半導體專題 | 韓國半導體是如何崛起的?

2021-01-09 格隆匯

作者:格隆匯 大胖龍

編者按:當前,中國經濟進入調結構轉型關鍵期,過去的鋼筋水泥無法帶來自主產業發展的主導權,中興缺芯之痛,讓國人不禁唏噓,偌大的國家,居然連所有人都在使用的晶片都造不出來。與近鄰韓國相比,我們在半導體行業落後了30年,80年代的韓國重金砸研發,搞出了存儲器晶片,這兩年經濟復甦,存儲器晶片價格翻番漲,韓國人從我們身上賺取了百億美金利潤,還有高通、博通、英特爾他們。每年,我們進口的晶片價值2000億美金,和進口石油的規模差不多,這每年的2000億美金進口額,是中國現代化的恥辱,是我們「鋼筋水泥」粗放式發展的帶來的苦果。

慶幸,政府與產業界人士已然決心改變現狀。大基金二期已經成立,國內半導體產業正煥發出從未有之勃勃生機。半導體領域的創新創業正如火如荼展開,是挑戰也是機遇。

值難得的歷史性投資機遇之際,有幸與各位分享半導體的「那點事」。

提及韓國半導體發展歷史,不能不提及三星,奠定韓國半導體產業在全球地位的正是破釜沉舟、矢志不渝堅守半導體產業的三星。

2017年半導體產業締造了一項新紀錄。

這項記錄便是三星將英特爾擠下全球半導體營收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來連續25年「全球第一大廠」的名頭就此讓位。Gartner最新的統計結果顯示,2017年全球半導體營收總計4204億美元,較2016年的3459億美元增長21.6%。

根據IC Isights等機構的統計數據,從營收來看,全球前三大半導體公司中韓國佔據兩席,三星、SK海力士分別位居一、三名。

目前三星電子已佔全球DRAM內存晶片市場44.5%的份額;另一家韓國廠商海力士的市場份額則達到27.9%,兩者相加已接近全世界市場的70%。

三星電子歷年營收與利潤表現:

三星電子2017年因存儲晶片價格大漲帶來盈利能力上升:

自20世紀80年代三星建立半導體研究與開發實驗室起至今,韓國半導體產業發展可謂「勵志」。

不到40年的時光中,韓國的半導體產業在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下,從一片荒蕪逐漸生長為半導體產業之林的巨擘,離不開密集的技術援助、政府的強力保護以及企業的「工匠精神」。

那麼,韓國半導體產業是如何崛起的呢?在中國急需發展半導體產業實施進口替代以及產業自主的情況下,極具借鑑意義。

1

打造根基:「政府+大財團」的模式

韓國的半導體產業以技術引入起步,經過20年左右的沉澱,在晶片設計與加工技術等領域完成了自身技術積累。

1959年,LG公司的前身「金星社」研製、生產出韓國的第一臺真空管收音機,這也被認為是韓國半導體產業的起源。但當時的韓國並沒有自主生產能力,只能對進口元器件進行組裝。

20世紀60年代中期開始仙童半導體(Fairchild)和摩託羅拉(Motorola)等美國公司越來越多地投資於東南亞等低價勞動力國家,以降低其生產成本,韓國從這一趨勢中獲益,但僅停留在經濟層面。

OECD(經合組織)在一份報告中指出,對於這些美國投資者的子公司而言,韓國只是「飛地」,對於韓國的技術進步未起到任何作用,「他們只是專門從事簡單的電晶體和ICs的組裝,用於出口,所需的材料和生產設備都是進口的」。

到了20世紀70年代,三洋(Sanyo)和東芝(Toshiba)等日本公司半導體公司也開始在韓國投資。但直到20世紀80年代初,韓國的半導體工業仍然非常局限,只是一個簡單的、勞力密集的組裝節點。

隨著20世紀70年代外部世界市場環境變化以及韓國工資水平的提高,韓國輕工業產品出口比率大幅下降,外債也上升到危險的水平,韓國經濟受到威脅。

為此,韓國政府在1973年宣布了「重工業促進計劃」(HCI促進計劃),旨在通過重工業和化學工業發展來建立一個自給自足的經濟。1975年,韓國政府公布了扶持半導體產業的六年計劃,強調實現電子配件及半導體生產的本土化。

韓國政府還組織「官民一體」的DRAM共同開發項目,即通過政府的投資來發展DRAM產業。

在半導體產業化的過程中,韓國政府推進「政府+大財團」的經濟發展模式,並推動「資金+技術+人才」的高效融合。在此過程中,韓國政府還將大型的航空、鋼鐵等巨頭企業私有化,分配給大財團,並向大財團提供被稱為「特惠」的措施。

