致力於高功率密度碳化矽模塊的研發與生產,「利普思半導體」獲得...

2021-01-19 36氪

36氪獲悉,無錫利普思半導體有限公司(簡稱利普思半導體)近日完成Pre-A輪融資,由正泰集團領投、水木易德跟投,融資金額達4000萬元。利普思半導體成立於2019年11月,從事功率半導體模塊的封裝設計、生產和銷售。公司主要產品是應用於新能源汽車、充電樁、工業電機驅動、光伏逆變、醫療器械等場景的IGBT模塊和SiC模塊。

本輪融資後,利普思半導體將進一步增強技術和產品研發力度,加大市場推廣力度,早日實現IGBT模塊和碳化矽(SiC)模塊的大批量生產。

半導體行業產業鏈主要包括設計、製造、封裝測試及下遊應用等環節。利普思半導體從事的半導體模塊封裝在產業鏈中佔據重要地位,主要任務是將晶片封裝在模塊內,為晶片提供穩定可靠的工作環境,並提供晶片和應用系統之間的電、熱與機械的互聯。據中商產業研究院的數據,2019年我國半導體封裝測試的產業規模為為2494.5億元,2020年的產業規模將達到2841.2億元。

進行技術創新,提升半導體模塊功率

利普思半導體創始人梁小廣表示,功率模塊要面對高電壓、高發熱與各種苛刻的工作環境,產品結合了功率半導體、電氣、機械、材料、熱學、流體等多方面的學科,難度非常高。第三代半導體尤其是碳化矽(SiC)需要工作在更高的溫度,更大的電流密度,晶片散熱面積也只有IGBT的1/4以下,給散熱、可靠性與機械連接設計帶來極大的挑戰。

截至2020年9月,公司已獲得多項發明專利,在提升模塊電流能力和功率密度方面進行了多項技術創新。碳化矽晶片的表面連接採用全新的自主晶片連接專利技術(Arcbonding),可以在一個較小體積的碳化矽模塊裡邊封裝入多達20個碳化矽晶片。目前特斯拉使用的碳化矽模塊只實現了2個碳化矽晶片的在一個碳化矽模塊的封裝。這一技術極大提高了模塊的功率密度和可靠性,還進一步降低導通電阻和寄生電感。

利普思在系統散熱方面也有自己的Know-how,實現了晶片到散熱基板、基板到水冷系統的全銀燒結結合,以及更合理的水流散熱結構設計。滿足了汽車廠商對水冷散熱中的冷卻液壓力損失的最小化。

據悉,利普思半導體總部位於無錫,已經在日本建立了研發中心,目前初具規模。團隊成員平均半導體從業時間為20年,曾就職於三菱、東芝、三洋、日立等公司。未來團隊人員還會繼續擴充。

跟隨行業趨勢,打造碳化矽模塊

在半導體行業中,矽由於其突出的穩定性成為了第一代半導體材料。矽也是半導體產業的基礎材料。隨著行業發展,行業不斷對半導體的溫度、功率、電壓等指標提出新的性能要求,因此以碳化矽(SiC)材料為首的性能更好的第三代半導體材料開始受到終端用戶青睞。

利普思半導體的碳化矽基模塊產品

碳化矽具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優勢,能夠開發出更適應高溫、高功率、高壓、高頻等惡劣條件的小型化功率半導體器件,能有效突破傳統矽基功率半導體器件及其材料的物理極限。使用碳化矽基的MOSFET模塊和使用矽基的IGBT模塊相比,能量損耗和體積更小,可以大幅降低終端用戶的成本支出。

因此,碳化矽基的模塊適合應用於新能源汽車、光伏、充電樁等對電流強度要求更高的場景中,在未來有逐漸取代矽基IGBT模塊的可能。根據CASA聯盟發布的《第三代半導體產業發展報告( 2019)》預計,未來五年新能源汽車領域的碳化矽模塊市場規模的年均增長率將超過30%。

目前處於全球領先的晶圓供應商是科銳(Cree)和羅姆(ROHM)。據了解,近期科銳正投資10億美元以擴大其碳化矽製造能力,並已出售了其LED產品部門,要在未來專注於碳化矽晶圓的生產。

