三、面缺陷
面缺陷主要有同種晶體內的晶界，小角晶界，層錯，以及異種晶體間的相界等。
平移界面：晶格中的一部分沿著某一面網相對於另一部分滑動(平移)。
堆跺層錯：晶體結構中周期性的互相平行的堆跺層有其固有的順序。如果堆跺層偏離了原來固有的順序，周期性改變，則視為產生了堆跺層錯。
晶界：是指同種晶體內部結晶方位不同的兩晶格間的界面，或說是不同晶粒之間的界面。按結晶方位差異的大小可將晶界分為小角晶界和大角晶界等。小角晶界一般指的是兩晶格間結晶方位差小於10度的晶界。偏離角度大於10度就成了孿晶。
相界：結構或化學成分不同的晶粒間的界面稱為相界。
1、小角晶界：
矽晶體中相鄰區域取向差別在幾分之一秒到一分（弧度）的晶粒間界稱為小角度晶界。在{100}面上，位錯蝕坑則以角頂底方式直線排列。
2、層錯：
指晶體內原子平面的堆垛次序錯亂形成的。矽單晶的層錯面為{111}面。
2.1層錯產生原因：
在目前工藝條件下，原生矽單晶中的層錯是不多見的。一般認為，在單晶生長過程中，固態顆粒進入固液界面，單晶體內存在較大熱應力，固液界面附近熔體過冷度較大，以及機械振動等都可能成為產生層錯的原因。
2.2層錯的腐蝕形態
應用化學腐蝕方法顯示矽單晶中的層錯時，有時可以觀察到沿<110>方向腐蝕溝槽，它是層錯面與觀察表面的交線。在{111}面上，層錯線互相平行或成60°，120°分布，{100}面上的層錯線互相平行或者垂直，在層錯線兩端為偏位錯蝕坑。層錯可以貫穿到晶體表面，也可以終止於晶體內的半位錯或晶粒間界處。
2.3氧化誘生層錯
形成的根本原因：
熱氧化時矽二氧化矽界面處產生自間隙矽原子，這些自間隙矽原子擴散至張應力或晶格缺陷(成核中心)處而形成OSF並長大。
一般認為，OSF主要成核十矽片表面的機械損傷處、金屬沾汙嚴重處，其它諸如表面或體內的旋渦缺陷、氧沉澱也是OSF的成核中心它與外延層錯相區別也與由體內應力引起的體層錯(bulkstackingfaults)相區別。通常OSF有兩種：表面的和體內的。表面的OSF一般以機械損傷，金屬沽汙、微缺陷(如氧沉澱等)在表面的顯露處等作為成核中心；體內的B-OSF(BulkOSF)則一般成核於氧沉澱。
20世紀70年代末，研究者發現矽晶體中的OSF常常呈環欲分布特徵(ring-OSF)後人的研究表明，這與晶體生長時由生長參數(生長速度、固液界面處的溫度梯度)決定的點缺陷的徑向分布相關聯由幹空位和自間隙的相互作用，進而引起氧的異常沉澱，從而引發OSF。