《經濟學人》在1995年的文章中評論稱,20世紀80年代韓國工業的發展得益於HCI促進計劃,由於如此龐大的資源集中於少數財團,他們可以迅速進入資本密集型的DRAMs生產,並最終克服生產初期巨大的財務損失。

2

三星的崛起

1983年是韓國半導體產業的歷史轉折點。

韓國財團的進入讓半導體行業進入大規模集成(VLSI)生產時代,這些包括三星、金星社以及現代公司(後改名為海力士半導體,並被SK集團收購)等企業。這實現了韓國工業的質變——從簡單的裝配生產到精密的晶片加工生產。

20世紀80年代,三星和現代的財團都在尋找未來的商業領域,最終他們的目標是,從工業基地轉型為更具高科技導向的產業。當三星決定通過其電子業務進入大規模集成晶片生產時,現代決定將晶片生產作為實現其向電子產業多樣化的一個途徑。而隨後金星社的加入,讓韓國最大的三家財團均參與進VLSI生產。

三星發展半導體產業是一部濃縮的韓國半導體產業發展史。

前三星集團執行長李秉哲(Lee Byung Chul)在1983年2月決定對內存晶片生產進行大規模投資。這被認為是一個非常大膽的決定。因為當時韓國仍是一個簡單的裝配生產基地,1983年,整個半導體生產中晶圓加工的份額也僅為4.3%。

根據三星的官方策略解釋,三星電子公司當時遭遇了日本進口晶片的頻繁交付問題。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進入VLSI晶片業務。

三星制定了一個詳細的計劃,根據這個計劃,三星全部半導體產品中大約50%應該是DRAM。通過對精心挑選的DRAM領域關注,實現規模經濟和成本的競爭力。

其後,SST國際公司在矽谷成立,成為三星的技術前哨。SST國際公司(與Tristar半導體公司同年更名)為三星的產品開發做出了重大貢獻,SST國際公司成功開發的產品會轉讓給韓國的母公司SST,用於批量生產,這對三星的技術開發起到了至關重要的作用。

1983年,三星在京畿道器興地區建成首個晶片廠,並開始了接下來的一系列動作。三星電子首先向當時遇到資金問題的美光(Micron)公司購買64K DRAM技術,加工工藝則從日本夏普公司獲得,此外,三星還取得了夏普「互補金屬氧化物半導體工藝」的許可協議。

在此過程中,三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進式工藝創新,加上這些公司逆向工程方面的長期經驗,韓國的半導體產業進入了發展的快車道。

在選擇DRAM作為主要產品後不久,三星於1983年11月成功研發了64K DRAM。從技術上講,韓國半導體行業實現了從相對簡單的LSI技術到尖端的VLSI技術的重大飛躍。由此,1983年標誌著韓國VLSI晶片時代的開始。不可否認的是,在最初階段,外國技術許可在三星產品開發中發揮了至關重要的作用。

隨後,三星電子1984年成立了一家現代化的晶片工廠,用於批量生產64K DRAM。1984年秋季首次將其出口到美國。1985年成功開發了1M DRAM,並取得了英特爾「微處理器技術」的許可協議。

此後三星在DRAM上不斷投入,韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所【KIST,由韓國科學和技術部(MOST)管理】牽頭,聯合三星、LG、現代與韓國六所大學,「官產學」一起對4M DRAM進行技術攻關。該項目持續三年,研發費用達1.1億美元,韓國政府便承擔了57%。隨後韓國政府還推動了16M / 64M DRAM的合作開發項目。

1983年至1987年間實施的「半導體工業振興計劃」中,韓國政府共投入了3.46億美元的貸款,並激發了20億美元的私人投資,這大力促進了韓國半導體產業的發展。

在1987年,世界半導體市場還出現另一個機會,這源自美國和日本之間的半導體貿易衝突以及隨後的政治調控。1985年以後,日本DRAM生產商市場份額的增加,被認為是犧牲了美國生產商的利益,美日之間的貿易衝突日益加劇。

日本首先宣布對外國半導體生產商實施半導體貿易協定(STA),美國政府則於1987年3月宣布了對含日本晶片的日本產品徵收反傾銷稅等報復措施。

最終,日本承諾通過減少DRAM產量來提高晶片價格。但當時美國計算機行業需求增長,導致全球市場上256KDRAM的嚴重短缺。這為韓國256K DRAM生產商提供了重要的「機會之窗」。

此後韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM晶片設計時,研發速度比日本晚6個月,隨後三星又趁著日本經濟泡沫破裂,東芝、NEC等巨頭大幅降低半導體投資時機,加大投資,引進日本技術人員。並於1992年開發出世界第一個64M DRAM,超過日本NEC,成為世界第一大DRAM製造商。

