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輝鉬(MoS2)有望代替矽成為新一代半導體材料
打開APP 輝鉬(MoS2)有望代替矽成為新一代半導體材料 阿風 發表於 2011-02-02 11:16:05 本報訊據美國物理學家組織網
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「鈷/二硫化鉬異質結構」新材料,有望成為半導體潛力新星
國際研究團隊對「鈷 / 二硫化鉬異質結構」進行特徵研究分析，發現這項新材料組合可望帶領半導體突破物理極限，成為取代矽等傳統半導體材料的潛力新星。隨著半導體製程邁向 3 納米，如何跨越電晶體微縮的物理極限，成為半導體業積極發展的關鍵技術。
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誰會代替矽,成為未來晶片材料的選擇?
運用新的材料，就是其中一種方法，比如用鍺矽等元素作為信道的材料。但如何將不同的材料整合到矽基板上，也是一項挑戰。即使現在的7nm晶片並沒有像過去預測的那樣，達到矽晶片的物理極限，但矽的物理極限是必然存在的。晶片的下一個「根本性」的突破，就是找到新的材料。
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這種材料有望替代矽,成為晶片的選擇
對2D材料的興趣不僅限於半導體材料，還包括對絕緣體和金屬的探索。這些材料的機會已經出現在多個領域，包括（生物）傳感，能量存儲，光伏，光電和電晶體縮放。例如，石墨烯是光電應用的理想材料。它同時具有電吸收和電折射特性，使其適合於光調製，檢測和切換。最近的研究表明，基於石墨烯的集成光子技術具有實現下一代數據和電信應用的潛力。
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中國半導體材料行業現狀調研分析及市場前景預測報告(2020年版)
**年，全球半導體材料市場規模同比增長3%;收入達到443億美元，同比增長10%，這是自**年以來，全球半導體材料市場首次實現同比增長。中國臺灣由於其龐大的代工和先進的封裝基地，連續**年成為半導體材料的最大客戶。 **年中國半導體材料市場規模同比增長3%，收入達到了58.3億美元。
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後矽時代,這種材料被看好
，那麼如今石墨烯以外的其他穩定材料將成為「第二把鑽研後矽時代的火」。為了創建這些高性能晶片，研究人員將利用相對較新且前景廣闊的二維（2D）材料。在過去的十年中，二維材料引起了令人難以置信的興趣。2D材料的興起始於2004年石墨烯樣品的成功製備。特別是觀察到的高載流子遷移率提高了人們的期望，即石墨烯可能成為FETs的完美通道材料，並將成為傳統半導體材料的繼任者。
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2020年中國半導體材料現狀調研及市場前景走勢分析報告
第五節 世界半導體材料行業發展趨勢預測分析 一、半導體材料研究的新進展 二、2020年功率半導體採用新型材料 三、輝鉬材料在電子器件領域研究進展 四、2020年全球半導體材料市場預測分析 五、2020年世界半導體封裝材料發展預測分析第三章 中國半導體材料行業分析
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寬禁帶材料在新一代功率器件策略中的關鍵作用
而寬帶隙（WBG）功率半導體的不斷進展使上述目標都成為可能。材料的帶隙取決於晶格中原子之間化學鍵的強度。鍵能越強則電子從一個軌道跳到另一個軌道也更難。因此，高帶隙半導體表現出較低的固有電流損耗並能夠承受較高的工作溫度。 這種改善實現了更高的能量轉換效率、更高的可靠性，並最終提升了盈利能力。
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半導體材料應用有哪些_半導體材料應用領域介紹
1、元素半導體材料 矽在當前的應用相當廣泛，他不僅是半導體集成電路，半導體器件和矽太陽能電池的基礎材料，而且用半導體製作的電子器件和產品已經大範圍的進入到人們的生活總之，半導體材料的發展迅速，應用廣泛，隨著時間的推移和技術的發展，半導體材料的應用將更加重要和關鍵，半導體技術和半導體材料的發展也將走向更高端的市場。
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矽基晶片已發展至工藝極限，碳納米管真能成為新一代晶片材料嗎？
更小的製程和更小的電晶體，會讓矽基晶片出現漏電效應和短溝道效應。什麼是漏電效應和短溝道效應？2、用一種新材料來代替矽基板生產晶片。2020年5月，在國際知名雜誌《科學》上，發表了一篇來自中國北大團隊關於碳基半導體的論文，文中提到了「高密度碳納米管」的提取和組裝方法。業界將這一成果稱為：碳基半導體進入規模工業化的基礎。
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Nano Letters:高性能單層二硫化鉬短溝道場效應管
具有亞納米厚度的二維半導體材料被認為有望替代矽，克服短溝道效應並繼續縮小場效應管。
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碳化矽:第三代半導體核心材料
