日本DNP首次成功研發用於5納米製程的高精度EUV

2020-09-05 賢集網

8月31日消息,根據日媒DNP官網顯示,大日本印刷株式會社利用多電子光束繪製設備,研發了光掩膜(Photo-mask)的生產工藝,不僅可用於當下最先進的 EUV 光刻(Extreme Ultra-Violet :極紫外光刻),還可用於 5 納米(納米:10 億分之一米)工藝。

用於 5 納米尖端半導體的光掩膜的生產技術特點

在當今的半導體生產工藝中,可以利用影印技術在矽晶圓上繪十幾納米的圖案。但是,影印光源採用的是波長為 193 納米的 ArF(氟化氬)等準分子雷射,因此其解解析度是有限的。針對此問題,在 EUV 影印中,將波長為 13.5 納米的 EUV 用作光源,使數納米的圖案蝕刻成為可能。一部分半導體廠家已經將這種 EUV 影印技術應用在 5 納米 -7 納米製程的微處理器、尖端存儲元器件等方面,預計未來將會有更多半導體廠家將這種 EUV 影印技術應用在尖端工藝中。

DNP 作為光掩膜廠家,在 2016 年全球首例導入多電子光束繪製設備,且大幅度縮短了新一代半導體光掩膜的繪製時間,從而滿足了半導體廠家對高產率、高質量的需求。

此次,DNP 通過靈活運用多電子光束繪製設備的特性,自主設計了這項包含新感光材料的工藝,且根據 EUV 掩膜板的細微結構優化加工條件,首次成功研發了用於 5 納米製程的高精度 EUV 影印的掩膜板生產工藝。

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