3

勝出之戰:逆周期投資

超越日本成為世界第一大DRAM製造商只是三星帶領韓國半導體產業邁向世界第一梯隊的第一步。

1995年之後,三星多次發起「反周期定律」價格戰,使得DRAM領域多數廠商走向破產,並逐漸形成DRAM領域只有幾家壟斷市場的現狀。

半導體產業每年需投入大量資本支出,用於設備與技術的開發。三星是綜合公司型態,即使存儲器市場低迷,仍可透過其他事業部門注入資金。這讓三星逐步成為半導體產業巨擘。

比如,三星於1984年推出64K DRAM時,全球半導體業步入一個低潮,內存價格從每片4美元暴跌至每片30美分,而三星當時的生產成本是每片1.3美元,這意味著每賣出一片內存三星便虧1美元。

在低潮期,英特爾退出DRAM行業,NEC等日企大幅削減資本開支,而三星卻像「賭徒」一般瘋狂加碼,逆周期投資,繼續擴大產能,並開發更大容量的DRAM。

到1986年底,三星半導體累積虧損3億美元,股權資本完全虧空。但轉機卻瞬間來到,1987年,日美半導體協議的籤署使得DRAM內存價格回升,三星也為全球半導體市場的需求補缺,開始盈利,從逆勢中挺了過去。

在1996年至1999年,三星再次祭出「反周期定律」,而彼時日立、NEC、三菱的內存部門不堪重負,被母公司剝離,加上東芝宣布自2002年7月起不再生產通用DRAM,日本DRAM僅剩下爾必達一家。

再如,2007年初,因全球DRAM需求過剩,疊加2008年金融危機,DRAM顆粒價格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻將2007年公司總利潤118%用於DRAM擴產,使得DRAM價格接連跌破現金成本和材料成本。

在這樣的攻勢下,德國廠商奇夢達於2009年初宣布破產,日本廠商爾必達於2012年初宣布破產,三星市佔率進一步提升,全球DRAM領域巨頭只剩下三星、海力士和美光。

這場價格戰的影響仍在持續,DRAM從2016年下半年到2018年一季度,一直處於穩定缺貨漲價期中,在此過程中,三星晶片業務銷售額達690億美元,成為全球最大的晶片製造商。

在品牌發展不順的時候,三星等韓國的企業並未想到要轉去做代工,而是繼續投入,這是韓國能夠出現三星、海力士等全球領先晶片品牌的原因。

4

如何保持第一梯隊優勢

韓國的半導體產業是從產業轉移開端,在政府主導下,發展出自有品牌。

在韓國發展半導體產業的過程中,韓國政府對於產業的支持力度非常強,研發時大力投入,產出後進行保護。

從1990年開始,韓國半導體產業投資興起。從研發投入來看,1980年時半導體領域研發投入約為850萬美元,到1994年時為9億美元。專利技術也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。

1994年,韓國推出了《半導體晶片保護法》。此後,韓國政府還指定晶片產業及技術為影響國家競爭力的核心技術,致力於高度保障技術及產權。

龐大的半導體產業也發展出以三星和SK海力士為龍頭,IC製造企業、半導體設備企業和半導體材料企業層層分工,通過外包、代工的方式構建出的龐大半導體產業鏈,形成了龍仁、化成、利川等等半導體產業城市群,支撐著韓國的半導體產業鏈。

在韓國的半導體產業進入全球半導體產業的第一梯隊後,韓國仍希望保持其自身的優勢,不僅通過「BK21」及「BK21+」等計劃對大學、專業或研究所進行精準、專項支援。還在2016年時推出半導體希望基金,投資於半導體相關企業,旨在聚焦新技術的開發,尤其是儲存新技術方面。

這一系列的政策也基本延續「政府+大財團」的產業政策,鼓勵企業及大學間的結合,為晶片產業培養人才,以維持韓國在半導體產業上的優勢。

5

對中國的啟示:自主創新才不受制於人

當前,中國半導體行業的發展備受國人關注,韓國半導體產業的「逆襲」之路能夠帶給中國業界什麼啟示?

韓國半導體產業戰略和路徑是,以自主創新和掌握自主智慧財產權技術為根本目標和定位,從引進技術和從事硬體的生產、加工及服務開始,對引進技術進行消化吸收,到研發一些技術等級簡單的晶片,逐步提升自主創新能力,最終掌握高端核心技術。

韓國整體產業政策模式有一個制度背景,就是基本上不鼓勵合資政策,其目的就是要防止技術鎖定,防止國內企業太依賴於國外的技術。

韓國半導體的發展史對中國有極大的借鑑意義,目前可以看到國家大基金參股了多家產業公司,特別是科創板也對半導體產業形成重大利好,目前已有數家公司申報上市,假以時日,可以期待中國半導體公司成為世界的強者。

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