縮短波長可能擴展EUV藍圖?

2020-11-26 國際電子商情

 現在正是再次探討縮短波長並了解其優缺點的時候了。我們不知道13.5nm和1nm之間的最佳選擇,所以我將這種新技術選項稱為Blue-X——其波長大約介於深藍極紫外光(EUV)微影和X射線之間。7Atesmc

縮短波長是持續擴展光學微影技術的一種選擇,著重在短於13.5nm波長的光源和光學元件,這些將在不久的未來實現這一技術。7Atesmc

升級至0.5的更高數值孔徑(NA),將必須付出十分昂貴的代價。不僅工具成本將倍增至2.35億歐元,較大尺寸的掃描儀也需要更龐大的費用來打造更大規模的晶圓廠。7Atesmc

一旦採用高數值孔徑作業,在考慮更高數值孔徑帶來更高成本的同時,也一併想到高數值孔徑的多重曝光,這樣可能更有意義。然而,縮短波長不僅能縮減數值孔徑,從而有助於提高解析度,同時降低工具成本以及功耗要求。7Atesmc

以k1係數約0.3的單次曝光為例,在13.5nm波長時,0.33 NA達到12nm的解析度,而在0.5 NA時可提高到8nm。業界一度關注的波長為6.7nm,但由於我們無法解決其功率問題,使得該選項缺乏頻寬而被放棄了。7Atesmc

相較於採用6.7nm波長,從0.33升級至更高NA有其優點:它讓我們能保持相同的功率、多層(ML)和光罩等基礎設施。畢竟,同時承擔太多挑戰並不是個好辦法。7Atesmc

我們已經了解如何根據雷射驅動電漿(LPP)、光學元件、汙染控制和光罩等方面調整功率了,接下來將能把這些學問應用於專為較短波長設計的掃描儀上。因此,我認為現在正是重新審視縮短波長選項的時候了。我建議我們在考慮其他技術選擇的優點和缺點時,一路持續關注至1nm。7Atesmc

光源和光學挑戰7Atesmc

過去,我們已經探索了11nm和6.6nm或6.7nm光源可能成為EUVL的較短波長了。氙(Xenon)可以提供11nm,而針對6.X-nm,鋱(Tb)和釓(Gd)則被視為LPP光源的材料源。7Atesmc

藉由增加目標材料的原子量Z,我們可以持續從LPP光源取得越來越短波長的光子。這些高Z材料並沒有單一波長可發射,但有一組非常接近的未辨識轉換陣列(UTA)波長。7Atesmc

總發射強度將對應於UTA的總振蕩器強度,必須針對每一個可能的UTA評估其潛在的轉換效率。7Atesmc

這是一個很有意思的領域,提供了幾種有趣的功能,如晶片的K邊緣、碳窗(carbon window)和水窗(water widow)。針對水窗(X射線波長範圍在2.34-4.4nm之間)近期已經有許多關於顯微鏡應用的開發。7Atesmc

然而,在產生這種數百瓦較短波長光子方面存在若干挑戰。最大的挑戰之一在於驅動雷射所需的功率。針對6.X-nm,所需功率估計約為100kW,而13.5nm則需要~40kW。7Atesmc

我曾經見過65kW CO2雷射的設計,但由於功率要求很高,此時可能值得研究其他替代雷射技術了。俗稱「星戰計劃」(Star Wars)的美國政府戰略防禦計劃目前採用的是1微米100kW雷射。7Atesmc

另一個具有吸引力的選擇是美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室(Lawrence Livermore National Laboratory;LLNL)的1.2微米雷射。它可以調整至300kW,同時保持小於CO2雷射的尺寸。7Atesmc

當然,我們還必須關注在1.2微米時的轉換效率(CE)。1微米Nd:YAG固態雷射的CE低於10微米CO2的CE。因此,在我們確定100kW驅動雷射的最佳選擇之前,必須先弄清楚幾件事。7Atesmc

傳輸效率和光阻劑7Atesmc

為了保持與當今掃描儀類似的傳輸效率,我們將會需要類似於現有的功率和ML反射率。我懷疑如果我們犧牲一部份在這些區域縮短波長取得的增益,以縮短的波長來看,功率要求和數值孔徑是否就能隨之降低。7Atesmc

6.7nm的ML反射率可能會類似於13.5nm,因而其成為一個理想選擇。而對於其他波長的ML,獲得高反射率的挑戰將十分困難。7Atesmc

在Blue-X區域探索的各種不同波長中,由於生物應用的前景,水窗(2.34-4.4nm波長)已經成為最主要的研究之一。例如OptiXfab最近展示用於水窗的ML收集器提升10倍性能,但反射率仍然不足30%,所以我們還有很長的路要走。7Atesmc

