IDF 2007:馬博談45納米High-K技術

2020-11-23 中關村在線

IDF 2007：馬博談45納米High-K技術

CNET中國·ZOL

作者：中關村在線 劉一非 責任編輯：

劉宇峰 【原創】 2007年04月18日 12:02

評論

　　2007年4月18日，CNET（中國）·ZOL北京報導：今日，英特爾信息技術峰會（Intel Developer Forum，IDF）在北京國際會議中心繼續召開。

　　眾所周知，英特爾在晶片發展方面擔當著行業領導者的角色，不僅率先推出了 90納米應變矽技術，而且目前又首家推出了45納米高金屬柵極電晶體。在一場名位「晶片技術的領先地位與全新擴展範例」的主題演講中，英特爾高級院士馬博從技術角度對這些卓越成就進行了深入闡述。

　　英特爾將在新一代45納米Penryn核心處理器上採用高介電薄膜（High-K Dielectrics）和金屬門集成電路。當前使用的多晶矽門（Polysilicon Gate）將被一個金屬層代替，而基座與電晶體之間的二氧化矽層也將被一個高介電薄膜所取代。英特爾採用高K技術和金屬門電晶體可能比製程的提升更為有效。

　　英特爾的手冊中指出，運用高K技術和金屬門電晶體可以將電流提升20%，這反映到性能上也就是約20%的性能提升。與當前的酷睿2桌面處理器相比，採用新技術的Penryn處理器在源極漏極的電流洩露將減少5倍，而介電薄膜的電流洩漏將減少10倍。

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