傳Intel22nm節點製程工藝細節:Finfet+平面型架構

2021-01-21 CSDN技術社區

據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm製程工藝的部分技術細節，據稱Intel的22nm製程工藝的SRAM部分將採用FinFET垂直型電晶體結構，而邏輯電路部分則仍採用傳統的平面型電晶體結構。消息來源還稱Intel「很快就會」對外公開展示一款基於這種22nm製程的處理器實物。不過記者詢問Intel發言人後得到的答覆則是:「我們不會對流言或猜測進行評論。」

儘管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm製程SRAM的部分細節和實物，不過按Intel發言人的話說：「我們目前為止一直對22nm製程技術的技術細節守口如瓶。」過去幾個月以來，外界普遍猜測Intel近期會公布其22nm製程的有關技術細節和產品實物，而且Intel的發言人也沒有否認這種說法。

據消息來源稱，Intel這種Finfet/平面型電晶體結構混合的方法可令SRAM部分的電晶體密度更高，且更易於對Vmin值進行控制，與此同時，相對較複雜的邏輯電路部分採用平面型電晶體結構則可降低工藝的複雜性。多年來，出於商業宣傳的目的，Intel一直將自己所使用的垂直型電晶體技術稱為「三柵( TriGate)架構」，不過三柵電晶體與Finfet並不存在本質的區別，均是通過採用溝道被多個柵極圍繞的設計來增強對溝道的控制。

假如這則消息屬實的話，那麼5年之後Intel在製程技術方面無疑又站到了業界的最前列。5年前的2007年1月份，Intel宣布在45nm製程產品中集成HKMG工藝，並同時推出了基於這種技術的多款處理器樣品。

去年舉辦的IEDM大會上，Intel沒有發表任何有關的重要文件，此舉引發外界的廣泛猜疑，許多人均認為此舉表明Intel很快就會推出自己的三柵技術。

假如消息為真，那麼Intel在應用Finfet垂直型電晶體技術方面顯然又一次領先了對手，此舉無疑將對其它晶片製造公司製造一定的壓力，有可能會促成這些公司對自己的20nm/14nm技術發展路線圖進行一些修改。預計一些公司未來將使用Finfet技術，比如臺積電便是Finfet工藝的倡導者之一。而另外一些公司如意法半導體等則明確表示將在14nm製程節點啟用平面型的全耗盡型SOI技術（FDSOI）

去年6月份，臺積電高級副總裁蔣尚義宣布公司將於14nm製程節點轉向使用Finfet技術，並對有關的設計工具，技術體系等進行重新設計。有消息來源表示臺積電若想如期在14nm製程轉向Finfet技術，需要作為其客戶的晶片設計廠商從現在起就開始變更晶片設計方法，這樣屆時其產品才能用上14nm製程的Finfet技術來製作。因此這位消息來源認為臺積電在14nm製程應用的初期會首先推出一款基於平面型體矽製程的工藝，然後才推出基於Finfet技術的高性能製程。

IBM方面則表現得有點「腳踩兩隻船」，他們在往屆大會上發布的文章既有涉及Finfet，也有涉及FDSOI工藝。而GlobalFoundries則在其舉辦的2010年的一項會展儀式上明確表示22/20nm製程節點會繼續使用平面型電晶體技術，不過HKMG製造工藝方面則會從現用的Gate-first改為Gate-last，他們還將繼續同時提供基於體矽和SOI兩種製程的產品。不過GlobalFoundries目前為止並未透露其14nm製程節點的有關動向。

2009年，Intel曾展示了基於22nm製程的SRAM試製產品，當時他們宣稱其22nmSRAM包含有3.64億個記憶單元，並稱其SRAM單元電晶體採用了兩種不同的尺寸設計，一種為0.108x0.108平方微米結構，另外一種則為0.092x0.092平方微米結構，前面一種結構的單元電晶體據稱專為低電壓條件下的操作優化，而後面一種結構的電晶體則專為提高電晶體密度而優化，Intel並稱這塊試製晶片內含29億個電晶體。

原文連結：Intel May Adopt Hybrid FinFET/Planar Technology for 22nm MPU Rollout

譯文連結：http://www.cnbeta.com/articles/137979.htm

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