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華虹半導體第二代90nm嵌入式快閃記憶體工藝平臺成功量產
集微網消息,全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產,技術實力和競爭力再度加強。華虹半導體在第一代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上,於90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸,較第一代減小約25%,為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸。
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半導體工藝40年(中)
一、半導體工藝的節點和發展隨著廣泛的應用和資本家對於利潤的追求,半導體工藝上世紀末開始飛速發展,實際上由於集成電路的發明,集成電路工藝成為半導體工藝的主角。其發展軌跡也印證了摩爾定律,隨著個人智能設備如手機的普及,.。。。180nm、130nm、90nm、65nm、40nm、28nm、16nm(納米)。。。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰矽基半導體極限
在半導體晶圓代工市場上,臺積電TSMC是全球一哥,一家就佔據了全球50%以上的份額,而且率先量產7nm等先進工藝,官方表示該工藝領先友商一年時間,明年就會量產5nm工藝。在半導體工藝上,臺積電去年量產了7nm工藝(N7+),今年是量產第二代7nm工藝(N7+),而且會用上EUV光刻工藝,2020年則會轉向5nm節點,目前已經開始在Fab 18工廠上進行了風險試產,2020年第二季度正式商業化量產。
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臺積電7nm工藝_7nm工藝意味著什麼
最早使用FinFET工藝的是英特爾,他們在22納米的第三代酷睿處理器上使用FinFET工藝,隨後各大半導體廠商也開始轉進到FinFET工藝之中,其中包括了臺積電16nm、10nm、三星14nm、10nm以及格羅方德的14nm
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三星發布3納米路線圖,半導體工藝物理極限將至?
近日,三星電子發布其3nm工藝技術路線圖,與臺積電再次在3nm節點上展開競爭。3nm以下工藝一直被公認為是摩爾定律最終失效的節點,隨著電晶體的縮小將會遇到物理上的極限考驗。而臺積電與三星電子相繼宣布推進3nm工藝則意味著半導體工藝的物理極限即將受到挑戰。未來,半導體技術的演進路徑將受到關注。
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60歲創辦中微半導體!自研出首臺5nm刻蝕機,確立了技術地位領先
近兩年,我國半導體行業的發展速度很快,但和美國等科技巨頭相比較,技術仍是落後別人,但是國內產生所自研的技術、設備都能達到世界領先水平。最成功的案例莫過於蝕刻機設備,國內晶片企業所自研的蝕刻機已打破海外的技術壟斷。
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中微半導體的5nm等離子體蝕刻機將用於臺積電全球首條5nm工藝生產線
> 作為全球頭號代工廠,臺積電的新工藝正在一路狂奔,7nm EUV極紫外光刻工藝已經完成首次流片,5nm工藝也將在2019年4月開始風險試產,預計2020年量產。
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...Intel將在2023年推出5nm GAA工藝-Intel,5nm,GAA,電晶體,工藝...
Intel之前已經宣布在2021年推出7nm工藝,首發產品是數據中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之後的5nm工藝更加重要了,因為Intel在這個節點會放棄FinFET電晶體轉向GAA電晶體。
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領先世界,中國造出5nm刻蝕機,已供貨臺積電
根據臺積電的工藝路線圖,2020年就要量產5nm工藝,而中微半導體的5nm蝕刻機已經打入臺積電的供應鏈。這也是中國第一次在晶片製造設備上領先世界。照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件,比如麒麟990擁有103億的電晶體,究竟是怎麼安裝上去的,電晶體就是用光刻技術雕刻出來的。
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三星公布最新半導體工藝路線圖:2020 年推進 4nm!
