臺灣《電子時報》今天報導，臺灣半導體晶片代工雙雄臺積電、聯電將在明年下半年雙雙邁進45nm工藝大門：
臺積電、聯電技術實力愈來愈接近？聯電預估，2007年下半45nm製程低耗電製程晶片投入試產，並於2008年推出泛用型製程，臺積電也規劃2007年第三季45nm製程投產，使得2家公司極可能在45nm製程世代面對面競爭。同時，聯電更大手筆投資浸潤式顯影製程，從2005年起已投資新臺幣逾100億元添購ASML機臺，臺積電、聯電加碼先進位程毫不手軟。
臺積電與荷蘭設備業者ASML多年前攜手開發浸潤式微影技術，臺積電同時也是浸潤式微影機臺全球第一家客戶，時至今日，浸潤式顯影已為半導體業界公認是克服光學繞射極限，得以延續摩爾定律至45nm以下製程的重要技術。而ASML也從2003年推出首臺浸潤式機臺AT 1150i，演進迄今的第五代機種XT1900i讓40nm以下製程技術得以成為可能。
臺積電錶示，目前其45nm製程浸潤式微影技術已經取得重大突破，最佳狀況是缺陷密度為零，換句話說，技術跑在前面的臺積電45nm製程浸潤式微影技術顯然已達一定成熟度；據臺積電統計，2005年至今，臺積電添購ASML機臺勇冠國內業者，約逾180億元，而臺積電總執行長蔡力行日前也表示，儘管擴產腳步放緩趨謹慎，但投資技術絕不手軟。
不過，聯電也加緊投資浸潤式微影技術，據統計，從2005年迄今，用以購買ASML機臺的投資金額也近110億元，聯電研發金額約是臺積電的60％，就連浸潤式微影投資金額，雙方差距亦與此比例相當。據了解，聯電45nm製程將以ASML第四代機種XT 1700i為主，目前也已在12A廠完成工具建置。
值得注意的是，聯電估計，2007年下半45nm製程投入試產，率先推出的將是低耗電製程，從製程應用的市場角度觀之，極可能是由聯電手機晶片客戶先採用；而聯電預計，2008年上半推出45nm泛用型製程。儘管聯電從未正式公布45nm製程進展規劃，不過從臺積電、聯電都將於2007年下半投入45nm製程試產，雙方又再度面對面競爭。