利普思半導體的兩位聯合創始人——晶片企業出身的梁小廣、新能源汽車行業出身的丁烜明都看到了碳化矽模塊的市場前景,想融合各行業的經驗,聯手實現碳化矽模塊技術的推廣。

據丁烜明介紹,汽車行業中,以特斯拉、蔚來、比亞迪為首的國內外車企和中車集團為首的國內企業的OEM (整車廠)和Tier1(一級供應商)都有用碳化矽模塊逐步取代IGBT模塊的需求。目前,利普思半導體已經和國內知名OEM和Tier1達成合作,合作開發主驅動控制器用的大功率碳化矽模塊,預計明年到後年實現量產出貨。

雙產品並行的商業模式

梁小廣表示,碳化矽模塊的市場將未來會逐漸擴大,但這一市場仍在起步階段,現在還不是公司的主要收入來源。目前公司也在生產IGBT模塊,以期獲得存量市場的收入。公司IGBT模塊的客戶來自於汽車行業、光伏行業和工業等領域。預計在2022年以前,IGBT模組帶來的收入都會佔到總銷售額的70%-80%左右。2022-2023年以後,碳化矽模塊的銷售額佔比將會逐漸增加。

目前,國內致力於IGBT和碳化矽模組研發的企業有英飛凌、斯達半導體等。德國企業英飛凌是半導體行業的國際巨頭。斯達半導體於2020年2月在A股主板上市,目前市值372億元。

據悉,英飛凌擁有生產IGBT晶片的能力,可實現自主供貨。斯達半導體自有產線,擬建設年超8萬顆車規級全碳化矽功率模組的生產線。

談及和這些企業相比的優勢,丁烜明表示,利普思運用的創新封裝技術,有大電流、高功率、低電感、高可靠性等技術優勢,在模塊封裝的細分領域獨家領先。同時,斯普思對模塊的下遊應用有更好的理解,能針對客戶需求進行定製化設計、生產。

今年,利普思半導體獲得的收入主要來自於IGBT和SiC模塊樣品的銷售,已與汽車行業、光伏行業的一些企業籤訂一些意向訂單,預計明年銷售額將得到快速上漲。

團隊方面,利普思半導體創始人梁小廣,上海交通大學研究生畢業,2004年畢業後就出國加入日本三菱電機功率半導體事業部。其間成功完成數款世界領先的功率器件。後在全球領先的汽車零部件一級供應商採埃孚從事第三代功率半導體(SiC)的模塊封裝技術研究,並取得多項發明專利。

聯合創始人丁烜明研究生畢業於上海大學電機與電器專業,曾任上海電驅動事業部總監,熟悉功率模塊市場和應用,以及OEM的供應鏈配套和質量體系要求。

投資方觀點:

本輪融資的領投方正泰集團的戰略投資部總經理程昱昊表示:「第三代半導體技術,相比較而言國內外差距較小,我們具有換道超車的機會。利普思作為國內領先的碳化矽模塊踐行者,具有完備的團隊架構、先進的技術和豐富的行業經驗,是國內一股不可忽視的新興力量。正泰希望通過本次投資,加強與利普思的深層次合作,依託正泰在工業和能源方面的產業基礎,賦能利普思下遊應用。」

水木易德投資管理合伙人趙俊超表示:「氫能源燃料電池汽車也是一種新能源電動汽車,而功率半導體器件在新能源電動汽車產業鏈中的位置十分重要,在能量形式的控制和轉換中起到核心作用。作為功率半導體模塊的優秀本土供應商,利普思將會在水木易德投資重點布局的氫能交通產業鏈中發揮重要作用。」

