英飛凌全新.XT技術延長IGBT模組使用年限

2020-11-30 OFweek維科網

　　英飛凌科技（Infineon Technologies）推出創新IGBT內部封裝技術，能大幅延長IGBT模組的使用年限。全新的.XT技術實現IGBT模組內所有內部接合的最佳化，以延長產品壽命。

　　相較於現有的技術，全新的.XT技術可以延長IGBT模組10倍的使用壽命，另外輸出功率則增加25%。全新的技術支援最高達200℃的接面溫度。透過此全新的封裝技術，能滿足新興應用對於更高的功率循環性能需求，更提升模組的功率密度及更高的接面作業溫度。

　　功率循環會產生溫度變化，並導致IGBT模組內部接合的機械應力。單層因熱膨脹所產生的不同係數，會造成熱應力，最終導致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技術涵蓋了IGBT模組內影響功率循環性能的關鍵區域，包括晶片前端的黏合接線、晶片背面的焊接（晶片至DCB）以及DCB基板至底板的焊接。

　　這項全新的內部接合技術適用於英飛凌多數現有的封裝以及全新的模組封裝。這三項新接合技術均適用於標準製程，非常適合大量生產。第一款採用全新.XT技術的產品是PrimePACK 2模組FF900R12IP4LD，搭載半橋架構，提供900安培，並以150℃接面作業溫度的IGBT4晶片為基礎。

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