RF-SOI:當代射頻和毫米波前端的核心

2020-12-01 電子工程專輯

根據IHS Markit獨立研究的《5G經濟》報告2020年更新版,儘管全球經濟受到疫情影響,但5G賦能的經濟產出的增長趨勢幾乎保持不變。預計到2035年,5G將創造13.1萬億美元的全球經濟產出,創造2280萬個工作崗位,全球5G資本支出和研發投入將增長10.8%,年均投入高達2650億美元。SjCEETC-電子工程專輯

迄今為止,全球已有超過45家OEM廠商已經或即將宣布推出5G終端,超過50家運營商部署了5G商用網絡,超過345家運營商正在投資5G。從終端角度看,基於《IDC全球智慧型手機跟蹤報告》,IDC預測2020年全球5G手機出貨量約2.4億臺,而中國市場的貢獻將超過1.6億臺,佔比約67.7%。在未來5年內,中國也將持續佔據全球約一半的市場份額。SjCEETC-電子工程專輯

被5G改變的交流方式

國際電聯(ITU)為5G定義了三大應用場景,即eMBB(增強型移動寬帶)、mMTC(海量機器類通信)和uRLLC(超可靠、低時延通信),並將6GHz以下(FR1)頻段和毫米波(FR2)頻段作為承載5G部署的核心。SjCEETC-電子工程專輯

目前來看,FR1頻段相對更加擁擠,除中國外,很少有國家能在6GHz以下為運營商分配100M以上的連續頻譜;毫米波頻段雖然覆蓋能力相對較弱,但豐富的頻譜資源可以實現高速的數據傳輸,並顯著提高容量,對於充分釋放5G性能、容量、吞吐量的全部潛能而言至關重要。SjCEETC-電子工程專輯

因此,只有當網絡在高頻部署有毫米波、中頻部署有Sub-6GHz與LTE、低頻部署有2G與3G網絡,再配合多載波聚合技術時,整個5G網絡的速率、覆蓋、時延三項指標才能達到最優。SjCEETC-電子工程專輯

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圖1:部分國家在S和C頻段的頻譜分配(圖片來自Soitec)SjCEETC-電子工程專輯

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圖2:部分國家/地區在mmWave頻段的頻譜分配(圖片來自Soitec)SjCEETC-電子工程專輯

Soitec射頻業務發展高級經理Luis Andia在《RF-SOI優化襯底 — 當代射頻和毫米波前端的核心》白皮書中也談到了這點,並指出,為了充分利用頻譜資源,5G在系統中引入了眾多針對新應用場景進行了高度優化的技術,例如網絡切片、頻譜共享和共存、聚合帶寬高達1GHz的載波聚合、大規模MIMO和天線陣列系統、以及固定無線接入,小型基站和毫米波技術等等。SjCEETC-電子工程專輯

「這份清單並不完整,還會隨著新規範的發布而不斷發展,但從我們的角度來看,它代表了5G中實現的一些最具創新性的功能。」Luis Andia在接受《電子工程專輯》獨家專訪時表示,5G是材料提供商、代工廠、設計公司、封裝與測試、智慧型手機製造商、運營商和許多其他機構之間多年密切合作的結果,Soitec RF-SOI優化襯底上的CMOS就是其中一種工藝,Soitec的HR-SOI,iFEM-SOI和RFeSI系列產品,為使其成為先進射頻前端的標準技術作出了巨大貢獻。SjCEETC-電子工程專輯

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圖3:Soitec面向5G的RF-SOI襯底選擇SjCEETC-電子工程專輯

被5G改變的射頻前端

RF半導體設計者都在挖空心思為5G系統尋找新材料和新設計/架構,但是為什麼會這樣呢?SjCEETC-電子工程專輯

這是由於5G使用不同的高頻頻段來實現高速數據傳輸,因此5G RF前端模塊所需要的功率放大器、濾波器、開關、LNA和天線調諧器的需求量倍增,速度之快令人措手不及。對於智慧型手機設計者來說,龐大的零部件數量很讓人頭疼,他們必須將所有這些RF模塊全部塞到一部5G手機裡。SjCEETC-電子工程專輯

5G智慧型手機開發商也擔心RF器件的質量、散熱和能效問題,因為這些都可能降低RF前端模塊的性能。SjCEETC-電子工程專輯

此外,並不是每個RF器件都使用相同的材料或相同的技術,這也解釋了為什麼Soitec為射頻系統準備了一攬子優化襯底方案的原因:RF-SOI工藝主要用於5G智慧型手機射頻前端中的開關器件和天線調諧器;FD-SOI用於SoC模擬/射頻集成;壓電(POI)優化襯底用於生產高性能表面聲波(SAW)濾波器組件,主要針對4G和5G新無線電(NR)波段;矽基氮化鎵(GaN-on-Si)和碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)則是進入5G GaN功率放大器市場的利器。SjCEETC-電子工程專輯

對射頻前端來說,一個顯而易見的趨勢是集成化與模塊化,如何將這些不同材料、不同工藝的器件集成在一起,是件非常令人頭疼的事情。SjCEETC-電子工程專輯

Luis Andia同意這個判斷。但他認為前文所列舉的各種優化襯底技術已經不再是小眾市場,整個生態系統相對比較成熟,Soitec正在與合作夥伴一起共同理解射頻生態中各個環節的實際需求、發展趨勢和架構,確保優化襯底和對應的模塊、測試封裝技術都能夠實現完美兼容。SjCEETC-電子工程專輯

