美研發出新型氮化鎵器件!5G技術峰值速率超預期

2020-12-03 澎湃新聞

美研發出新型氮化鎵器件！5G技術峰值速率超預期

2020-05-22 03:06 來源：澎湃新聞·澎湃號·政務

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據報導，美國科研人員研發出了一款名為「諧振隧穿二極體」的新型氮化鎵基電子器件，其應用於5G技術峰值速率超越了預期。

研究人員表示：「氮化鎵基『諧振隧穿二極體』比傳統材料『諧振隧穿二極體』的頻率和輸出功率都高，其速率快慢的關鍵在於採用了氮化鎵材料。」

該氮化鎵基「諧振隧穿二極體」打破了傳統器件的電流輸出與開關速率的紀錄，能使應用程式（包括通信、聯網與遙感）獲取毫米波範圍內的電磁波以及太赫茲頻率。

作為第三代半導體材料的氮化鎵（GaN），是一種堅硬的高熔點（熔點約為1700℃）材料，具有高頻、高效率、耐高壓等特性，用於製作多種功率器件和晶片。

氮化鎵在半導體材料領域的研究已經持續多年，近期廣為人知，是因為它可以用在充電器中。而充電市場並非氮化鎵功率器件的唯一用武之地，它還應用於光電、 射頻 領域。

非常值得一提的是，在射頻領域，氮化鎵射頻器件適合高頻高功率場景，是5G時代的絕佳產品，將替代Si基晶片，應用在5G基站、衛星通信、軍用雷達等場景。

在政治局會議多次點名之下，5G基站的建設迎來高峰，相應的各種射頻器件、晶片數量和質量都在提升，市場需求旺盛。氮化鎵工藝正在逐步佔領市場，已經勢不可擋。

根據拓璞產業研究院預計，到2023年基站端GaN射頻器件規模達到頂峰，達到112.6億元。再加上衛星通信、軍用雷達的市場，據預測GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。

另外，GaN基紫外 雷射 器在紫外光固化、紫外殺菌等領域有重要的應用價值。疫情當前，中美都啟用了基於GaN的紫外光進行消毒殺菌，相關市場隨之增長。

文稿來源：選股寶、電子發燒友

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