相關焦點

  • 「基本半導體」完成數億元B輪融資,打造行業領先的碳化矽企業
    創業邦獨家獲悉,2020年12月31日,致力於碳化矽功率器件研發及產業化的國內第三代半導體行業領軍企業「基本半導體」宣布完成數億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投,原股東力合資本追加投資。
  • ...科技」獲1.5億元B輪融資,研發新能源汽車電機驅動與功率半導體...
    臻驅科技成立於2017年,主要研發、生產和銷售新能源汽車動力總成和高性能國產功率半導體模塊。本次B輪融資將主要用於高性能電機控制器和高可靠性車規級功率模塊的量產、下一代高功率密度電驅動總成及碳化矽技術的開發與市場推廣。36氪曾報導,臻驅科技曾在2019年2月宣布完成4000萬元人民幣的A+輪融資,投資方是拓金創投基金、銳合資本和深圳中南荷多。
  • 第三代半導體材料之碳化矽(SiC)
    碳化矽(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片,製作晶片的核心材料按照歷史進程分為:第一代半導體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度矽),第二代化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導體材料(碳化矽、氮化鎵) 。碳化矽因其優越的物理性能:高禁帶寬度(對應高擊穿電場和高功率密度)、高電導率、高熱導率,將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。
  • ...IC風雲榜最具成長潛力公司候選24】基本半導體:穩健布局,碳化矽...
    基本半導體2016年在深圳設立,天眼查顯示其註冊資本為3556.8255萬人民幣,基本半導體致力於碳化矽功率器件的研發與產業化。基本半導體建立了一支國際一流的研發和產業化創新團隊,對碳化矽器件的材料製備、晶片設計、製造工藝、封裝測試等各方面進行研發,覆蓋產業鏈各個環節。
  • 成立一年半,華為哈勃投資喜提23家半導體公司| 鎂客網硬科技領域投...
    裕能新能源是一家磷酸鐵鋰研發生產商,建立以研發、生產相結合的自主創新機制,致力於磷酸鐵鋰和三元材料的研發和技術改良。  新材料   同光晶體  同光晶體完成B輪融資,由崑崙資本投資。  同光晶體是一家半導體材料碳化矽襯底研發生產商,主要從事第三代半導體材料碳化矽襯底的研發和生產,主要產品包括4英寸N型碳化矽單晶、6英寸導電型碳化矽單晶、高純半絕緣碳化矽襯底。  半導體   九同方微電子  九同方微電子完成A+輪融資,投資方為哈勃投資、深創投。
  • 起底第三代半導體,碳化矽產業深度解析
    隨著第三代半導體要被納入「十四五」計劃,現在市場對於第三代半導體可謂是關注度極高,那麼究竟國內第三代半導體的情況如何,我整理了下手中的一些材料,今天和大家一起分享下其中的碳化矽,我想這對於接下來參與是有價值的。01 什麼是第三代半導體?
  • 氮化鎵碳化矽第三代半導體概念龍頭股掘地而起 光學光電龍頭解析
    其中,碳化矽(SiC)材料可以在電動汽車領域發揮重要應用,尤其是在進入電動汽車時代後,一個汽車充電站往往要達到百萬瓦的功率,而傳統的矽基功率器件體積太大效率太低,碳化矽模塊則由於性能更優,因此能以更小的體積來滿足高功率的嚴苛要求。
  • 獨家首發|基本半導體完成數億元B輪融資,打造行業領先的碳化矽IDM...
    來源:創業邦創業邦獨家獲悉,2020年12月31日,致力於碳化矽功率器件研發及產業化的國內第三代半導體行業領軍企業「基本半導體」宣布完成數億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投,原股東力合資本追加投資。
  • 「研究報告」碳化矽(SiC)功率半導體產業正處在爆發式增長的前夜
    碳化矽(SiC)材料前景可觀。隨著SiC功率器件的成本下降,有望引領包括新能源汽車在內的諸多行業,在功率半導體使用上迎來大規模升級迭代,短期看與MOSFET、混合模塊等器件的結合路徑,在操作性和經濟性角度存在一定優勢,有望繼續成為部分主機廠商未來2-3年的新選擇、新需求。
  • 36氪首發|專注第三代半導體功率晶片設計,「天狼芯」獲數千萬人民...
    36氪獲悉,深圳天狼芯半導體有限公司(以下簡稱「天狼芯」)於近日宣布獲得數千萬人民幣A輪融資。本輪融資由青島大有資本領投,創享投資跟投。資金將主要用於晶圓採購、產品生產,擴充研發團隊及市場推廣。「天狼芯」是一家專注於高性能國產功率半導體晶片的Fabless(無產線晶片設計商)創業公司。