碳化矽為第三代半導體高壓領域理想材料。第一代半導體以矽（Si）為主要材質。矽基功率器件結構設計和製造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，繼續完善提高性能的潛力有限。砷化鎵（GaAs）、磷化銦（lnP）等作為第二代化半導體因其高頻性能較好主要用於射頻領域，碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體，因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化矽為材料的功率模塊具備低開關損耗、高環境溫度耐受性和高開關頻率的特點，因此採用碳化矽SiC材料的新一代電控效率更高、體積更小並且重量更低。
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論半導體材料的重要性
半導體材料為產業的重要上遊基礎材料。半導體材料又可以分為半導體晶圓製造材料（前道材料）和封裝材料（後道材料等）；其中晶圓製造材料主要有矽片及矽基材、光刻膠、光掩膜、電子特種氣體、CMP拋光膜等，封裝材料主要包括基板、引線框架、 陶瓷封體等。
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三星發現了一種全新半導體材料 有望推動下一代半導體晶片的加速發展
7 月 6 日消息 三星電子周一宣布，發現了一種全新半導體材料 「無定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，簡稱 a-BN」，並表示有望推動下一代半導體晶片的加速發展。近年來，三星 SAIT一直在研究二維(2D)材料具有單原子層的晶體材料的研究和開發。
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中國碳基半導體材料取得新突破,或將終結矽時代,實現晶片全面領先
，這些電晶體成為了資訊時代流動的血液，形成各種文字、數字、聲音、圖像和色彩，便捷了人類的生活。 可以說，矽（Si）作為集成電路的最基礎材料，是構建整個現代文明社會的磚石，我們的吃穿住行都離不開由矽構建的半導體產業形成的產品，它是人類社會近幾十年快速發展的基石，而作為矽時代的締造者，美國也在晶片產業中具有無可比擬的話語權。
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MIT 研究人員新發現:利用石墨烯,製備各種非矽半導體材料
矽雖然不是最好的半導體材料，但它是迄今最容易獲取的半導體材料。由此，矽材料在電子器件領域佔據主要地位，比如傳感器、太陽能電池以及集成電路等。砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰等材料的性能勝過矽材料，但是目前用它們製備功能器件，成本仍十分高昂。而現在，MIT 的研究人員開發了一種新技術，可製備多種超薄的非矽半導體薄膜，比如砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰柔性薄膜。
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突破矽半導體微細化極限！日本全球首次精確合成出石墨烯納米帶
奈良先端科學技術大學院大學先端科學技術研究科物質創成科學領域有機光分子科學研究室的山田容子教授和林宏暢助教，與富士通研究所和富士通公司的佐藤信太郎博士及山口淳一博士、東京大學研究生院新領域創成科學研究科物質系專業物性與光科學講座的杉本宜昭副教授和鹽足亮隼助教，以及科學技術振興機構（JST）等組成的聯合研究團隊合作，針對作為超越目前的矽半導體微細化極限的新一代電子材料推進研究的、碳原子 「石墨烯
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二硫化鎢納米片有望改善磷酸鐵鋰正極材料性能
二硫化鎢納米片有望改善磷酸鐵鋰正極材料性能。在鋰離子電池工業化推廣中，正極材料正成為其發展的主要瓶頸。與其他材料相比，低維度二硫化物納米片因具有層狀結構和大表面積的特性，而被公眾認為是一種很有前景的鋰離子電池材料，可以有效降低與電解質溶劑發生熱化學反應的概率。
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從營養液到戰略金屬:鉬元素現形記
1893年，科學家莫思森通過炭和三氧化鉬進行高溫反應，終於製得純度達96%的固態鉬。固態鉬率先被運用於軍事中。由於鉬的強度很高，熱膨脹係數低，導熱性能強，固態鉬被加入到合金鋼、不鏽鋼等合金中，用於製造各種軍事設備；固態鉬做成的純鉬絲則被用作高溫電爐和切割加工的材料。一戰期間，鎢的用量劇增，遠遠滿足不了戰爭。
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什麼是半導體材料_常見半導體材料有哪些
半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。據美國物理學家組織網報導，一個國際科研團隊首次研製出了一種含巨大分子的有機半導體材料，其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用於製造現代電子設備中廣泛使用的場效應電晶體。科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智能繃帶、柔性顯示屏、智能擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子牆紙等變成現實。