以目前業界談論最多的5G毫米波應用為例,由於大氣吸收和障礙物,毫米波頻率在距離上比6GHz 以下頻率更容易遭受信號衰減。對了補償這種衰減,毫米波射頻前端利用多達1,024個天線陣列系統大規模MIMO的陣元,進一步將輻射的RF信號集中在更窄的波束中,實現相當的距離覆蓋和更高的能效和專一性(即更低的用戶互擾),但隨之而來的後果是射頻前端的複雜性大幅增加。得益於RF-SOI技術的存在,不但使開關、PA、LNA、移相器、可變增益放大器(VGA)被完全集成在一起,還同時具有控制、偏置、內存和電源結合功能。SjCEETC-電子工程專輯

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圖4:得益於RF-SOI技術,5G毫米波前端實現了高度集成SjCEETC-電子工程專輯

「RF-SOI和FD-SOI是相互補充的技術。在解決5G不同頻段共存的問題上,他們可以為射頻設計提供更多的靈活性,特別是一些手機需要兼容6GHz以下和毫米波頻段時。當然,這涉及到的不僅僅只有5G手機,還包括其他5G基礎設施。」Luis Andia說。SjCEETC-電子工程專輯

因此,即便是在面對除智慧型手機之外的垂直應用領域,比如汽車、工業、窄帶物聯網(NB-IoT) 時,Soitec也能夠打出一套包括HR-SOI、iFEM-SOI和RFeSI在內的「組合拳」SjCEETC-電子工程專輯

5G的RF-SOI優化襯底創新

如前文所述,RF-SOI工藝主要用於智慧型手機射頻前端模塊製造。尤其是在5G智慧型手機中,RF-SOI 器件的比例正在不斷增加,例如Sub-6GHz頻段中,RF-SOI含量比4G高60%;毫米波頻段中,120mm2 SOI內容含量增加;RF-SOI在 Wi-Fi 6/6E MU-MIMO 射頻前端中更具優越性。SjCEETC-電子工程專輯

作為當前性能最為出色的RF-SOI優化襯底,RFeSI在當前智慧型手機中的使用率達到了100%。但Luis Andia說考慮到未來射頻前端應用仍然存在巨大的市場空間,為了提高線性度,在保證成本競爭力的同時,Soitec又新引入了RFeSI100,其二階諧波能夠達到低於-100dBm的性能提升。按照官方的說法,這是「首次在商業RF-SOI襯底上使用的創新材料,為eMBB和uRLLC中的所有應用提供了無與倫比的線性度。」SjCEETC-電子工程專輯

並行引入的可選功能還包括RFeSI_T(「T」代表溫度)。通過加入一層具有極低電容率的材料,它允許RFeSI系列中的所有襯底(RFeSI80,RFeSI90和RFeSI100)可以在高達150度的溫度範圍內都具有極低的線性漂移,並同時保留了Trap-rich的所有其他特性並且具有成本競爭力,從而提高了關鍵任務應用(蜂窩網絡基礎設施、工業4.0、汽車、軍事)的耐用性。SjCEETC-電子工程專輯

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圖5:RFeSI和RFeSI_T襯底在特定溫度範圍內的二階諧波功率SjCEETC-電子工程專輯

最後,意識到了mMTC總體擁有成本的壓力,Soitec還推出了一種新型iFEM-SOI襯底,該襯底具有簡化的製造工藝,可以在優化的射頻前端 TCO(總擁有成本)上提供合適的性能。SjCEETC-電子工程專輯

他特別提到了Smart Cut技術在其中扮演的關鍵角色。這是一種SOI晶圓鍵合和剝離技術,也是Soitec的核心競爭力所在,從1992年公司成立一直使用至今,在矽、碳化矽、藍寶石襯底等多種半導體材料上得到了實踐應用。它能將超薄的晶體材料從一個襯底轉移到另一個襯底之上,從而打破原有的物理限制並改變整個襯底行業的狀況。該技術最大的優點在於可以提高材料均勻性,降低材料缺陷密度,並且使高質量晶圓可以循環再利用,廣泛應用於SOI襯底的批量生產,包括FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、Photonics-SOI 和Imager-SOI,用以滿足不同市場應用的需求。SjCEETC-電子工程專輯

產能方面,Soitec中國區戰略發展總監張萬鵬表示,5G是中國拉動經濟增長的重要行業之一,對RF-SOI襯底的需求十分巨大和迫切,目前的晶圓產能足以支持市場的快速發展,Soitec一直努力提高新加坡工廠的300mm SOI晶圓和外延片,以及中國的200mm晶圓產能。與此同時,在與5G、邊緣計算和汽車相關的應用中,FD-SOI設計和流片也很活躍,Soitec將持續改善產能規劃,更好地服務不斷增長的全球市場,特別是中國市場。SjCEETC-電子工程專輯

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RF-SOI 優化襯底——當代射頻和毫米波前端的核心SjCEETC-電子工程專輯

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