  • 碳化矽:第三代化合物半導體大勢所趨
    半導體產業的基石是晶片,製作晶片的核心材料按照歷史進程分為:第一代半導體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度矽),第二代化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導體材料(碳化矽、氮化鎵) 。碳化矽因其優越的物理性能:高禁帶寬度(對應高擊穿電場和高功率密度)、高電導率、高熱導率,將是未來最被廣泛使用的製作半導體晶片的基礎材料。
  • 揭秘第三代半導體碳化矽!爆發增長的明日之星,國產前途無量附下載...
    功率半導體的技術和材料創新都致力於提高能量轉化效率(理想轉化率100%),基於 SIC 材料的功率器件相比傳統的 Si 基功率器件效率高、損耗小,在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應用前景。
  • 第三代半導體材料之碳化矽(SiC)應用現狀及前景分析
    近年來,以碳化矽為代表的第三代半導體材料在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢,進一步滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求。,從而成為半導體材料領域最具前景的材料之一。
  • 碳化矽二極體和碳化矽MOS管你了解多少
    3、電力電子中的SiC使用SiC 生產的半導體設備有多種,包括肖特基二極體(也稱肖特基勢壘二極體,或SBD)、J 型FET(或JFET),以及用於大功率開關應用的MOSFET。SiC的利與弊SiC 基電力電子元件如此吸引人的一個原因就是,在既定阻斷電壓條件下,其摻雜密度比矽基設備幾乎高出百倍。這樣就可以通過低導通電阻獲得高阻斷電壓。低導通電阻對高功率應用至關重要,因為導通電阻降低時發熱少,從而減少了系統熱負荷並提高了整體效率。
  • 基本半導體主辦首屆汽車級碳化矽模塊與電機控制器技術閉門會圓滿...
    11月21日,在中歐第三代半導體產業高峰論壇期間,基本半導體同期主辦碳化矽功率器件技術交流會、汽車級碳化矽模塊與電機控制技術閉門會系列活動
  • 碳化矽(SiC)緣何成為第三代半導體最重要的材料?一文為你揭秘
    碳化矽MOSFET不僅適合於從600V到10kV的廣泛電壓範圍,同時具備單極型器件的卓越開關性能。相比於矽IGBT,碳化矽MOSFET在開關電路中不存在電流拖尾的情況具有更低的開關損耗和更高的工作頻率。  20kHz的碳化矽MOSFET模塊的損耗可以比3kHz的矽IGBT模塊低一半,50A的碳化矽模塊就可以替換150A的矽模塊。顯示了碳化矽MOSFET在工作頻率和效率上的巨大優勢。
  • 基本半導體完成數億元B輪融資,打造行業領先的碳化矽IDM企業
    2020年12月31日,致力於碳化矽功率器件研發及產業化的國內第三代半導體行業領軍企業基本半導體宣布完成數億元人民幣B輪融資,由聞泰科技領投,深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投,原股東力合資本追加投資。
  • IEEE發布寬帶隙半導體技術路線圖,押注碳化矽和氮化鎵材料發展
    一、什麼是寬帶隙半導體?寬帶隙半導體指的是在室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料,如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)。這類材料的帶隙(絕緣態和導電態之間的能量差)明顯大於矽。因此,寬帶隙功率設備消耗的能源更少,可以承受更高的電壓,在更高的溫度和頻率下運行,並且能夠從可再生能源中產生更可靠的電力形式。
  • 碳基半導體與碳化矽晶片有什麼區別
    這次,北大張志勇與彭練矛教授在高密度高純半導體陣列碳納米管材料的製備方式上獲得突破,意味著我們很有可能打破在矽晶體晶片上的落後局面,而直接進入到碳納米管晶片領域,說句牛氣的話,兩者不在一個緯度,一個是熱兵器,一個是冷兵器,差距很明顯。
  • 專注第三代半導體碳化矽領域,上海瀚薪獲上海半導體裝備材料基金等...
    集微網消息,上海瀚薪科技有限公司(以下簡稱「上海瀚薪」)1月11日宣布,公司近日完成Pre-A輪融資,本輪融資由上海半導體裝備材料基金領投,跟投方包括上汽集團旗下尚頎資本和恆旭資本、匯川技術的全資投資平臺匯創投等。