正值英特爾IDF 2012峰會召開之際,研發代號為Ivy Bridge的第三代英特爾酷睿處理器正式掀開了神秘面紗,英特爾此次繼續追隨摩爾定律的步伐,將處理器的製程工藝從之前的32納米提升至22納米,再次實現了革命性的技術改進,Ivy Bridge不僅僅是第一個實現22納米工藝的量產處理器,也開創性的將3-D三柵極(3-D Tri-Gate)電晶體技術引入到新的處理器產品中來。
英特爾IVB處理器系列
2012 年正處於英特爾 Tick-Tock 的 Tick 年, 按照 Tick-Tock 的基本原則,英特爾將在 2012 年推出採用比往年更精密的製程工藝,而今年英 特爾的處理器晶片製造也將會升級到22納米。
大於一億個22納米三柵極電晶體才能放置在針頭上
22納米製程工藝的進化十分驚人,在英特爾IDF 2012峰會上,英特爾副總裁施浩德向大家展示一塊直徑300毫米的標準晶圓,大致數一下可以發現,縱向最多有37個內核,橫向最多則是15個,單個內核的尺寸大概是8.1×20毫米,也就是162平方毫米。相比之下,32nm工藝Sandy Bridge四核心的內核尺寸是216平方毫米(面積縮小約25%)。
22納米晶圓
根據英特爾產品市場部擔任資深架構經理 趙軍先生的介紹:一個句號上就可以容納超過600萬個22納米電晶體,除此之外,第三代智能酷睿處理器不僅僅是製程技術從上一代的32納米跨越到22納米,更重要的是採用了革命性的3-D三柵極電晶體技術,從而使得處理器電晶體數量達到十四億!
個人電腦正在發生著翻天覆地的變化,更小的體積、外觀設計的多樣化、操作更加簡單、應用更加多樣,對於處理器的運算性能、功耗表現和多媒體表現等都提出了較高的要求,工藝製程更新至22納米的Ivy Bridge將是處理器發展史的一次全新的革命。
自從1947年電晶體問世以來,電晶體技術飛速發展,為開發更強大、成本效益更好、能效更高的晶片產品鋪平了道路,傳統的電晶體架構(2-D 平面結構)已經在微電子學使用了將近35年:經典的電晶體包括1個可以控制的電極和在它下面的電流順序通過的另外兩個電極。就這樣,電晶體架構呈現出一種二維的狀態。後來,Intel研發新工藝製程和新電晶體架構時發現了2-D的瓶頸,於是決定多管齊下全方向減小柵極的漏電、降低處理器功耗,提高處理器性能。
Intel 3-D三柵極電晶體
科學家研發出來3-D結構時非常興奮,相對於2-D平面柵極結構電晶體來說,三柵極電晶體是根據柵極具有三面而命名的。平面柵極變成了立體柵極,從能耗的角度來看,22納米電晶體可以在1秒內開關1000億次,Intel的3-D三柵極電晶體對比2-D平面柵極電晶體,前者可以使晶片能夠在更低的電壓下運行,同時減少漏電量。
2-D 平面結構電晶體
3-D三柵極電晶體,代表了電晶體技術本質上的轉變,電晶體通道增加到第三維度,電流是從通道的三面來控制的,而不像傳統平面電晶體,只從頂部控制。就像摩天大樓通過向天空發展而使得最大限度地利用城市空間,3-D三柵極電晶體結構同樣提供了一種提高電晶體密度的創新方法。其結果是能更好的控制電晶體的開關、最大程度有效利用電晶體開啟狀態時的電流(實現最佳性能),並在關閉狀態時最大程度減少電流(降低漏電)。
與之前的平面電晶體相比,22納米的3-D三柵極電晶體將提供前所未有的高性能和能效。與之前的32納米平面電晶體相比,22納米3-D三柵極電晶體在低電壓下將性能提高了37%,並且只需要消耗不到一半的電量,就能達到與32納米晶片中二維平面電晶體一樣的性能。
3D電晶體晶圓電路直接立起來
除此之外,第三代智能英特爾酷睿處理器還帶來了很多新的改變,如支持原生USB3.0標準,Configurable TDP技術,支持DX11顯示性能更強大的新一代核芯顯卡HD4000系列,配套晶片組方面,Ivy Bridge處理器將搭配新一代Panther Point 7系列。
在22nm製程工藝以及3D電晶體是第三代智能英特爾酷睿處理器最大的變化,今年的超極本、一體臺式機都屬於創新之作,但同時在應用上,對3D遊戲、高清視頻和多媒體社交上對運算性能提出了更高的要求,而之所以反覆提到3-D電晶體技術的革命性作用,是因為其不僅僅在消費電子領域得到廣泛應用,對於一些家電、航空、醫療等傳統行業也可以給予強大的技術支持。
新工藝處理器將在超極本上發揮作用
近期,中關村在線將對代號Ivy Bridge智能英特爾酷睿第三代處理器筆記本產品進行評測,22納米和3-D電晶體技術對即將到來的新產品會有哪些影響?我們的生活又會帶來哪些改變?讓我們拭目以待吧。
在我們的筆記本電腦論壇中,已經發起了Ivy Bridge彗星碎片搜集活動,感興趣的網友朋友們,快來一探究竟吧。
進入活動傳送門:http://nbbbs.zol.com.cn/1/2_4080.html