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恩智浦美國境內最先進6英寸射頻氮化鎵晶圓廠已通過認證
據臺媒報導，恩智浦半導體（NXP）宣布正式啟用位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，這是美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠。 恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產品將持續推出上市，預計2020年底將達到產能滿載。
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恩智浦(NXPI.US)在美設廠 生產5G氮化鎵晶片
來源：智通財經網智通財經APP獲悉，美東時間9月29日，據媒體報導，荷蘭半導體公司恩智浦(NXPI.US)表示，已在美國亞利桑那州開設了一家工廠，生產用於5G電信設備的氮化鎵晶片。據悉，氮化鎵是矽的替代品，被稱為第三代半導體。
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氮化鎵5G PA 現狀分析
5G基站對功率放大器（PA）晶片和其他射頻器件的需求正在日益增加，為不同公司和技術之間的對決奠定了基礎。 功率放大器器件是提升基站中射頻功率信號的關鍵部件。它基於兩種競爭性技術，即矽基LDMOS或射頻氮化鎵（GaN）。
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5G時代,手機射頻器件成本會超過主晶片?
到了5G單載波就可以做到100Mhz，5G基站一般採用64 TRX Massive MIMO天線，5G手機至少需要支持4×4的下行MIMO，2×2的上行MIMO天線，這意味著未來5G峰值速率至少將達到2Gbps以上。 由於4×4的天線陣列尺寸會大很多，因此射頻模塊化將會是5G射頻器件的一個趨勢。同時由於天線過多，需要支持SRS功能，在發射過程中選擇不同的天線。
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5G功放技術戰:GaN和LDMOS各擅勝場
當然，基站中的器件並不是只有PA，也有濾波器、射頻開關等器件，這些器件所用製造工藝也隨技術各有不同，也在隨技術發展而對器件工藝提出或大或小不同的新要求。 5G部署驅動了基於GaN的PA技術普及，中國的基站設備商在部署5G時採用了大量GaN工藝PA，其他國家的基站廠商在PA技術上跟隨了中國廠商路線。
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5G 「東風」 起,國產射頻產業鏈是否「萬事俱備」?
從4G網絡向5G網絡升級的過程中，5G手機中所需的射頻前端器件，包括功率放大器、天線開關、濾波器、雙工器和低噪聲放大器等數量和價值量都會成倍增加，射頻前端市場將大規模增加，根據Yole的預測，2023年射頻前端的市場規模將達到350億美元。
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氮化鎵作為第三代半導體材料,或成5G時代的最大受益者之一
1998年中國十大科技成果之一是合成納米氮化鎵； 2014年3月，美國雷聲公司氮化鎵電晶體技術獲得突破，首先完成了歷史性X-波段GaN T/R模塊的驗證； 2015年1月，富士通和美國Transphorm在會津若松量產氮化鎵功率器件；2015年3月，松下和英飛凌達成共同開發氮化鎵功率器件的協議；同月，東芝照明技術公司開發出在電源中應用氮化鎵功率元件的滷素LED
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國內外主要射頻晶片廠商介紹
日前，NXP宣布正式啟用位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6吋射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，此為美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠，現已通過認證，首批產品將持續推出上市，預計至2020年底達到產能滿載。
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5G射頻應用中,為什麼大家都看好氮化鎵(GaN)?
