這三種製程工藝分別是：
「低功耗氮氧化矽電介質工藝」（代號28LP）;"High-K+金屬門高性能工藝「（代號28HP）以及」低功耗型High-K+金屬門工藝「（代號28HPL）。其中28LP製程技術臺積電此前曾多次宣稱會在明年第一季度（預計會在三月份左右）開始小批試產，這種工藝的特徵是柵極採用傳統的氮氧化矽電介質+多晶矽柵極進行製造，製造成本較低，實現較為簡單，主要用於手機和各種移動應用。。
而後兩種工藝28HP和28HPL則在
柵極部分採用了High-K電介質+金屬柵極的結構，與這兩種工藝技術有關的發展計劃則是臺積電
首次披露，臺積電稱
28HP工藝會在明年第二季度（6月份左右）開始小批生產，主打高性能，將應用於CPU、GPU、晶片組、FPGA、網絡、遊戲機和移動計算等常規應用。；而
28HPL工藝則會在明年第三季度開始小批生產，可用於手機、上網本、無線通訊、可攜式消費電子設備等。另外，臺積電還表示
自己在28HP/28HPL工藝中採用的是Gate-last工藝技術。
目前據各方面信息顯示Nvidia正在臺積電與Globalfoundries的28nm製程之間搖擺不定，而臺積電此番「表白」顯然在吸引Nvidia的注意力方面會起到一定的作用--當然，獲勝的前提是屆時晶片的良品率能夠達到合適的水平。
小資料：Gate-last是用於製作金屬柵極結構的一種工藝技術，這種技術的特點是
在對矽片進行漏/源區離子注入操作以及隨後的高溫退火工步完成之後再形成金屬柵極；與此相對的是
Gate-first工藝，這種工藝的特點是
在對矽片進行漏/源區離子注入操作以及隨後的退火工步完成之前便生成金屬柵極。由於
退火工步需要進行數千度的高溫處理，而Gate-last工藝則可令金屬柵極避開高溫退火工步，因此相比Gate-first工藝而言，
前者對用於製作金屬柵極的金屬材料要求更低，不過相應的工藝技術也更複雜，Intel便是Gate-last工藝的堅定支持者，而
IBM/AMD則將採用
Gate-first工藝製作32nm製程金屬柵極。
CNBeta編譯