SEZ攜手AIR LIQUIDE開發用於高級金屬柵極材料的蝕刻解決方案

業界領先者們深入研究適用於單晶圓工藝的化學製劑，

賦予了深亞微米應用中最理想的性能和擁有成本

　　奧地利 VILLACH（維拉赫）和法國巴黎—2005年7月11日訊－業界領先服務於半導體行業的單晶圓清洗解決方案首要創新者SEZ（瑟思）集團 (瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)和業界領先的工業和醫療氣體及相關服務的供應商Air Liquide （液化空氣公司，Euronext Paris證券交易所上市）於今日聯合宣布，雙方將通力合作，攜手解決生產線前段（FEOL）的先進金屬柵極蝕刻所面臨的化學製劑的挑戰。45納米技術標準下的高k值門極絕緣體和高級金屬柵極的電極預計會帶來許多的製程挑戰，包括去除不需要的含有金屬電極材料的背面和倒角邊沉積膜層。受到與領先的原子層沉積（ALD）公司Aviza Technology 彼此獨立但又互補的合作開發項目的推動，SEZ和Air Liquide 將尋求合作共同開發一種全面、多元的高級蝕刻材料的解決方案，確保晶片製造商們以最低的擁有成本（CoO）獲得最好的性能。

　　Air Liquide電子副總裁Christophe Fontaine 表示： 「我們期待與SEZ齊心協力攜手應對正在不斷湧現的製程挑戰，開發出新的化學製劑以恰當的滿足當前的以及未來發展的技術需求。兩個公司都能夠在這個合作項目發揮獨特、互補的技術優勢。Air Liquide在ALOHA產品線內擁有開發一種具有選擇性的蝕刻劑的專家技術，並且可以將該技術成功推向市場。而同時SEZ在晶圓背面處理方面的技術無可匹敵。」

　　原子層沉積（ALD）和化學氣相沉積（CVD）技術的一個副作用是膜層材料會沉積到晶圓的背面。這些膜層產生的汙染物可能通過共用的晶圓傳送過程被傳遞到其它的晶圓上，而且膜層自身也有可能分裂成層或剝落，變成很嚴重的微塵粒子問題。因此，必須將背面和倒角邊上的任何一種膜層材料都去除。但目前面臨的問題是這些材料中有很多難以進行溼式蝕刻，特別是在需要對下層的材料層進行某種選擇性的蝕刻時。

　　由於不能選擇對背面和倒角邊進行乾式蝕刻，因此必須開發出適用的溼式蝕刻解決方案。為了保護器件，晶圓正面和背面需要互相隔離，所以最好的溼式蝕刻解決方案是採用使用一種有效的製程化學製劑的單晶圓旋轉處理機臺。 例如，儘管將釕金屬作為高級金屬柵極材料的業內呼聲很高，但是由於其固有的屬性之一是其對化學品的侵蝕的抵抗力很強，因此，釕金屬的清除就成為一項嚴峻的挑戰。

　　通過將SEZ在單晶圓溼式表面處理和膜層剝離的先進的專家技術與Air Liquide在工藝化學領域的深厚知識有機地結合在一起，這兩個公司的聯盟首先要集中精力，找到一個可行的釕金屬去除的解決方案，使之能夠應用於高級金屬柵極材料。Air Liquide 將在他們的應用實驗室開發出適用的化學配方,然後，SEZ將在其位於亞利桑那州的鳳凰城在已安裝的單晶圓半導體設備上測試這種新穎的化學製劑解決方案。

　　SEZ全球新興技術部總監Leo Archer博士表示：「此番聯盟將為SEZ提供一個極好的機會，與業界領先的電子物料公司合作開發適合我們SEZ旋轉處理器平臺、行之有效的化學製劑。」他進一步強調：「能夠為客戶提供有效清洗諸如釕金屬類複雜材料的能力，充分利用了SEZ的核心技術，無疑將為SEZ提供開拓新市場的商機。而且，能有效應用於釕金屬蝕刻的化學製劑也極有可能適用於其他關鍵的高級金屬柵極材料蝕刻，可以改善客戶的擁有成本，為其它方面的應用可以提供新的機會。」

　　Air Liquide 和SEZ 集團將於2005年7月12-14日在美國加州舊金山Moscone Convention Center 舉行的SEMICON West 2005展會上參展。如若需要了解關於合作或這兩家公司和產品的更多信息，屆時敬請光臨北廳＃5302的 Air Liquide展臺和北廳＃5568的 SEZ集團展臺。