省電更涼爽 Intel 45nm使用High-K技術

漏電減10倍 Intel揭秘45nm High-K技術

Dailytech網站通過採訪英特爾高層Mark Bohr、副總裁Steve Smith確認了下一代45nm處理器Penryn家族的一些特性,包括支持SSE4、高K技術和金屬門電晶體。　　目前英特爾最受人關注的就是下一代酷睿處理器Penryn。

IBM陣營high-k技術發生變化

High-k 45nm 酷睿2四核處理器Q9300性能測試

這些都表明了：消費級高效計算依然在保持著高速發展態勢，更多的Server級應用正在往消費級遷移，並行處理、虛擬化、高級內存管理技術等對處理器提出了更好的要求。而High-k 45nm新技術的推出，使電晶體的性能提升～２０％，漏電流降低９０％。在相同的架構下，High-k 45nm 的處理器性能大大提升，同時功耗大大降低。

半導體電鍍中45nm銅工藝面臨的挑戰

慧聰表面處理網：摘要：本文綜述了銅工藝即將面臨的各種變化，包括擴散阻障層(barrier)、電鍍添加劑、覆蓋層以及與多孔超低k電介質之間的整合等。隨著半導體向45nm工藝的深入發展，銅工藝技術不可避免地要發生一些變化。

臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節點high-k 閘極介電層量產製程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/94073.htm　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行製程開發活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節點開發計劃提供額外的 Pulsar 製程模塊。

臺積電、聯電45nm技術實力愈來愈接近?

臺灣《電子時報》今天報導，臺灣半導體晶片代工雙雄臺積電、聯電將在明年下半年雙雙邁進45nm工藝大門：臺積電、聯電技術實力愈來愈接近？聯電預估，2007年下半45nm製程低耗電製程晶片投入試產，並於2008年推出泛用型製程，臺積電也規劃2007年第三季45nm製程投產，使得2家公司極可能在45nm製程世代面對面競爭。

編輯教你選45納米處理器_Intel 酷睿2四核 Q9550(盒...

從低到高，各個價位，各個檔次的CPU產品目前都已經鋪墊有45nm技術的產品，對於這些產品每個消費者的需求不同自然也就會有不同的選擇。由於發熱量的降低，也為處理器的超頻打下了堅實的基礎，這也是為何有很多用戶都將自己手中的45nm超頻至很高頻率後還可以正常使用的原因。　　說到這裡，可能很多讀者對於45nm的概念還依然是很模糊。那麼我們就來深入解釋一下45nm到底是什麼模樣。

酷睿i5 10600k對比R5 3600X哪個好與銳龍5 3600X評測

酷睿i5 10600k對比R5 3600X哪個好與銳龍5 3600X評測　　i5 10600k屬於intel十代i5系列的頂級型號，從規格參數上來看i5 10600k和amd的銳龍R5 3600X非常相似，都是6核12線程，也都支持超頻。i5-10600k作為一款新產品，其性能到底如何？

甜品店用的冷藏展示櫃怎麼使用才能更省電

隨著人們生活水平得提高，冷藏展示櫃成為大型超市、餐廳酒店、甜品蛋糕店等場所主要的製冷設備；在這些場所，冷藏展示櫃的使用時間是相當長的，幾乎每天沒日沒夜的都在運轉，其耗電量是相當大的；要節省成本開支，是冷藏展示櫃更省電更耐用我們應該如何正確使用呢

HKMG: High-K Metal Gate–The Road so far!

自從1958年IC問世以來，隨著半導體製程技術的演進，電晶體尺寸一路Shrink/Scaling。而隨著尺寸的Shrink/Scaling，必然伴隨新的技術或材料的使用才能一次次突破摩爾定律的極限，滿足新的器件物理或電學特性，此處僅以柵極詳述其發展歷程。

突破intel十代酷睿官方限制,ASRock主板支持非K CPU超頻!

ASRock主板在前幾篇文章中依依醬介紹過某些品牌的高端Z490主板在硬體層面上是支持PCIe 4.0的，但是由於intel十代酷睿本身的限制並不能Z490主板並能很好的原生支持，對此技嘉主板的廠商代表則表示下一代的intel

從10μm到45nm!英特爾CPU工藝發展史

從10μm到45nm！與0.35微米工藝相比，使用0.25微米製程可使處理器的運算速度提升一倍以上，且工作電壓更低，功耗更少。同時，晶片的封裝面積更小、成本更低、功能也更強。採用0.25微米工藝的Intel處理器主要有Pentium Ⅱ（Deschutes核心）、Pentium Ⅲ（Katmai、Confidential核心）及賽揚（Mendicino核心）等。

HKMG(High-K 柵氧化物層 +Metal Gate)技術

我們知道簡單的SiO2的介電常數k =3.9。根據等式COX = EOX / TOX，如果能找到具有較大介電常數的材料，那麼柵就可以採用較厚的介質，得到高的柵氧化物電容，因而洩漏較小。按照這一想法採取的第一個步驟是大約在130nm工藝節點前後，人們引人了氮來形成氮氧化物( oxynitride)柵介質，稱為氮氧化矽(SiON), 它能提供的K值為4.1-4.2。