《Intermetallics》發表論文首次揭示納米氧化物對高熵合金結構和性能的影響

2020-09-03 特鑄雜誌


高熵合金(HEAs)由於其優異的力學性能,如高硬度和強度、優異的耐腐蝕性、優異的抗疲勞性能和良好的熱穩定性等,近年來得到了廣泛的研究。CoCrFeNi是一種具有優良延展性的面心立方結構HEA,在實際應用中,研究人員嘗試通過各種方法來提高其強度。機械合金化(MA)能製備具有優良均勻性的納米結構材料,火花等離子燒結(SPS)比傳統的燒結方法需要更短的固結時間,能最大程度地保留納米晶,因此MA和SPS是製備具有優異強度和熱穩定性的納米晶CoCrFeNi HEA的有效途徑。另外,氧化物彌散強化(ODS)是提高材料力學性能的一種有效方法,在HEAs中得到了廣泛的應用。如今,在報導過的ODS-HEAs中,氧化物顆粒的尺寸通常大於10納米,而實際上具有細化粒度的分散氧化物顆粒對改善ODS材料的力學性能更為有效,這卻鮮少有報導研究。

基於以上背景,北科大常永勤課題組提供了一種將氧化粒子引入CoCrFeNi HEA的有效方法,並於《Intermetallics》期刊上發表了一篇題為「Microstructures and Mechanical Properties of Oxide Dispersion Strengthened CoCrFeNi High-Entropy Alloy Produced by Mechanical Alloying and Spark Plasma Sintering」的論文,採用MA和SPS製備了CCFN和ODS-CoCrFeNi HEAs,並對其微觀結構和性能進行了詳細研究。


論文連結:https://doi.org/10.1016/j.intermet.2020.106819

對合金微觀組織的觀察結果發現,HEAs是由少量Cr7C3和Cr2O3相的FCC基體組成,其主要形成於SPS過程中,並且少量MnCr2O4相僅存在於CCFN HEA中。


在ODS-CCFN HEA中,平均直徑為6.9×4.2 nm的高密度Y2Hf2O7顆粒均勻分布於基質和Cr7C3顆粒中。晶格錯配計算表明,這些Y2Hf2O7粒子與基體保持相干取向關係,與Cr7C3粒子保持半相干取向關係。所有相的平均尺寸,包括晶粒、Cr7C3和Cr2O3,在ODS-CCFN中得到了高度細化。由於相界面的界面能較低,基體中的Y2Hf2O7粒子比Cr7C3中的更加穩定。

與CCFN HEA相比,在ODS-CCFN HEA中,NPs可以通過固定晶界和位錯的移動來有效地抑制晶粒的生長,同時由於NPs的引入,晶粒、Cr7C3和Cr2O3均得到了細化。由於Cr7C3中Y2Hf2O7的存在,Cr7C3的精煉效果比Cr2O3更明顯。

力學實驗結果表明,由於加入了Y2Hf2O7粒子,使得ODS-CCFN的硬度大大高於CCFN。HEAs的嚴重晶格畸變會引起強烈的電子散射,降低自由電子的遷移率,HEAs的電阻率高於304SS。

ODS-CCFN HEA的屈服強度由原來的978 MPa提高到1.25 GPa,比CCFN HEA高28%,而延伸率從2.6%合理下降到1.9%。強化機理分析表明,ODS-CCFN HEA強度的提高主要是由於Y2Hf2O7和精細化晶粒、Cr7C3和Cr2O3顆粒的析出強化。另外,斷口表面觀察到許多不同直徑的韌窩,說明兩種合金均表現出脆性和韌性混合斷裂模式,但是ODS-CCFN HEA中只觀察到較大的韌窩,大部分區域出現脆性斷裂,這說明由於氧化物的引入,ODS-CCFN HEA的延展性降低。

與CCFN HEA相比,ODS-CCFN HEA的電阻率低於CCFN,說明引入Y2Hf2O7粒子降低了ODS-CCFN HEA的電阻率,其原因可能是ODS-CCFN HEA中Y2Hf2O7與基體之間存在更多的晶界和高密度界面,高密度相的Y2Hf2O7粒子降低了基體的點陣畸變,使電阻率降低。



ODS-CCFN HEA在H2SO4溶液和NaCl溶液中的耐蝕性都得到了很大的提高,這是由於Hf和Y2O3的加入大大降低了其鈍化電流密度,使得鈍化行為更容易發生,鈍化膜迅速形成。

綜上所述,文中考察了納米氧化物的引入對其拉伸性能、電阻率、耐腐蝕性能的影響,並對其增強機理進行了進一步的探討。通過研究氧化物顆粒的加入對合金組織和性能的影響,提出了一種切實可行的提高合金性能的方法,使其在實際應用中更具前景。

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