IT之家5月25日消息 三星在今天凌晨舉辦了新聞發布會,公布了旗下最新的工藝製程路線圖,在新的路線圖中,三星希望能夠在2020年推進4nm工藝製程,顯得野心勃勃。「我們的路線圖充滿希望和野心,因為三星不單單只是計劃這些新的工藝製程,而是在這些時間點上真的能夠實現預定的計劃」三星市場高級總監Kelvin Low如此說道。根據三星的計劃,在未來三年內也就是2017年至2020年,三星半導體的工藝製程將一步一個腳步的前進。
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什麼是半導體工藝製程,16nm、10nm都代表了什麼
打開APP 什麼是半導體工藝製程,16nm、10nm都代表了什麼 工程師飛燕 發表於 2018-06-10 01:38:00
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國產5nm半導體設備已獲得臺積電訂單 5nm以下技術研發中
除了大家都知道的光刻機,半導體設備生產中還需要各種設備,國內的中微半導體設備公司已經能夠生產高端刻蝕設備,其5nm刻蝕機已經批量生產,用於臺積電的5nm生產線中。中微半導體上周末發布了2019年財報,全年實現營業收入19.47億元,同比增長18.77%;實現歸母淨利潤1.89億元,同比增長107.51%。
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手機處理器性能提升的法寶:新製造工藝5nm EUV
5nm和EUV這兩個新登場的製造工藝究竟有著什麼優勢,多家代工廠為何要急著完成新技術的研究?讓小雷來簡單梳理一番。而在即將到來的5nm製程,晶片製造迎來了工藝上的節點:5nm有著過去都不算問題的特殊之處,極低的電晶體間隙使得漏電難以被控制,造成晶片性能存在可見的損失;而當前擁有的諸多製造技術又沒法有效解決漏電,將代工廠們攔在了5nm的門前。多家研發機構經過提前數年的研究,找到了一個解決5nm尷尬的方式,EUV(極紫外光刻)。
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又一中國半導體巨頭崛起,5nm刻蝕機到來,再次領先世界
眾所周知,光刻機技術一直是我國半導體技術的一塊心病,到目前為止,我國最先進的光刻機精度僅僅才90nm,而其他國家的7nm光刻機相比真的差得太多了。雖然我們在光刻機技術上沒有取得特別好的成就,不過卻在光刻機的兄弟刻蝕機取得看重大突破。
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華虹半導體——特色工藝反而覆蓋面廣
華虹半導體是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業,一直聚焦於嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻等特色、差異化工藝平臺,其卓越的質量管理體系亦滿足汽車電子晶片生產的嚴苛要求。在IGBT、MOSFET、嵌入式存儲領域,公司晶圓製造的技術實力、產能規模處於國內絕對領先地位,位列全球晶圓代工廠前十,市場份額約1.2%,也是中國大陸第二大代工廠。近年來,公司在特色工藝路線的逐漸開花結果,規模越來越大,競爭壁壘越來越高。
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半導體製造行業深度報告:從um級製造到nm級製造
在製程發展上,Intel、IBM、三星、GF 等按著 180nm -> 130nm -> 90nm -> 65nm -> 45nm-> 32nm -> 22nm 的步調前行(三星和 GF 在 32nm 後轉向 28nm),而臺積電等半導體晶圓代工廠則走上了 150nm->110nm->80nm->55nm->40nm->
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半導體工藝是如何具體影響CPU性能的?
半導體的支持工藝和CPU的性能關係就大了,它關係到CPU內能塞進多少個電晶體,還有CPU所能達到的頻率還有它的功耗,1978年Intel推出了第一顆CPU——8086,它採用3μm(3000nm)工藝生產,只有29000個電晶體,工作頻率也只有5MHz。
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為何曾經說7nm是半導體晶片的極限,為何現在都在量產5nm工藝了呢
【為何曾經說7nm是半導體晶片的極限,為何現在都在量產5nm工藝了呢】在半導體領域,有一個特別關鍵性的定律——摩爾定律。我們看看摩爾定律是怎麼規定的?這個內容似乎也沒有提到7nm工藝是極限呢,這裡涉及到一個問題,那就是這裡提到的XX nm,實際上就是電晶體柵極的寬度,也被稱為柵長。而我們晶片中的柵長越短,則可以在相同尺寸的矽片上集成更多的電晶體;其實如何控制柵長長度,這是非常必要,且需要我們控制的內容。
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發改委批准Intel大連建廠 工藝90nm
根據這一計劃,Intel將投資25億美元在我國大連興建一座處理器晶片生產工廠(Fab),每月最多可出產52000塊12英寸(300毫米)晶圓,不過生產工藝為90納米,並非此前傳聞的65納米。除此之外就沒有其他細節消息了,Intel發言人Chuck Mulloy也拒絕發表評論,不過熟悉這一計劃的有關人士稱,Intel有望在未來數周內正式宣布這一計劃。
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關於半導體製程/工藝/生產的性能分析和介紹
打開APP 關於半導體製程/工藝/生產的性能分析和介紹 發表於 2019-09-03 15:35:59 三星宣布全新的 10nm LPP 工藝已經投產了,而 LPP 工藝相比驍龍835使用的 LPE 工藝,性能提升了10%,功耗下降了15%。