對於較短波長區域的ML,介面粗糙度似乎是提高反射率的限制之一。針對ML研究的新化學物質可望有助於我們將反射率提高到可接受的數值。7Atesmc

正如一位ML專家所說的,「我們喜歡有利的挑戰……還記得我們在13.5nm達到的成果吧?」對此,我將滿懷期待。讓我們看看在擁有強大UTA下,較短波長可以為我們帶來什麼。7Atesmc

編譯:Susan Hong7Atesmc

(參考原文:EUV Roadmap Needs Extension,by Vivek Bakshi, EUV Litho, Inc.)7Atesmc

相關焦點

  • 全面起底ASML的EUV光刻技術
    用於高端邏輯半導體量產的EUV(Extreme Ultra-Violet,極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸「步入」我們的視野,從7nm階段的技術節點到今年(2019年,也是從今年開始),每2年~3年一個階段向新的技術節點發展。
  • 中國科學家發現可縮短雷射波長光學晶體
    KBBF晶體能夠縮短雷射的波長,裝備該晶體的各種雷射器能發出具有極窄頻寬的紫外光波,可測量固體電子能級的解析度達到360微電子伏特;並可用於建造超高解析度光電子能譜儀、超導測量、光刻技術等前沿科學研究,對未來的微納米加工、生物醫學、雷射電視等將產生深遠影響。
  • 250瓦EUV光源成就EUV微影技術新突破,EUV微影技術將大量生產
    Dan Hutcheson就表示:「總有人一直說該技術不可能成功;確實花了很長的時間,但我們終究還是走到了某個地方。」原文連結: https://www.eeboard.com/news/euv/搜索愛板網加關注,每日最新的開發板、智能硬體、開源硬體、活動等信息可以讓你一手全掌握。推薦關注!【微信掃描下圖可直接關注】
  • 如果宇宙在擴展,我們也在擴展嗎?
    (插圖:美國國家航空航天局(NASA),哥達太空飛行中心)上個世紀最革命性的發現之一是,宇宙是靜止不變的,而是在積極擴展的事實。星系正在擴展嗎?恆星,行星,人甚至原子本身如何?這些問題的答案可能令人驚訝。
  • 量子級聯雷射器擴展到更短的波長
    由於法國Montpellier大學的Alexei Baranov及其同事的努力,量子級聯雷射器(QCL)現在能夠發射比以往更短波長的雷射。    該團隊製造出了基於InAs/AlSb材料的器件,能在80K的溫度下以脈衝模式工作,並在雷射波長2.75μ時達到每面0.3W的功率。第二個器件使用的是相同的材料體系,能在接近室溫的溫度下工作並達到每面1.5W,但是發射波長較長可達到2.97μ。
  • 浸潤式微影壽命延長EUV恐無出頭天?
    當193奈米微影技術在半導體製程技術藍圖上已經接近終點,下一代應該是157奈米微影;德州儀器( TI )前段製程部門經理Jim Blatchford雖然才剛完成採購先進157奈米微影系統的協商,他還是有點擔心這種未經驗證的技術。
  • 浸潤式微影技術強勢晉級,EUV技術可有出頭日?
    秩名 發表於 2012-12-26 09:40:25   當193納米微影技術在半導體製程技術藍圖上已經接近終點,下一代應該是157納米微影;德州儀器(TI)前段製程部門經理Jim Blatchford
  • 超快雷射波長轉換之差頻
    前面我們介紹了超快雷射光源波長擴展,即倍頻(和頻)系統。
  • 美國能源部試圖10年完成「永遠無法被劫持」的量子網際網路藍圖
    Department of Energy )在芝加哥大學舉行的新聞發布會上公布了一份報告,該報告提出了發展美國國家量子網際網路的藍圖戰略,從而使美國量子網際網路走在了世界前列,尋求開創通信新時代。早在今年2月,美國能源部國家實驗室、大學和工業界在紐約市開會,制定了美國國家量子網際網路的藍圖戰略,列出了需要完成該計劃的基本研究項目,描述了工程和設計的障礙,並設定了接近學期目標。美國能源部長丹·布勞耶特(Dan Brouillette)表示:「能源部為在國家量子網際網路的發展中發揮重要作用感到自豪。通過構建這項新興技術,美國將繼續致力於維護和擴展量子能力。」
