氮化鎵(GaN)在5G基站和通信設備系統中的應用

2020-12-03 電子工程專輯


作為第三代半導體材料，氮化鎵(GaN)的研究和應用已經有20多年的歷史，但直到最近幾年才開始凸顯出其商業化的發展前景，5G更是成為氮化鎵(GaN)快速進入商用化的主要驅動力。


隨著5G的到來，通訊頻段向高頻遷移，MIMO技術的廣泛應用，基站和通信設備需要更高頻段更高效率射頻器件的支持。GaN射頻功率器件高功率密度、高效率、高截止頻率以及寬帶寬的優勢在微波射頻領域受到越來越多的矚目。


《電子工程專輯》主分析師顧正書將邀請Qorvo氮化鎵(GaN)技術專家王一楠和5G系統設計方案和營銷專家郝寧，一起討論實現5G的關鍵技術—氮化鎵（GaN）在5G基站和通信系統應用領域的市場機遇及面臨的設計挑戰。


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    【TechWeb】9月30日消息，據國外媒體報導，半導體廠商恩智浦在美國開設了一家氮化鎵晶圓廠，生產5G基站等所需要的射頻器件。恩智浦半導體在官網上表示，他們新開通的這一座工廠，是美國最先進的5G射頻功率放大器工廠，新工廠結合了恩智浦半導體在射頻功率器件方面的專業性和大規模製造的能力，將支持5G基站的擴張和先進通信基礎設施在工業、航空等市場的擴展。
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    本文主要介紹幾種基於現有蜂窩通信系統的無線定位技術的實現原理，所要解決的主要問題和應用前景。單從技術角度講，這種技術更容易提供比較精確的用戶定位信息，它可以利用現有的一些定位系統，例如，在移動站中集成gps接收機，從而利用現成的gps信號實現對用戶的精確定位。但這類技術需要在移動站上增加新的硬體，這將對移動站的尺寸和成本帶來不利的影響。第二類是由基站(bs)主導的定位技術，這種解決方案需要對現存的基站、交換中心作出某種程度的改進，但它可以兼容現有的終端設備。
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    IC、氮化鎵/碳化矽；在高速的大數據方面，通過LNA/開關、碳化矽/氮化鎵在基站實現出色的數據傳輸；在物聯網方面，有同類領先的傳感器和雷達。它們具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕便的設計，從而降低系統總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產品的公司。