可用於7nm晶片光刻膠通過客戶驗證,南大光電巨量收漲8%

2021-01-11 觀察者網

觀察者網·大橘財經訊(文/呂棟 編輯/尹哲)在集成電路製造領域,光刻機被稱為是推動製程技術進步的「引擎」,而光刻膠就是「燃料」。

未來幾年,隨著中芯國際、長江存儲、長鑫存儲等晶圓廠進入產能擴張期,高端光刻膠的國產化替代迎來重要窗口。

12月17日晚間,南大光電公告披露,其控股子公司寧波南大光電材料有限公司(下稱:寧波南大光電)自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶使用認證,可用於90nm-14nm甚至7nm技術節點。

「本次產品的認證通過,標誌著『ArF光刻膠產品開發和產業化』項目取得關鍵性的突破,成為國內通過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠,為全面完成項目目標奠定堅實的基礎。」公告中寫道。

南大光電內部人士今天在接受觀察者網採訪時透露,ArF光刻膠生產線已建成,可根據客戶需要量產。

受上述消息影響,創業板上市的南大光電今天高開近14%,最終收漲8%,成交額接近16億元,而該公司收盤時的市值為146億元。

不過,需要注意的是,截至今年上半年,光刻膠業務還未給南大光電貢獻營收。該公司坦言,ArF光刻膠存在穩定量產周期長、風險大等特點,後續是否能取得下遊客戶訂單存在較多不確定性。

最近三年,南大光電淨利潤增速驟降,2019年扣非淨利潤僅為上市前的五分之一,而過去兩年來該公司股價漲幅達523%。

公告截圖

量產階段仍存諸多風險

觀察者網梳理相關資料發現,光刻膠是一種對光敏感的混合液體,可以通過光化學反應,經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩模版)轉移到待加工基片上。

依據使用場景,待加工基片可以是集成電路材料、顯示面板材料或者印刷電路板(PCB)。

因此,按應用領域分類,光刻膠又可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。目前,國產光刻膠以PCB用光刻膠為主,顯示面板、半導體用光刻膠供應量佔比極低。

浙商證券2020年4月研報截圖

作為技術難度最大的光刻膠品種,半導體光刻膠也是國產與國際先進水平差距最大的一類。

長時間以來,為滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求,光刻機不斷通過縮短曝光波長的方式,提高極限解析度。

目前,光刻機光源波長由紫外寬譜逐步縮短至g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先進的EUV(<13.5nm)線水平。

本次南大光電通過客戶認證的光刻膠,就是ArF光刻膠。

國元證券2019年1月研報截圖

南大光電錶示,ArF光刻膠材料可以用於90nm-14nm甚至7nm技術節點的集成電路製造工藝,廣泛應用於高端晶片製造(如邏輯晶片、 AI晶片、5G晶片、大容量存儲器和雲計算晶片等)。

認證評估報告顯示,「本次認證選擇客戶50nm快閃記憶體產品中的控制柵進行驗證,寧波南大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求,良率結果達標。」

南大光電認為,本次通過客戶認證的產業化意義大。

「本次驗證使用的50nm快閃記憶體技術平臺,在特徵尺寸上,線製程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求,孔製程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求,該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。」公告中稱。

至於為何選在50nm快閃記憶體產線驗證,南大光電內部人士向觀察者網表示,該公司產品分別在不同客戶處驗證,有邏輯有存儲的。因為存儲的先通過,就先公告,其他的還在努力中。

不過,該人士並未向觀察者網透露,公告中的客戶是國內或者國外廠商。

IC光刻流程圖

目前,全球光刻膠市場基本被美日大型企業壟斷,中國大陸內資企業所佔市場份額不足10%。

2019年,日韓貿易爭端中,日本就曾通過禁運光刻膠對整個韓國半導體行業造成打擊。

為支持國內企業加大光刻膠開發力度,2000年以來,我國出臺多項政策支持半導體行業發展。

2006年,國務院在《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》中提出《極大規模集成電路製造技術及成套工藝》項目,因次序排在所列16個重大專項第二位,在業內被稱為「02專項」。

公告顯示,「ArF光刻膠產品開發和產業化」就是南大光電承接國家「02 專項」的一個重點攻關項目。

券商統計的信息顯示,南大光電2017年承接的ArF光刻膠項目總投資額為6.6億元,其中國撥資金1.9億元,地方配套資金1.97億元,使用上市時的超募資金1.5億元及其他自籌資金。

該項目擬通過3年達到年產25噸ArF乾式和浸沒式光刻膠產品的生產規模,預計達產後年銷售收入平均為1.48億元,實現淨利潤0.6億元,投資回收期6.8年(包含3年建設期),內部報酬率為18%。

截至今年上半年,光刻膠業務尚未給南大光電貢獻營收。

該公司在公告中表示,ArF光刻膠產品與客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中。

「尤其是ArF光刻膠的複雜性決定其在穩定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險,不僅需要技術攻關,還需要在應用中進行工藝的改進、完善,這些都會決定ArF光刻膠的量產規模和經濟效益。」

深交所互動易截圖

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    受行業技術壁壘高、國內起步晚等影響,目前國內企業在技術上遠落後於日、美等國際大廠,光刻膠自給率僅10%。慶幸的是,國內企業已經開始實現光刻膠的突破,北京科華、蘇州瑞紅(晶瑞化學子公司)、飛凱材料、廣信材料、容大感光等廠商已經在不同領域逐步推進國產替代,南大光電、上海新陽也重金投入193nm光刻膠的研發及產業化。
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    接著,再用化學品將多餘的部分溶解清洗掉,於是就形成了與光掩膜完全對應的電路圖,後面通過蝕刻將所需要的圖形加工到矽片上,於是矽片上的電路圖就出來了。光刻膠目前能應用在模擬半導體、發光二極體、微機電系統、太陽能光伏、微流道和生物晶片、光電子器件以及封裝上面。2. 分類光刻膠的技術複雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。
  • 一個讓韓國喝了一壺的產業 光刻膠國產替代龍頭戰略配置時機來臨
    關鍵原材料:上海新陽正在同步開發光刻膠所需原材料如光敏劑、感光樹脂,以掌握其核心技術。上海新陽積極推進與光刻膠客戶的合作共同開發國產光刻膠。客戶側生產線上線測試是光刻膠的研發重要挑戰之一。由於光刻膠產品的上線與曝光設備的工藝參數設臵息息相關,光刻膠的驗證工作需要與客戶合作開調整線上工藝參數。同時,這種調整這也需要晶圓代工廠的上遊客戶同意。
  • 半導體材料國產先鋒南大光電
    今天我們一起梳理一下南大光電,公司主要業務包括MO 源、電子特氣,同時公司正在推進光刻膠及配套材料業務、ALD 前驅體產品業務。MO 源即高純金屬有機化合物,是現代化合物半導體產業的支撐源材料。MO 源是製備LED 外延片的核心原材料,目前大多數MO 源都被用於LED 產業。
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