。
12、增強的ARE型，採用電子束加熱，充入及其它惰性氣體，反應氣體如O、N、CH、CH等，可在10~10Pa的真空壓力環境下，探極除了吸引電子束的一次電子、二次電子外，增強極發出的低能電子促進離化，它沒有加速電壓，也有在基片上如有零至數千伏加速電壓的增強的ARE。特點是易離化，基板所需功率和放電功率能獨立調節，膜層厚度容易控制，常用於電子器件、機械製品、裝飾品、光學器件當中。
採用離子鍍膜技術獲得的膜層均勻且超薄，因此非常適合形狀不均勻或不規則的基材鍍膜。廣東振華離子鍍膜機沉積的膜層，具有很強的硬度、耐久性、耐腐蝕性以及粘合性。