IBM展示32納米High-K製程 性能比45納米提升35%

2020-11-23 華強電子網

IBM展示32納米High-K製程 性能比45納米提升35%

來源：伺服器在線 作者： 時間：2008-05-05 08:00

    　　IBM及其技術聯盟廠商，包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、特許半導體(Charter Semiconductor)、飛思卡爾(Freescale)、三星(Samsung)和東芝(Toshiba)日前宣布，已在IBM位於美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠，成功展示了32nm High-K金屬柵極製程技術，號稱可提供在性能與耗電上超越其他同業的解決方案。
    
    　　據該聯盟表示，其32nm製程High-K金屬柵極技術與45nm製程相比，能夠在相同的電壓下將性能提高35%，同時能降低30%~50%的功耗。此外根據測試結果，該技術應用於業界標準微處理器時，可比傳統的技術(Poly/SiON)在相同的製程節點上提升40%的性能。
    
    　　新技術預計可在2009下半年供IBM與其聯盟夥伴應用，而其客戶則能立即使用該製程進行組件設計。
    
    　　晶圓大廠臺積電(TSMC)也悄悄地進行了High-K金屬柵極技術的研發，但尚未公布推出的時間表；此外其他業者包括富士通(Fujitsu)、中芯國際(SMIC)與聯電(UMC)，也在各自開發High-K金屬閘極製程解決方案。
    
    　　迄今僅有英特爾(Intel)與NEC已宣布可出貨採用High-K材料的邏輯組件；前者是採用45納米製程的High-K金屬柵極處理器，後者的產品則是採用55納米製程的ASIC。

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