另外，氮化鎵還被用於射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料；其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏。 半導體物理學中，「能隙」是指使電子游離原子核軌道，並且能夠在固體內自由移動所需的能量。能隙是一個重要的物質參數，它最終決定了固體所能承受的游離電子和電場的能量。氮化鎵的能隙是3.4 電子伏，這是一個比較大的數字。
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美研發出新型氮化鎵器件!5G技術峰值速率超預期
「諧振隧穿二極體」的新型氮化鎵基電子器件，其應用於5G技術峰值速率超越了預期。作為第三代半導體材料的氮化鎵（GaN），是一種堅硬的高熔點（熔點約為1700℃）材料，具有高頻、高效率、耐高壓等特性，用於製作多種功率器件和晶片。氮化鎵在半導體材料領域的研究已經持續多年，近期廣為人知，是因為它可以用在充電器中。而充電市場並非氮化鎵功率器件的唯一用武之地，它還應用於光電、 射頻 領域。
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氮化鎵(GaN)在5G基站和通信設備系統中的應用
作為第三代半導體材料，氮化鎵(GaN)的研究和應用已經有20多年的歷史，但直到最近幾年才開始凸顯出其商業化的發展前景，5G更是成為氮化鎵(GaN)快速進入商用化的主要驅動力。 隨著5G的到來，通訊頻段向高頻遷移，MIMO技術的廣泛應用，基站和通信設備需要更高頻段更高效率射頻器件的支持。GaN射頻功率器件高功率密度、高效率、高截止頻率以及寬帶寬的優勢在微波射頻領域受到越來越多的矚目。
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5G射頻前端、基站、終端的測試難點分析
在晶圓、射頻前端（功率放大器PA、射頻開關、天線調諧器、低噪聲放大器LNA等）、基站及終端領域，NI與行業領先廠商均有合作。射頻前端晶片廠商正在逐步實現從Sub 6GHz到毫米波頻段的部署，隨著頻段的提升，射頻前端電路需要適應更高的載波頻率，更寬的通信帶寬，更高更有效率和高線性度的信號輸出功率。為實現更低的成本、更高的性能和更小的尺寸，射頻前端的集成化和模組化是必然趨勢。 ● 基站：隨著5G商用化進程的加快，5G基站端需求呈現井噴現象。
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5G產業鏈專題報告:射頻前端行業趨勢與格局解析
這是因為 GaAs 晶圓製造市 場中 IDM 公司雖然佔有超過 50%的生產規模，但近幾年由於專業代 工相對具有成本優勢，加上 IDM 公司對於產能擴充的投資趨於保守， 因此持續釋出更大比率的訂單給以穩懋為代表的晶圓製造代工廠。
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...IC風雲榜年度獨角獸候選8」英諾賽科:填補國內8英寸矽基氮化鎵...
本期候選企業：英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）英諾賽科於2017年成立，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與生產的高科技企業。英諾賽科採用IDM模式，集研發、設計、外延生長、晶片製造、測試與失效分析為一體，成功打造矽基氮化鎵全產業鏈平臺，產品涵蓋30-900V功率半導體器件，IC及射頻器件。
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怎樣在氮化鎵晶圓進行刻蝕工藝?
它的設計初衷是為矽晶圓進行反應離子刻蝕(RIE)(也被簡稱為等離子刻蝕)，可以迅速去除矽，以滿足大批量生產晶片的嚴格要求。當200毫米直徑的晶圓片還在生產，同時300毫米直徑的晶圓片開始生產時，它就登上了歷史舞臺——也就是說它有能力運行於兩種不同的晶圓尺寸。
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射頻從業者必看,全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀
緊接著，時代潮流轉進高頻多頻帶無線通訊後(eg 4G) , 不管是高中低階, 4G手機滲透率開始起飛,更有利的是所需PA組件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI 11.ac ,基站的射頻模組等等也是需要多加用料。這就增長了對射頻器件的需求。
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三代半導體——氮化鎵
傳統矽基功率器件和氮化鎵MOS對比除了快充，氮化鎵還有其他什麼重要應用？氮化鎵材料，目前有三個比較重要的方向，分別是光電領域，包括我們現在常見的LED，以及雷射雷達和VCSEL傳感器；功率領域，各類電子電力器件應用在快充頭，變頻器，新能源汽車，消費電子等電子電力轉換場景；射頻領域，包括5G基站，軍事雷達，低軌衛星，航天航空等領域。
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第三代半導體氮化鎵助力5G、快充、UVC!
從生產端看，GaN 功率半導體 已開始批量出貨，但其價格仍然昂貴。製造成本是阻礙市場增長的主要障礙，因為到今天 GaN 仍主要使用 6 英 寸及以下晶圓生產。一旦成本可降低到一定門檻，市場就會爆發。 基於手機快充的激烈競爭，OPPO、vivo、小米等中國手機廠商將帶動 GaN 功率市場快速增長。
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5G RF困擾促使Soitec尋求新的晶圓材料
Soitec的新材料研發包括：ZaAEETC-電子工程專輯●壓電絕緣體(POI)工程襯底——用於生產高性能表面聲波(SAW)濾波器組件，主要針對4G和5G新無線電(NR)波段。ZaAEETC-電子工程專輯●矽基氮化鎵(GaN-on-Si)和碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片。