眾做周知,溼法腐蝕和溼法清洗在很早以前就已在半導體生產上被廣泛接受和使用,許多溼法工藝顯示了其優越的性能。伴隨IC集成度的提高,矽片表面的潔淨對於獲得IC器件高性能和高成品率至關重要,矽片清洗也顯得尤為重要。溼法腐蝕是一種半導體生產中實現圖形轉移的工藝,由於其高產出,低成本,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應用。
溼法腐蝕工藝
溼法化學腐蝕是最早用於微機械結構製造的加工方法。所謂溼法腐蝕,就是將晶片置於液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。
用於化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,鹼性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。根據所選擇的腐蝕劑,又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多,包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸,但是由於受到能否獲得高純試劑,以及希望避免金屬離子的玷汙這兩個因素的限制,因此廣泛採用HF—HNO3腐蝕系統。各向異性腐蝕是指對矽的不同晶面具有不同的腐蝕速率。基於這種腐蝕特性,可在矽襯底上加工出各種各樣的微結構。各向異性腐蝕劑一般分為兩類,一類是有機腐蝕劑,包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯胺等,另一類是無機腐蝕劑,包括鹼性腐蝕液,如KOH、NaOH、NH4OH等。
就溼法和幹法比較而言,溼法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低,腐蝕厚度可以達到整個矽片的厚度,具有較高的機械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難,且難以與集成電路進行集成。
華林科納是國內最早致力於研究溼法清洗設備的,其中SPM自動清洗系統設備主要用於LED晶片製造過程中矽片表面有機顆粒和部分金屬顆粒汙染的自動清洗工藝。
設備名稱:SPM腐蝕機
適用領域:外延及晶片製造
設備用途:矽晶片化學腐蝕和清洗的設備
主要功能:通過對矽片腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到用戶要求的一個效果。可處理的晶圓材料是矽、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化矽、鈮酸鋰、鉭酸鋰等。可以清洗的矽片尺寸2-8寸(25片/藍)。