  • X波段是什麼_X波段波長
    打開APP X波段是什麼_X波段波長 秩名 發表於 2011-12-31 17:16:31   波段在指定的最低波長與最高波長之間的波長範圍。
  • 林本堅:把半導體元件縮到光波長的四十分之一
    ,似乎是不可能完成的任務,我們需要跳出純光學思維,從半導體的角度去考慮如何實現它。 縮短波長和加大sinθ(目前可以做到0.93)都可以提升解析度,但這些都是有代價的,縮短波長λ、增加sinθ,DOF都會縮短,而k3和k1又是有關聯的,且比較複雜。
  • 高速、多波長、高效率,橫河最新光波長計AQ6150B/AQ6151B
    這兩款產品是橫河久負盛名的光波長計AQ6150及AQ6151的升級版,新產品在上一代波長計的高性能基礎之上,大幅提升了測量速度,功能也得到進一步擴展。 開發背景隨著通信幹線、城域網及數據中心網的不斷擴建,市場對高速光收發模塊及光傳輸系統的需求量日益增加,這就要求能夠快速高效地對光波長進行準確的測量。
  • 《星際戰甲》恐懼弓藍圖怎麼得 恐懼弓藍圖獲得方法
    導 讀《星際戰甲》遊戲裡的恐懼弓藍圖是擊殺Stalker或者Shadow Stalker掉落的,在任何任務中都有可能出現這兩種怪。
  • 中科院研發新型雷射光刻技術:不用EUV 直擊5nm
    半導體光刻最重要的指標是光刻解析度,它跟波長及數值孔徑NA有關,波長越短、NA越大,光刻精度就越高,EUV光刻機就是從之前193nm波長變成了13.5nm波長的EUV極紫外光,而NA指標要看物鏡系統,ASML在這方面靠的是德國蔡司的NA=0.33的物鏡,下一代才回到NA=0.55的水平。
  • 日本DNP首次成功研發用於5納米製程的高精度EUV
    但是,影印光源採用的是波長為 193 納米的 ArF(氟化氬)等準分子雷射,因此其解解析度是有限的。針對此問題,在 EUV 影印中,將波長為 13.5 納米的 EUV 用作光源,使數納米的圖案蝕刻成為可能。一部分半導體廠家已經將這種 EUV 影印技術應用在 5 納米 -7 納米製程的微處理器、尖端存儲元器件等方面,預計未來將會有更多半導體廠家將這種 EUV 影印技術應用在尖端工藝中。
  • WDXRF波長色散螢光光譜儀器的組成結構
    WDXRF波長色散螢光光譜儀器一般由光源、分光系統(分光晶體、測角儀、準直器)、檢測系統(探測器、數據記錄處理系統)組成。由光源激發出試樣中各元素的特徵X射線後,經過準直器投射到安裝。 在測角儀上的分光晶體上,分光晶體由測角儀驅動,將各特徵線進行衍射,再逐一進入探測器中,最後由數據記錄處理系統根據波長和強度分析元素的種類和含量。
  • 《未來藍圖》丨從未來回看當下,如何更好地成為自己
    如果要通過想像擴展命運、擴展未來故事藍圖,一定要超越目前局限認知範圍去看更大世界,把更大世界的一個可能性引入生命劇本,才有可能拓展未來藍圖。你沒有辦法用舊的自己換一個全新的未來,永遠沒有辦法用原有的認知去創造一個比原有認知更加無限大的未來。所以只有想像力足夠大,未來才有足夠的可能性和足夠的想像力。現在所有命運的呈現,都源於頭腦中的故事腳本。
  • 「量子網際網路」藍圖公布 美國拉響全球量子競賽
    在中美關係陷入不確定性的大背景下,近日,美國公布了量子網際網路發展的戰略藍圖,以支撐《國家量子倡議法案》的順利施行,確保美國處於全球量子競賽的前列。美國能源部的17個國家實驗室是美國量子網際網路戰略實施的主要支柱。美國國家實驗室制度始於20世紀上半葉,二戰期間及戰後,在國家戰略承擔和實施上,發揮了巨大的作用,滿足國家重大戰略需求是國家實驗室的主要使命。
  • 科學家們為一種永不失電的量子電池設計了藍圖!
    來自阿爾伯塔大學和多倫多大學的一組科學家已經為一種永不失去電能的「量子電池」設計了藍圖。顯然,這種電池還不存在,但如果他們知道如何建造它,它可能是一個革命性的突破能源儲存。他們還必須找到一種方法,將技術擴展到現實世界的應用程式中。
  • 有史以來最短波長的VCSEL誕生
    打開APP 有史以來最短波長的VCSEL誕生 MEMS 發表於 2021-01-04 13:54:21 據麥姆斯諮詢報導,瑞典查爾姆斯理工大學